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公开(公告)号：CN104795298B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410024559.8
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/12 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个电子发射单元间隔设置，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射单元还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层，任意相邻的电子发射单元中的第一电极相互间隔，任意相邻的电子发射单元中的第二电极相互间隔。本发明还提供一种电子发射显示器。
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公开(公告)号：CN103367073B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210087160.5
申请日：2012-03-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 一种碳纳米管场发射体，包括多个碳纳米管束，每个碳纳米管束具有相对的第一端和第二端，且每个碳纳米管束包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管通过范德华力首尾相连，且沿着该每个碳纳米管束的延伸方向定向排列，该多个碳纳米管束的第一端汇聚成一碳纳米管线，作为支撑部；该多个碳纳米管束沿着第一端与第二端之间的部分由所述支撑部向周围呈扇形发散，形成电子发射部；所述多个碳纳米管束中相邻的碳纳米管束之间具有间隙，该间隙从碳纳米管束的第一端至碳纳米管束的第二端逐渐增大。
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公开(公告)号：CN102870189B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180009961.3
申请日：2011-03-22
Applicant: 新鸿电子有限公司
CPC classification number: H01J35/065 , A61B6/4028 , A61B6/4064 , H01J35/04 , H01J35/14 , H01J2201/30469 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H05G1/30
Abstract: 多波束场致发射X?射线系统和相关方法，该系统包括阴极元件、与所述多个阴极元件相隔开的阳极组件，以及位于多个阴极元件和阳极组件之间的萃取门。该方法包括：在萃取门和至少其中一个阴极元件之间应用电位差，可使得各个阴极元件来发射电子；测量阴极元件的发射特性，并根据所测发射特性，调节萃取门和至少其中一个阴极元件之间的电位差。
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公开(公告)号：CN105448624A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410327704.X
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742
Abstract: 一种场发射阴极的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一微通道板，该微通道板具有多个开孔；提供一碳纳米管浆料，将所述碳纳米管浆料填充于所述微通道板的多个开孔内，部分碳纳米管浆料粘附于所述微通道板的开孔内壁；加热填充碳纳米管浆料的微通道板，使得所述碳纳米管浆料中的有机载体挥发，得到一场发射阴极。
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公开(公告)号：CN105448623A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410269167.8
申请日：2014-06-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01J2201/30423 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及一种场发射体的制备方法，包括：提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括多个微孔及相对的第一表面及第二表面；在所述碳纳米管层的第一表面电镀一第一金属层；在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及断开所述碳纳米管复合层，使所述碳纳米管层断开，在断开处形成多个电子发射端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105445227A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410434514.8
申请日：2014-08-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: G01N21/65 , B82B3/009 , G01N21/6458 , G01N2021/4792 , G02B21/33 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种原位观测一维纳米材料的方法，包括以下步骤：S1提供一待测一维纳米材料；S2将所述一维纳米材料浸没于耦合液中；S3提供一束具有连续光谱的白色入射光，所述一维纳米材料在该入射光的照射下发生共振瑞利散射；S4利用物镜为水镜的光学显微镜观测该一维纳米材料，观测时该水镜浸没于所述耦合液中。本发明还涉及一种利用该方法观测一维纳米材料的装置。
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公开(公告)号：CN105336560A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410288346.6
申请日：2014-06-25
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J25/22 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J23/04 , H01J23/06 , H01J2201/30469
Abstract: 一种反射式速调管包括电子发射装置，电子发射装置包括：一电子发射结构和一电子反射结构相对设置，其中，该电子反射结构包括：反射极、第二栅网；该电子发射结构包括：阴极、电子引出极、电子发射体、第一栅网，其中，该电子发射体与所述阴极电连接，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体，所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体具有一电子发射端，每一电子发射端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致，每一电子发射端与反射极之间的距离大于等于10微米小于等于200微米，所述反射式速调管内的压强小于等于100帕。本发明还提供一种电子发射装置。
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公开(公告)号：CN102714119B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180006212.5
申请日：2011-01-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , H01J2329/0444 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明为一种电子发射源用膏料，其是含有电子发射源用碳材料、磷酸系玻璃和平均粒径为0.1μm～1.0μm的导电性颗粒的电子发射源用膏料，其中，磷酸系玻璃含有25摩尔%～70摩尔%的P2O5成分，导电性颗粒为含有导电性氧化物的颗粒、或者为氧化物表面的一部分或全部涂布有导电性氧化物的颗粒。本发明提供一种电子发射源，其中，通过所述电子发射源用膏料而能够同时良好地保持电子发射源用碳材料与阴极电极基板的强粘接性和电子发射源的导电性，并且能够在低电压下发射电子。
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公开(公告)号：CN103367074B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210087168.1
申请日：2012-03-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/842 , Y10S977/939
Abstract: 一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列形成于一生长基底；采用一拉伸工具从所述碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管片段拉取获得一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括一三角区碳纳米管膜，所述拉伸工具所选定的多个碳纳米管片段为该三角区碳纳米管膜的一顶部；处理所述拉伸工具所选定的碳纳米管片段，使三角区碳纳米管膜的所述顶部形成一碳纳米管线；采用激光束以三角区碳纳米管膜的所述顶部为中心，沿着三角区碳纳米管膜的切割线切断所述三角区碳纳米管膜，所述三角区碳纳米管膜的切割线至三角区碳纳米管膜的顶部的距离为10微米~5毫米，得到一扇形或三角形的碳纳米管场发射体。
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公开(公告)号：CN103107054B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310031010.7
申请日：2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J3/02
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0204 , H01J2329/0455 , H01J2329/46
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一阳极电极，该阳极电极与阴极电极间隔设置，且所述阴极电极设置在电子引出电极与阳极电极之间。
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