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公开(公告)号：CN112410631A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011177936.3
申请日：2020-10-28
申请人： 西安航空学院
IPC分类号： C22C23/00 , C22C1/02 , C22F1/06 , C30B28/06 , C30B28/08 , C30B29/52 , C30B11/00 , C30B13/20 , H01L35/20 , H01L35/34
摘要： 本发明涉及一种高效制单相Mg2(Si，Sn)基中温热电材料的方法，包括以下步骤：1)配料：按照合金原子比Mg∶Sn/Si＝2∶1进行配料，2)原始铸锭熔炼：在‑0.5MPa氩气气氛下，加热到1500℃，使混合均匀的Si和Sn颗粒在感应熔炼坩埚中融化；浇注所得的铸锭再重复熔炼2次得到原始铸锭；3)高温度梯度定向凝固：将原始铸锭转移至定向凝固装置的石墨管中采用向下抽拉石墨管的方式进行定向凝固，其中，熔区高度为15mm，加热温度为1200℃，温度梯度为160‑180K/cm，抽拉速度为1.0‑1.2μm/s；本方法工艺流程简单、成本低、制备效率高、制得的成品合金中各成分均匀、工艺耗时较短，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112310269A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011206645.2
申请日：2020-11-03
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
摘要： 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种兼具发电和制冷潜力的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料及其制备方法。其中，包括：A掺杂在Sb位：Mg3.2‑m‑qMmSb2‑x‑yBixAy，和A掺杂在Mg位：Mg3.2‑m‑y‑qMmAySb2‑xBix。本发明通过成分调控，提出了一类可以兼具发电和制冷潜力的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料。从热电性能结果可以看出，这类材料具有较高的热电优值，不仅能够满足温差发电的要求，其室温附近的热电性能也足以应对制冷的需要。本专利所提出的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料有助于推进此类化合物的实际应用。
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公开(公告)号：CN110473955A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810444716.9
申请日：2018-05-10
申请人： 中国科学院大连化学物理研究所
摘要： 本发明提供了钙钛矿型复合氧化物的一种新用途，即采用钙钛矿型复合氧化物作为光敏感材料来制作超宽带光热电探测器。本发明利用钙钛矿型复合氧化物的塞贝克效应和高温稳定性，可实现从紫外到远红外的电磁辐射探测。相比基于石墨烯、黑磷、二硫化钼等二维材料的光热电探测器，利用钙钛矿型复合氧化物制作的光热电探测器具有灵敏度高、光学损伤阈值高、结构简单、光敏面积大等优点，在超宽带、高功率光探测领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110061121A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910235437.6
申请日：2019-03-27
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种聚乙烯吡咯烷酮/银/碲化银三元柔性复合热电薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)取PVP与碲源加入乙二醇中溶解，通保护气体，再加入还原剂，油浴加热搅拌，离心洗涤分散，得到溶液A；(2)取银源溶于乙二醇中搅拌均匀，得到溶液B；(3)将溶液B滴加至溶液A中，搅拌反应，得到溶液C；(4)再将溶液C离心洗涤，得到PVP/Ag2Te纳米线并分散于无水乙醇中，超声分散，再采用真空抽滤法将PVP/Ag2Te纳米线抽滤到衬底上，真空干燥得到复合薄膜；(5)将复合薄膜热压处理，即得到由衬底支撑的PVP/Ag/Ag2Te柔性复合薄膜。与现有技术相比，本发明操作简单，可操作性较强，同时，制备样品具有较优的热电性能和柔性，可用于柔性可穿戴器件中。
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公开(公告)号：CN109534385A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811313940.0
申请日：2018-11-06
申请人： 武汉理工大学
摘要： 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种富纳孔硫化银及其快速制备方法，包括以下步骤：1)以高纯的银和硫粉末为原料，按化学计量比2:1称取适量原料，混合研磨均匀后冷压成块；2)组装得到的冷压块，用液压机进行高压合成，反应温度为200-600℃，压强为2-4GPa，保温时间为2-10分钟。本发明的有益效果包括：提供了一种富纳孔硫化银及的制备方法，银、硫粉末在高压条件下反应生成的硫化银颗粒表面出现大量分布均匀的纳米孔洞，样品热导率明显降低，性能稳定。该反应条件简单易于实现，高效可靠。
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公开(公告)号：CN108539001A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810461624.1
申请日：2018-05-15
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供一种与换热器一体化热电组件，包括由多个热电元件组成的热电单元组以及与冷源或热源接触的至少一个换热器；所述换热器的表面具有陶瓷电绝缘涂层以及形成在所述陶瓷电绝缘涂层上的金属层，所述热电元件的一端直接焊接在所述金属层的表面。
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公开(公告)号：CN104321889B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201380028161.5
申请日：2013-07-09
发明人： 泽孝雄
摘要： 根据实施方式，提供热电转换材料，其由下述组成式(1)表示，且包含具有MgAgAs型晶体结构的多晶体。在多晶体的至少一面上设有绝缘被膜。通式：(Aa1Tib1)xDyX100‑x‑y组成式(1)(上述组成式(1)中，0.2≤a1≤0.7，0.3≤b1≤0.8，a1+b1＝1，30≤x≤35，30≤y≤35，A为Zr、Hf的至少一种以上的元素，D为选自由Ni、Co及Fe构成的组的至少一种以上的元素，X为Sn及Sb的至少一种以上的元素)。
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公开(公告)号：CN105103316B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201480018506.3
申请日：2014-03-14
申请人： 富士胶片株式会社
CPC分类号： H01L35/24 , C08G61/12 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/11 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/1428 , C08G2261/148 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3244 , C08G2261/55 , H01L35/14 , H01L35/20 , H01L35/32
摘要： 本发明涉及热电转换元件(1)、使用了该热电转换元件(1)的热电发电用物品和传感器用电源，所述热电转换元件(1)在基材(12)上具有第1电极(13)、热电转换层(14)和第2电极(15)，该热电转换层(14)含有纳米导电性材料和低能带隙材料；以及涉及一种含有该纳米导电性材料和该低能带隙材料的热电转换材料。
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公开(公告)号：CN104835904A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510018510.6
申请日：2015-01-14
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： H01L35/18 , B22F3/105 , B22F3/14 , B22F5/00 , B22F7/02 , B22F2003/1051 , B22F2999/00 , C22C1/0458 , C22C33/0278 , H01L35/34 , B22F2202/13
摘要： 本发明抑制具有由包含填充方钴矿型的合金构成的热电转换层的热电元件的开裂。一种p型热电元件(2)，具备：p型热电转换层(21)，其由含锑的填充方钴矿结构的合金构成；p侧第1金属层(22)，其包含单质的钛以及单质的铁，且层叠在p型热电转换层(21)上；以及，p侧第2金属层(23)，其包含单质的钛，且层叠在p侧第1金属层(22)上。
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