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公开(公告)号:CN104795296B
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201410024482.4
申请日:2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置,包括:多个条形第一电极,所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸;多个条形第二电极,所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸,所述多个条形第一电极和多个条形第二电极交叉且间隔设置,位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极定义一电子发射单元,每一电子发射单元进一步包括位于条形第一电极与条形第二电极之间且依次层叠设置的一绝缘层、一电子收集层以及一半导体层,所述电子收集层为一导电层。本发明还提供一种电子发射显示器。
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公开(公告)号:CN103782374B
公开(公告)日:2017-06-16
申请号:CN201280044092.2
申请日:2012-09-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C22C21/00 , C23C14/34 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01J11/46 , H01J31/12 , H01J31/15 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06 , H05B33/14
CPC classification number: G02F1/13439 , B32B15/016 , B32B15/017 , C22C14/00 , C22C21/00 , C22C27/02 , C22C27/04 , C23C14/0036 , C23C14/025 , C23C14/0641 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01J11/46 , H01J31/127 , H01L21/4885 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/1095 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种即使曝露在450~600℃左右的高温下也不会发生小丘(ヒロック:hillock),高温耐热性优异,配线结构整体的电阻(配线电阻)也抑制得很低,此外耐氢氟酸性也优异的显示装置用配线结构。本发明的显示装置用配线结构,具有从基板侧按顺序层叠有如下Al合金的第一层和如下氮化物的第二层的构造:所述Al合金含有从由Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr以及P所构成的组(X组)中选择的至少一种元素和稀土类元素的至少一种;所述氮化物是从由Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf和Cr所构成组(Y组)中选择的至少一种元素的氮化物或Al合金的氮化物。
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公开(公告)号:CN106803474A
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201710000875.5
申请日:2017-01-03
Applicant: 金陵科技学院
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J9/02 , H01J9/025 , H01J9/20 , H01J29/04 , H01J29/467
Abstract: 本发明涉及一种圆弧辅全曲银门控三连续洼面棱边阴极结构的发光显示器,包括真空室和位于真空室内的消气剂和孤立支撑柱,真空室由上闭拢玻璃硬板、下闭拢玻璃硬板和透明玻璃框组成,在上闭拢玻璃硬板上有阳极方膜氧化物层、与阳极方膜氧化物层相连的阳极厚膜延展层以及制备在阳极方膜氧化物层上面的荧光粉层;在下闭拢玻璃硬板上有圆弧辅全曲银门控三连续洼面棱边阴极结构。本发明具有制作工艺稳定可靠、制作成本低廉、发光亮度高、显示灰度可调性好的优点。
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公开(公告)号:CN106653526A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201710000825.7
申请日:2017-01-03
Applicant: 金陵科技学院
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J29/467
Abstract: 本发明涉及一种三托撑同弧段单门控斜向凹锥台腰环边阴极结构的发光显示器,包括由上抗压平隔气盖板、下抗压平隔气盖板和透明玻璃框所构成的真空室;在上抗压平隔气盖板上有阳极氧化物高透光底层、与阳极氧化物高透光底层相连的阳极增长银白弯层以及制备在阳极氧化物高透光底层上面的荧光粉层;在下抗压平隔气盖板上有三托撑同弧段单门控斜向凹椎台腰环边阴极结构;位于真空室内的消气剂和隐没撑持墙附属元件。具有发光灰度可调节性能优异、阳极电流大、制作工艺稳定、发光亮度高的优点。
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公开(公告)号:CN104795294A
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201410024369.6
申请日:2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/12 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/02 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置,其包括多个间隔设置的电子发射单元,所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极,一半导体层,一绝缘层以及一第二电极,其中,所述第一电极为一碳纳米管层,每一电子发射单元中的半导体层具有多个间隔设置的孔洞,对应孔洞位置处的碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号:CN102737574B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201210086316.8
