磁光记录介质
    82.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1184269A

    公开(公告)日:1998-06-10

    申请号:CN97125345.5

    申请日:1997-12-04

    发明人: 安孙子透

    IPC分类号: G03G5/043

    CPC分类号: G11B11/10586 G11B11/10584

    摘要: 提供了一种有改善的信号量的磁光记录介质,这是将记录层居里温度安排在较高温度且没有使重复记录和再现性能有任何下降情况下达到的。按照本发明的磁光记录介质是在衬底上形成第一介电层,至少含氮化硅的第二介电层形成在第一介电层上,以及由磁性薄膜构成的记录层形成在第二介电层上,该磁性薄膜的居里温度为200℃或更高。这种磁光记录介质的特征是,第一介电层的热导率小于第二介电层的热导率。

    磁光记录介质
    89.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100458943C

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN01103233.2

    申请日:2001-02-07

    IPC分类号: G11B11/10

    摘要: 提供一种磁光记录介质,其记录层(6)记录和存储信息,并包括多个层:即第一层(6a)和第二层(6b)。第一层(6a)由饱和磁化与亚晶格磁化方向平行的记录材料制成。第二层(6b)由在室温下饱和磁化与亚晶格磁化方向反平行的记录材料制成。用于第二层(6b)的材料在读出温度附近饱和磁化与亚晶格磁化方向平行。