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公开(公告)号：CN102520012B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201110401838.8
申请日：2011-12-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于MEMS技术的热扩散率传感器芯片及其制备方法，传感器芯片包括沉积在SOI晶片上表面的二氧化硅隔离层、淀积在二氧化硅隔离层上表面并经刻蚀后形成的加热器以及温度传感器、以及淀积在二氧化硅隔离层上表面、加热器上表面以及温度传感器上表面的氮化硅保护层，其中，所述SOI晶片的下表面自下表面向上刻蚀有绝热腔，所述加热器位于二氧化硅隔离层上表面的中心位置，所述温度传感器均匀分布在以加热器为中心的径向上。本发明传感器芯片仅需几微升的样品液体即可在几十秒内完成测量流体导热系数的测量，并且可在很大温度范围内实现测量。
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公开(公告)号：CN103196613A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310084858.6
申请日：2013-03-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高温CMUT压力传感器及其制备方法，其整体结构从上至下依次为：第一碳化硅层、第一氮化硅层、第二碳化硅层、第二氮化硅层、和第三碳化硅层；第一氮化硅层、第二碳化硅层和第二氮化硅层周围部分和中间部分均被空腔在横向方向上隔开；通孔贯穿第三碳化硅层；所述第二氮化硅层中间部分覆盖在第三碳化硅层上侧和通孔的内表面；在通孔中的氮化硅层内表面上覆盖有电连接金属层与下电极形成电连接；有效减小了充电现象对传感器工作性能的影响；有效减小了高温环境中寄生电容及其对传感器检测灵敏度的影响；采用碳化硅层和氮化硅层交替的对称式结构设计能有效减小高温环境中温度应力对传感器测量精确度的影响。
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公开(公告)号：CN102520012A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110401838.8
申请日：2011-12-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于MEMS技术的热扩散率传感器芯片及其制备方法，传感器芯片包括沉积在SOI晶片上表面的二氧化硅隔离层、淀积在二氧化硅隔离层上表面并经刻蚀后形成的加热器以及温度传感器、以及淀积在二氧化硅隔离层上表面、加热器上表面以及温度传感器上表面的氮化硅保护层，其中，所述SOI晶片的下表面自下表面向上刻蚀有绝热腔，所述加热器位于二氧化硅隔离层上表面的中心位置，所述温度传感器均匀分布在以加热器为中心的径向上。本发明传感器芯片仅需几微升的样品液体即可在几十秒内完成测量流体导热系数的测量，并且可在很大温度范围内实现测量。
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公开(公告)号：CN119959344A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510435835.8
申请日：2025-04-09
Applicant: 西安航天动力试验技术研究所 , 西安交通大学
IPC: G01N29/02 , G01N29/024
Abstract: 本发明提供了一种液体推进剂管道夹气状态判定方法及装置，属于液体火箭发动机试验技术领域，其方法包括如下步骤：依次激励多个在待测管道外壁沿周向间隔固定设置的超声换能器，多个超声换能器发射超声波；根据多个超声换能器发射的超声波的反射波判定待测管道内的夹气状态，具体为：若最上端的超声换能器发射的超声波及最下端的超声换能器发射的超声波均存在反射波，则计算反射波传播的一半声程，若一半声程不等于待测管道的内径，则待测管道中的液体中存在气泡，即为夹气状态。本发明能够准确检测腐蚀性推进剂不透明管道内的夹气状态。
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公开(公告)号：CN116493234B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310467430.3
申请日：2023-04-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于KNN和应力释放凹槽的TFT‑PMUTs、制备方法、应用和超声触觉感知检测设备，该TFT‑PMUTs包括压电式微机械超声换能器和薄膜晶体管，压电式微机械超声换能器中每个单元的底电极的轴心设有单元中心支柱，每个压电式微机械超声换能器阵元的中心设置阵元中心支柱；KNN压电层在压电式微机械超声换能器阵元的中心位置空白区域设置阵元中心支柱；结构层上设有应力释放凹槽；阵元中心支柱和单元中心支柱与薄膜晶体管的电压开关一一正对连接，每个阵元中心支柱处的顶电极、以及每个单元中心支柱对应的底电极与薄膜晶体管上和他们位置相对的电压开关电连接；单元边界支柱与薄膜晶体管表面键合连接。本发明传感器能够进行触觉感知和轨迹检测，且灵敏度较高，可进行批量化制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119361335A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411532823.9