申请日:2012-03-28
Applicant: 双叶电子工业株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , G09G3/22
Abstract: 在Q-元阳极矩阵真空荧光显示器(VFD)中,逐个导通多个所选择的像素以根据显示信号顺序发光。每个所选择的像素选自待导通的Q个阳极段,以通过导通位置彼此相邻的第一栅格电极和第二栅格电极来发光。每个所选择的像素由包括如下像素的总共Q/2个阳极段形成:从距离所述第一栅格电极最近的位置开始顺序设置并且面对所述第二栅格电极的R个阳极段、以及从距离所述第二栅格电极最近的位置开始顺序设置并且面对所述第一栅格电极的(Q/2-R)个阳极段,R为范围从1到(Q/2-1)的整数。
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公开(公告)号:CN104170050A
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN201380014666.6
申请日:2013-03-14
Applicant: 纳欧克斯影像有限公司
CPC classification number: H01J3/14 , G01N23/046 , G01N2223/204 , G01N2223/419 , G01T1/161 , H01J1/3042 , H01J3/021 , H01J3/027 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2235/068
Abstract: 本公开涉及一种图像采集装置,该图像采集装置包括电子接收结构和电子发射结构,并且还包括提供所述电子发射结构和所述电子接收结构之间的畅通空间的内部间隙。本公开还涉及一种x射线发射装置,该x射线发射装置包括x射线发射结构和电子发射结构,所述x射线发射结构包括阳极,该阳极为x射线靶标,其中,所述x射线发射装置可以包括提供所述电子发射结构和所述x射线发射结构之间的畅通空间的内部间隙。本公开还涉及一种x射线摄像系统,该x射线摄像系统包括图像采集装置和x射线发射装置。
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公开(公告)号:CN103903938A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201210587689.3
申请日:2012-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J29/04
CPC classification number: H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H05B41/14
Abstract: 一种场发射阴极装置,其包括:一绝缘基底;一阴极电极设置于所述绝缘基底的表面;一第一绝缘隔离层设置于所述阴极电极的表面或绝缘基底的表面,该第一绝缘隔离层定义一第一开口;一电子发射层设置于所述阴极电极通过第一开口暴露的表面,且与该阴极电极电连接;一第一栅极设置于所述第一绝缘隔离层表面;一第二绝缘隔离层设置于所述第一栅极表面,且所述第二绝缘隔离层定义一第二开口,以使阴极电极的至少部分表面通过该第二开口暴露;一第二栅网设置于所述第二绝缘隔离层表面,且所述第二栅网从第二绝缘隔离层的表面延伸至电子发射层上方,以将第二开口覆盖。本发明还涉及所述场发射阴极装置的驱动方法。
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公开(公告)号:CN103531422A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201310187294.9
申请日:2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J19/24 , B82Y99/00 , H01J1/02 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J31/127 , H01J35/06 , H01J35/065 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2203/0208 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H01J2329/4608 , Y10S977/939
Abstract: 本发明提供了一种网状电极附接结构、一种电子发射器件以及包括该电子发射器件的电子装置。该网状电极附接结构包括:基板,具有至少一个开口;粘附层,设置在基板上;以及网状电极,设置在基板上,粘附层在网状电极和基板之间,其中网状电极具有与至少一个开口所位于的区域相应的网状区域以及接触粘附层的粘附区域,粘附区域包括暴露粘附层的一部分的至少一个结合凹槽。这样的网状电极附接区域应用于电子发射器件的栅电极使得栅电极稳定地附接到绝缘层。
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公开(公告)号:CN102024654B
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201010563927.8
申请日:2010-11-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J2329/0431 , H01J2329/0436 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明提供一种场发射像素管,其包括:一壳体,所述壳体具有一出光部;一荧光粉层及一阳极,所述阳极及荧光粉层设置于所述壳体出光部;一阴极,所述阴极与所述阳极间隔设置,该阴极包括一阴极支撑体与至少一电子发射体,其中,所述至少一电子发射体包括一碳纳米管管状结构,所述碳纳米管管状结构的一端与所述阴极支撑体电连接,所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极延伸作为电子发射体的电子发射端,所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕一中空的线状轴心组成,所述碳纳米管管状结构在电子发射端延伸出多个电子发射尖端。
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