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公开(公告)号：CN118168710A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211589023.1
申请日：2022-12-09
申请人： 盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 , 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及薄膜沉积领域，提供一种用于半导体处理设备的腔室的压力检测装置，通过在观察窗处的腔室的侧壁上开设有用于作为压力检测通道的微型通孔；将用于检测腔室压力的压力检测装置与压力检测通道相连接；其中，观察窗用于观察腔室，且开设在腔室的侧壁上；通过对观察窗和压力检测装置的同时安装，即可实现肉眼观察半导体处理设备的腔室内部的同时完成对腔室的压力检测；可以无需进一步对半导体处理设备的腔室的压力区域进行加工，仅需对已存在的观察窗进行进一步加工即可实现对半导体处理设备的腔室的压力检测，达到了降低对腔室均一性的影响的技术效果。
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公开(公告)号：CN117802575B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410224260.0
申请日：2024-02-29
申请人： 深圳市美格真空科技有限公司
摘要： 本发明涉及热处理设备技术领域，公开了一种沉积炉、生产设备及气相沉积制备方法。沉积炉包括反应仓、过渡仓和沉积仓，反应仓设置有第一腔，第一腔被配置为具有第一温度T1；过渡仓设置有第二腔，第二腔被配置为具有第二温度T2；沉积仓设置有第三腔，第三腔用于沉积结晶，第三腔被配置为具有第三温度T3；其中，第一腔、第二腔和第三腔依次连通，满足：T1＞T2＞T3。通过在反应仓和沉积仓之间设置有过渡仓，并通过控制温度差实现三温区设置，能够使得原料在反应仓内蒸发后，蒸气先经过过渡仓再到达沉积仓，使得随着蒸气运动的原料粉末留置在过渡仓内，降低原料粉末进入沉积仓内的几率，确保沉积仓内的结晶的纯度达标，确保产品良率。
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公开(公告)号：CN116162911B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202310163723.2
申请日：2023-02-24
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本发明提供调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法，包括：S1、准备基底；S2、在基底表面溅射镀薄膜；S3、测试薄膜电阻均匀性；S4、根据电阻分布图改变靶基距；S5、更换新基底，重复S2，测试薄膜电阻均匀性；S6、根据S3和S5得的电阻均匀性、目标电阻均匀性及S4靶基距的调节值计算出下一次靶基距调节值并调节；S7、重复S5，若测试电阻均匀性达到目标范围，则终止调节靶基距；若测试电阻均匀性无法达到目标范围，继续重复S6和S5，直至确认制备的薄膜电阻均匀达到目标范围，确定适合的靶基距。该方法简单易行，可在大规模生产薄膜材料前进行调试，在大规模生产时可大幅提高产品均匀性、良率和生产效率，降低难度和成本。
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公开(公告)号：CN113840944B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202080036724.5
申请日：2020-03-24
申请人： 艾克斯特朗欧洲公司
摘要： 本发明涉及一种用于加热CVD反应器(10)的基座的装置(1)，所述装置具有至少三个基本上相同尺寸的、围绕中心(Z)布置的加热面(2)。所述加热面(2)由在平面中在构成并排地延伸的边腿(4)的情况下蜿蜒地延伸的加热元件(3)构成。重要的是，所述边腿(4)具有边腿区段(5)，所述边腿区段平行于边界线(a、b、c)延伸，所述边界线沿着在径向上在加热面(2)之间延伸的边界延伸。这样构造的加热装置由圆弧形的第二加热装置包围。
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公开(公告)号：CN118147582A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410281572.5
申请日：2024-03-13
申请人： 湖畔光电科技(江苏)有限公司
摘要： 本发明公开了一种蒸发镀膜装置及蒸发镀膜系统，涉及蒸发镀膜技术领域，包括蒸发组件、探测组件及第一旋转机构；蒸发组件用于设置于工件下方，用于对镀膜材料进行加热蒸发；探测组件固定设置于蒸发组件上，探测组件用于探测镀膜材料的蒸发速率；第一旋转机构与蒸发组件连接，第一旋转机构用于驱动蒸发组件和探测组件同步绕一轴线相对于工件旋转。本发明提供的蒸发镀膜装置及蒸发镀膜系统，便于对蒸发镀膜过程进行控制，有助于提升镀膜效果。
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公开(公告)号：CN114921762B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202210548988.X
申请日：2022-05-20
