公开(公告)号：CN1864278A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029062.X

申请日：2004-08-25

申请人： 密歇根州州立大学托管委员会

发明人： 默库里·卡纳特齐迪斯 ,  许桂芳

IPC分类号： H01L35/20 ,  H01L35/14

CPC分类号： H01L35/20 ,  H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/30

摘要： 一种通式为Ag1－xMmM’Q2+m的热电材料，其中M选自Pb、Sn、Ca、Sr、Ba、二价过渡金属和其组合；M’选自Bi、Sb和其组合；Q选自Se、Te、S、和其组合；8≤m≤24；且0.01≤x≤0.7。在本发明实施方案中，所述组合物显示n－型半导体特性。在优选实施方案中，x为 0.1－0.3，且m为10－18。可以通过将化学计量量的含有Ag、M、M’、和Q的初始材料添加到反应器中，加热所述初始材料到一定并保持一段时间以便足以熔融所述材料，并且以控制的冷却速率冷却反应产物，合成该组合物。

公开(公告)号：CN203967072U

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201420391490.8

申请日：2014-07-16

申请人： 佳霖科技股份有限公司

发明人： 姜崇义 ,  邱云贵

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L35/325 ,  G01K7/01 ,  H01L27/16 ,  H01L35/08 ,  H01L35/10 ,  H01L35/14 ,  H01L35/16

摘要： 本实用新型公开了一种用于温测组件的晶圆级封装结构，其包含晶圆盖体以及基板。晶圆盖体用红外线可穿透的材料所形成，晶圆盖体具有多个封装墙，并且多个封装墙在晶圆盖体形成多个第一凹槽。基板包含多个芯片区、多个焊接区以及多个接脚区，多个芯片区分别设置温测芯片且分别对应多个第一凹槽，多个焊接区与多个封装墙相对应地焊接，使得多个芯片区与多个第一凹槽分别形成多个真空密封空间，而多个接脚区被切割以形成多个温测组件封装件。