申请日：2024-10-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于三维微纳制造及储能技术领域，公开了一种三维自卷曲微型超级电容器及其可控制备方法，方法包括：制备双层薄膜衬底，双层薄膜衬底包括顶层具有负热膨胀系数的导电功能层和底层具有正热膨胀系数的磁性薄膜衬底，磁性薄膜衬底中均匀分布高剩磁材料和磁热材料；在导电功能层表面制备出图案化的叉指电极；在导电功能层表面，在叉指电极的一侧制备正极、另一侧制备负极，得到复合型平面微型超级电容器；将复合型平面微型超级电容器于磁场中进行弯曲变形，得到自卷曲结构；向自卷曲结构中加入液晶态电解质，得到三维自卷曲微型超级电容器。本发明通过进一步缩小器件的投影面积，提高器件的空间利用率，进而提升器件单位面积内的能量密度。
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公开(公告)号：CN118487513A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410592526.7
申请日：2024-05-14
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请公开了一种磁吸失稳的电磁压电发电装置及无线监测系统，属于发电技术领域。包括：容纳件、弹性件、金属盖板、磁铁、压电件以及按压板；容纳件具有容纳腔以及开口，开口与容纳腔连通，金属盖板固定于开口处，金属盖板遮盖开口，金属盖板上设置有通孔，弹性件穿设于通孔，且弹性件的第一端位于容纳腔的外部，弹性件的第二端位于容纳腔中，磁铁位于容纳腔中，磁铁与弹性件第二端固定连接，且磁铁与金属盖板接触，按压板与弹性件的第一端固定连接，压电件固定于容纳腔中，且在弹性件的伸缩方向上，压电件与磁铁位置相对。
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公开(公告)号：CN118204255A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410549687.8
申请日：2024-05-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: B06B1/06
Abstract: 本发明公开了一种借助声学超材料实现声波聚焦引导及边缘止振功能的MEMS超声换能器阵列及其制备方法，包括MEMS超声换能器阵列以及设置于MEMS超声换能器阵列表面的止振材料层和声聚焦引导材料层，所述MEMS超声换能器阵列包括多个MEMS超声换能器单元，所述止振材料层设置于MEMS超声换能器单元间的公共支柱区域的上方，止振材料层上与MEMS超声换能器单元相对的位置设为空白区域，该空白区域作为透声孔，声聚焦引导材料层设置于MEMS超声换能器单元上方。本发明通过对MEMS超声换能器阵列上表面结构层进行优化，在实现MEMS超声换能器晶圆级封装的同时，能够有效提高硅MEMS超声换能器阵列的声学性能。
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公开(公告)号：CN116683791A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310644441.4
申请日：2023-06-01
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请公开了一种带防振功能的发电装置、无线传感装置及发电系统，属于发电技术领域。该带防振功能的发电装置包括：挂接件、拾振梁、第一压电发电组件以及第二压电发电组件；第一压电发电组件包括第一安装框、第一压电发电件以及第一质量块，第二压电发电组件包括第二安装框、第二压电发电件以及第二质量块，第一压电发电件以及第一质量块均位于第一安装框中，且第一压电发电件的第一端与第一安装框的侧壁连接，第一压电发电件的第二端与质量框连接，第二压电发电件以及第二质量块均位于第二安装框中，且第二压电发电件的第一端与第二安装框的侧壁连接，第二压电发电件的第二端与质量框连接；拾振梁具有相对的第一面和第二面。
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公开(公告)号：CN116647165A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310667359.3
申请日：2023-06-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请实施例提供了一种多源发电装置及无线传感装置。该多源发电装置包括：底座、热电发电件、压电发电件、太阳能电池板以及电源管理模块；热电发电件包括位置相对的受热端以及散热端，受热端与底座贴合，压电发电件的一端固定于底座，太阳能电池片与压电发电件的另一端连接，电源管理模块固定于底座；热电发电件、压电发电件以及太阳能电池板均与电源管理模块电连接，电源管理模块用于与待供电件电连接；其中，热电发电件用于在热电发电件的受热端的温度大于散热端的温度情况下，产生电能；压电发电件用于在压电发电件晃动且弯曲的情况下，产生电能；太阳能电池板用于在太阳光照射在太阳能电池板上的情况下，产生电能。
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