申请人： 北京佳锐鸿科技发展有限责任公司
摘要： 本发明提供一种长细金属管内电弧合金粉末溅射冶金熔融镀膜方法，采用磁化电弧阴极中心送粉，在阳极通道内熔融喷射到溅射体棒材上，合金液滴经过电弧羽流的加速，达到1000‑1500m/s的纵向速度，撞击溅射靶材。靶材表面因电弧羽流加热处于熔融流体状态，高速液滴撞击靶材液态表面，形成合金液滴溅射，溅射出去的合金液滴在磁化高电子密度等离子体羽流中带负电，带负电的液滴在金属管道壁与溅射靶材锥体间的电场加速下，以2000m/s的径向速度飞向管道内壁，合金液滴撞击金属内壁基材，颗粒的动能转化成熔融基材表面面积Sσ、深度H表层的热能，溅射液滴与基材碰撞熔融，形成冶金熔融结合镀层，镀层抗拉伸强度优于600MPa。
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公开(公告)号：CN117615498B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311624391.X
申请日：2023-11-30
申请人： 江苏神州半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，提供了一种远程等离子源预激发点火电路及自适应点火方法，其中电路包括控制单元、PWM驱动单元、谐振变换器、点火电路、采样单元和继电器，控制单元用于控制PWM驱动单元输出脉冲信号；PWM驱动单元控制谐振变换器的输出电流；谐振变换器将PWM驱动单元输出的脉冲信号转换为交流源，并用于为点火电路提供输入交流源；点火电路用于产生高压点火信号，使等离子体负载高频振荡电离；采样单元用于采集点火电路的点火电流#imgabs0#，及谐振变换器的输出电压#imgabs1#和输出电流#imgabs2#；继电器由控制单元控制吸合或断开。通过对点火电压与电流的采样，实时判断远程等离子源腔体寿命，通过减少不必要的溅射，及消除生产过程中的点火故障来提高产量。
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公开(公告)号：CN114207178B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202080055752.1
申请日：2020-07-31
申请人： 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔
摘要： 一种用于在基材上产生硬涂层的方法，其中，所述硬涂层包括无氢非晶态碳涂层，其中，所述非晶态碳涂层利用阴极电弧放电沉积技术被沉积到所述基材上，其中，具有大于0V的，优选大于10V且小于1000V的绝对值的偏电压被施加至所述基材，并且其中，所述偏电压的绝对值在涂覆过程中被增大以获得第一结构和第二结构和沿涂层厚度的在所述第一和第二结构之间的梯度，其中，所述第一和第二结构包括sp2和sp3碳键，但在它们的相对浓度方面不同，其中，在所述涂覆过程中施以至少一次涂覆暂停以在所述涂覆暂停期间降低所述基材的温度。
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公开(公告)号：CN118119251A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410220450.5
申请日：2024-02-28
申请人： 无锡众能光储科技有限公司
发明人： 董庆顺
IPC分类号： H10K85/20 , H10K71/12 , H10K71/15 , H10K71/16 , H10K30/20 , C23C14/26 , C23C14/12 , C23C14/06 , C23C14/02 , C23C14/54
摘要： 本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域，公开了一种高结晶取向C60制备方法及高性能薄膜光伏，用于提高C60电子传输层电荷转移、减少钙钛矿/C60界面载流子复合以及制备高效率。利用含有大Π键共轭基团的平面有机分子作为C60定向生长的模板材料，能够在一定程度上促使C60薄膜具有更好的结晶取向，颗粒尺寸更大，从而提高电荷传输层提取、转移电子的能力，降低界面处电荷的积累。另一方面，将模板材料作为阻隔层，避免钙钛矿与C60的直接接触，从而减少缺陷的数量。这种使用多功能模板材料的方法对功能层以及功能层界面的优化具有一定的推动作用。
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公开(公告)号：CN118109793A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410489877.5
申请日：2024-04-23
申请人： 湖南沃尔博精密工具有限公司
摘要： 本发明公开了一种挤压丝锥涂层及其制备方法。所述挤压丝锥涂层包括从内向外依次包覆在挤压丝锥基体表面的氮离子注入层、TiN结合层、AlTiN梯度层和Ta‑C类金刚石层。所述氮离子注入层的厚度为0.01~0.03μm，TiN结合层的厚度为0.2~0.5μm，AlTiN梯度层的厚度为0.4~0.8μm，Ta‑C类金刚石层的厚度为0.1~0.3μm。所述制备方法包括步骤：1)挤压丝锥预处理；2）注入氮离子；3）沉积TiN结合层；4）沉积AlTiN梯度层；5）沉积Ta‑C类金刚石层。本发明提供的挤压丝锥涂层能有效改善挤压丝锥加工软金属材料工件螺纹烂牙、涂层剥落、冷焊等现象，提高工件合格率和挤压丝锥的寿命。
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