公开(公告)号：CN1565776A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN03137670.3

申请日：2003-06-19

申请人： 孙金根

发明人： 孙金根

IPC分类号： B22D27/04

CPC分类号： B22D23/02 ,  B22C9/24 ,  B22D15/02

摘要： 本发明涉及一种结晶器和利用该结晶器铸造铸件的方法。结晶器包括底型、半薄膜型、半型座、规板、给水口、泄水口、液面控制器，型芯等部件。多个垂向规板16呈放射状固定在半型座6的内侧或一体形成在半型座6的内侧；规板向心一侧是一条成形的缘21，缘的横截面形状是一个被圆柱体22截顶的三角形，半薄膜型8附着在半型座6上，相邻的规板之间有介质槽17，每一个介质槽的上端有一个给水口5。所有的介质槽底部均通向排水管。本发明的结晶器使金属熔体注入型腔后有足够一段时间处在液相点温度以上，然后以冷却介质对铸件施以自下而上的快速、顺序热扩散，所得铸件具有优秀的组织结构。

公开(公告)号：CN1500907A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114196.9

申请日：2003-11-05

申请人： W.C.贺利氏股份有限及两合公司

发明人： M·魏格特 ,  J·海因德尔 ,  U·康尼茨卡

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22D15/02 ,  B22D27/15

摘要： 本发明涉及制造溅射靶的方法，所述溅射靶由一种含有重量百分比(wt.％)为5－50％的铝的硅合金制成，本发明还涉及这种溅射靶及其应用。为了提供以尽可能以有利的成本制造一种管状的溅射靶的方法和一种溅射靶，这种方法的特征在于，采用了浇铸技术，通过在真空中熔化和浇铸来制造靶材料，其中该浇铸在一个筒状的铸模中进行。