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公开(公告)号：CN1232569A
公开(公告)日：1999-10-20
申请号：CN97198610.X
申请日：1997-10-06
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B20/1251 , G11B7/00454 , G11B7/006 , G11B7/00745 , G11B11/10521 , G11B20/12 , G11B20/1217 , G11B27/19 , G11B27/24 , G11B27/3027 , G11B2020/1232 , G11B2020/1277 , G11B2020/1287 , G11B2220/216 , G11B2220/2525 , G11B2220/2529 , G11B2220/2545 , G11B2220/2562
摘要： 在一种光盘中按顺序形成扇区,所述扇区具有第一间隔区,第一保护数据记录区,包括同步信号和用户数据的数据记录区,第二保护数据记录区,和第二间隔区,其中第一和第二间隔区的长度,和第一和第二保护数据记录区的长度在每次记录时被随机地改变,并且设置第一和第二间隔区的改变量小于第一和第二保护数据记录区的改变量,借以抑制由于重复记录而引起的在每个扇区和每个标记中的光盘介质的劣化。
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公开(公告)号：CN1023264C
公开(公告)日：1993-12-22
申请号：CN91111738.5
申请日：1991-12-20
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 大朋子
IPC分类号： G11B11/10
CPC分类号： G11B11/10506 , G11B11/10521 , G11B11/10582
摘要： 本发明推出了在直接改写的磁光记录中不需要初始化磁场、对介质材料成分的限制较少的磁光记录的方法、设备和介质。这种介质有两层交换耦合的RE-TM非晶层(存储层和基准层)，这两层的居里温度几乎相同，而其中只有一层是无补偿温度的富RE层。这两层直接叠合，或中间夹有一层不妨碍交换耦合的中间层。在记录前，先将基准层沿一个方向磁化。能量脉冲从存储层侧射入，使得基准层温度在记录一种位数据时仍保持低于它的居里温度，而在记录另一种位数据时达到它的居里温度。
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公开(公告)号：CN1106638C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN93108471.7
申请日：1993-07-28
申请人： 约翰逊马修大众有限公司
发明人： 约瑟夫·米勒 , 德里克·保罗·阿什利·皮尔逊 , 菲利普·乔治·皮彻
IPC分类号： G11B11/10
CPC分类号： B82Y25/00 , G11B11/10521 , G11B11/10582 , G11B11/10586 , H01F10/325 , H01F10/3281 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/12465 , Y10T428/12632 , Y10T428/12861 , Y10T428/12875
摘要： 可获得交换耦合的一种材料系统，其具有可直接重写数据的能力。该材料系统包括至少两个具有独自控制的矫顽磁力及居里温度的铂及钴的多层膜。
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公开(公告)号：CN1081769A
公开(公告)日：1994-02-09
申请号：CN93108471.7
申请日：1993-07-28
申请人： 约翰逊马修大众有限公司
发明人： 约瑟夫·米勒 , 德里克·保罗·阿什利·皮尔逊 , 菲利普·乔治·皮彻
IPC分类号： G03G5/00
CPC分类号： B82Y25/00 , G11B11/10521 , G11B11/10582 , G11B11/10586 , H01F10/325 , H01F10/3281 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/12465 , Y10T428/12632 , Y10T428/12861 , Y10T428/12875
摘要： 可获得交换耦合的一种材料系统，其具有可直接重写数据的能力。该材料系统包括至少两个具有独自控制的矫顽磁力及居里温度的铂及钴的多层膜。
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公开(公告)号：CN1037791A
公开(公告)日：1989-12-06
申请号：CN89103093.X
申请日：1989-05-06
申请人： 菲利浦光灯制造公司
IPC分类号： G11B7/26
CPC分类号： G11B11/10521 , G11B11/10513 , G11B11/1053 , G11B11/10536 , G11B11/10554 , G11B11/10576
摘要： 在具有磁-光记录层的记录载体上记录信息的方法和装置，使具有第一和第二磁化方向的磁畴(23，24)图案记录在记录层上。根据此方法，记录层区域(22)用辐射脉冲(20)加热，并借助通以激励电流脉冲(21)的线圈使之磁化。该激励电流脉冲滞后于辐射脉冲(20)一段时间，使区域(22)基本上在激励脉冲发生期间冷却(图2)。
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公开(公告)号：CN1150524C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN00122670.3
申请日：2000-06-18
