一种高压大容量直流变压器调控方法及系统

    公开(公告)号:CN117155117B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311428751.9

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种高压大容量直流变压器调控方法及系统。现有的一种直流变压器调控方法,在一个开关周期内需要对子模块电容电压排序两次,并且采用电流检测需要使用电流传感器,既增加了算法的难度,又增大了直流系统的体积和成本。本发明的高压大容量直流变压器调控方法,采用的技术方案为:基于轻载时阶梯波准两电平调制的基础上,通过调整直流变压器桥臂子模块占空比的方法改变桥臂电流波形,实现桥臂子模块的均压控制,使轻载时子模块在一个开关周期吸收的电荷量重新恢复单调性。本发明实现一个开关周期内只需要对子模块电容电压排序一次,且无需使用电流传感器进行桥臂电流方向检测。

    一种TO247封装的碳化硅器件高速故障检测系统及方法

    公开(公告)号:CN116699460A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310458162.9

    申请日:2023-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种TO247封装的碳化硅器件高速故障检测系统及方法。本发明的检测系统包括TO247封装的SiC MOSFET芯片、TMR电流传感器和故障检测单元;所述的TMR电流传感器包含第一TMR桥臂、第二TMR桥臂和运算放大器,第一TMR桥臂与第二TMR桥臂关于中轴线对称;分别连接SiC MOSFET芯片漏极的左铜箔和芯片源极的右铜箔也关于中轴线对称;两个TMR桥臂共包含4个TMR电阻R1‑R4,构成桥式结构;所述的运算放大器与桥式结构连接;所述的TMR电流传感器与所述的故障检测单元连接,将获得的采样电流输入故障检测单元中,判断SiC MOSFET芯片是否有短路故障。本发明采用TMR电流传感器屏蔽外界磁场的干扰,实现了TO247封装的SiC MOSFET快速短路保护。

    降低装置整体损耗的分布式潮流控制器协调出力分配方法

    公开(公告)号:CN115579894B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211284877.9

    申请日:2022-10-20

    Abstract: 本发明公开了一种降低装置整体损耗的分布式潮流控制器协调出力分配方法。本发明采用的步骤为:判断被控线路潮流调节有功无功功率的目标值是否在规定约束条件范围内,若在,则进行下一步;若超出,则将被控线路潮流调节有功无功功率目标值调整至规定约束条件范围内;判断被控线路有功无功功率潮流调节需求量是否在DPFC多单元系统可调节范围内,若在,则进行下一步;若超出,则重新调整潮流调节需求量;对DPFC多单元系统调节被控线路有功和无功功率时的总需求补偿电压进行计算,之后对目标函数进行求解,得到DPFC协调出力分配方案。本发明提高了装置利用率,使得装置实际输出电压提高,并提高了装置使用容量,同时降低了装置整体损耗。

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