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 徐赈教
CPC分类号： G11B7/1263 , G11B7/00456 , G11B7/0062 , G11B7/1267 , G11B11/10504 , G11B11/10521 , G11B11/10595
摘要： 一种自适应记录方法，用于通过使光信号照射到光记录媒体上，以及根据当前记录的标记长度和前/后间隔长度之间的相互关系自适应地调整光信号的功率记录具有标记和间隔的二进位制数据，该方法包括步骤：(a)检查用于产生光信号的光信号发生设备的输出特性；(b)参照与在光记录媒体上记录数据的过程中的相互关系和输出特性相应的光信号功率控制光信号功率。该自适应记录方法根据激光二极管输出特性的变化更新相对于功率设定值的光输出控制数据，提供精确的记录控制。
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公开(公告)号：CN1278639A
公开(公告)日：2001-01-03
申请号：CN00122670.3
申请日：2000-06-18
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 徐赈教
CPC分类号： G11B7/1263 , G11B7/00456 , G11B7/0062 , G11B7/1267 , G11B11/10504 , G11B11/10521 , G11B11/10595
摘要： 一种自适应记录方法,用于通过使光信号照射到光记录媒体上,以及根据当前记录的标记长度和前/后间隔长度之间的相互关系自适应地调整光信号的功率记录具有标记和间隔的二进位制数据,该方法包括步骤:(a)检查用于产生光信号的光信号发生设备的输出特性;(b)参照与在光记录媒体上记录数据的过程中的相互关系和输出特性相应的光信号功率控制光信号功率。该自适应记录方法根据激光二极管输出特性的变化更新相对于功率设定值的光输出控制数据,提供精确的记录控制。
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公开(公告)号：CN1050634A
公开(公告)日：1991-04-10
申请号：CN90108048.9
申请日：1990-09-27
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： G11B19/00 , G11B7/0033 , G11B7/0037 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/24 , G11B11/10506 , G11B11/10517 , G11B11/10521 , G11B11/10523 , G11B11/10552 , G11B11/10584 , G11B11/10595 , G11B23/0316
摘要： 该信息处理机使用了能用激光功率调制系统进行改写的便携式存储器。该存储器包括了装在薄盒中能旋转的盘形记录介质，并且通过第一磁场应用设备和第二磁场应用设备来进行写/读/删除操作，也包括了能遍及该盒的用光线照射的光头。
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公开(公告)号：CN87106297A
公开(公告)日：1988-03-02
申请号：CN87106297
申请日：1987-08-20
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G11B11/10
CPC分类号： G11B11/10515 , G11B11/10506 , G11B11/10521 , G11B11/10586
摘要： 公开了一种热磁记录方法，该方法采用了一种具有磁耦合的第一和第二磁性薄膜的热磁记录媒体。磁性薄膜包括一个第一和第二薄膜的各自磁矩彼此反向耦合的部分。该方法包括通过按待记录的信息信号调制加热条件，将层叠层在第一加热状态下或第二加热状态下加热，然后冷却热磁记录媒体加热过的层叠层，在热磁记录媒体上进行记录磁化。在该方法中，无需使用调制过的外磁场可以达到实时重写信息。
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公开(公告)号：CN1625771A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828755.X
申请日：2002-04-15
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B11/105
CPC分类号： G11B7/0079 , G11B11/10515 , G11B11/10521 , G11B11/10584 , G11B11/10597 , G11B20/10527 , G11B2020/10546 , G11B2020/1062 , G11B2020/10962 , G11B2020/1259 , G11B2020/1287 , G11B2020/1461 , G11B2020/1843
摘要： 本发明提供一种光学存储装置和光学存储介质的读出/写入方法。为了在连续播放光信息存储介质的ROM信息的同时，把与ROM信息相关联的新信息RAM记录在光信息存储介质中与ROM信息链接的位置，具有光学头(5)，该光学头(5)向在形成有相位凹坑的基板上形成了光磁记录膜的光信息记录介质(4)照射光，并从来自前述光信息记录介质的返回光中，检测出用前述相位凹坑调制后的光强度作为ROM信号，同时检测出前述返回光被前述光磁记录膜调制后的偏振光方向分量的差动振幅作为RAM信号；把前述ROM信号以n(n＞2)倍速读出，转换成基准速度输出，并且，以前述n倍速把与前述ROM相关联的输入信息作为RAM信息记录在规定的位置。
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