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公开(公告)号：CN110147217B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201810145916.4
申请日：2018-02-12
申请人： 北京忆芯科技有限公司
发明人： 古进
IPC分类号： G06F7/535
摘要： 本申请提供一种除法器。本申请的除法器用于计算N进制数除以N‑1的余数，被除数AxAx‑1A…A1A0是x+1位的N进制数，Ax到A0各自是1位N进制数，Ax是被除数的最高位，A0是被除数的最低位，Ak是与Ak‑1相邻的高位，其中1≤k≤x，N、x与k是非零自然数，包括x+1个除法单元，除法单元DIVj的被除数输入端的低位耦合到Aj，高位耦合到除法单元DIVj+1输出的余数Ej+1，除法单元DIVj的输出的商作为所述除法器的商Dj，除法单元DIVj的输出的余数Ej耦合到除法单元DIVj‑1的被除数的高位，其中j为自然数且1≤j≤x‑1。
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公开(公告)号：CN113805813B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111108924.X
申请日：2018-11-30
申请人： 北京忆芯科技有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请涉及存储技术，尤其涉及降低读命令处理延迟的方法与存储控制器，以减少存储设备缓存的容量，降低了成本，并且通过从NVM芯片读取数据的操作与从主机获取描述符表的操作被并发处理，从而降低了读命令的处理延迟。
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公开(公告)号：CN118331898A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410520086.4
申请日：2016-09-21
申请人： 北京忆芯科技有限公司
摘要： 提供了生成NVM芯片接口命令的方法及NVM控制器。公开的生成NVM芯片接口命令的方法，包括：获取微指令；译码微指令，识别出微指令是命令发射微指令；其中，命令发射微指令包括第一CMD图样字段和第二CMD图样字段；第一CMD图样字段和第二CMD图样字段分别用于指示NVM芯片的多个管脚上施加的控制信号值；依据第一CMD图样字段指示的控制管脚的内容，在NVM芯片对应的控制管脚上产生控制信号，并持续指定时间；依据第二CMD图样字段指示的控制管脚的内容，在NVM芯片对应的控制管脚上产生控制信号，并持续指定时间；依据第一CMD图样字段指示的控制管脚的内容，在NVM芯片对应的控制管脚上产生控制信号，并持续指定时间。
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公开(公告)号：CN118193053A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211591379.9
申请日：2022-12-12
申请人： 北京忆芯科技有限公司
IPC分类号： G06F9/30
摘要： 本申请公开一种NVMe命令处理的方法及相关产品，方法包括：命令传输单元响应于接收到主机发送的NVMe命令，解析并识别NVMe命令的指定字段是否包含指定标识信息，其中，指定标识信息用于指示NVMe命令具有非NVMe协议所定义的指定信息；将识别包含指定标识信息的NVMe命令拆分为一个或多个第一子命令，将一个或多个第一子命令发送给第一数据通路，其中，第一数据通路为数据处理系统中不同于处理NVMe命令的第二数据通路；第一数据通路将一个或多个第一子命令转发给与其耦合的第一子命令处理单元处理。
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公开(公告)号：CN118192321A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211636970.1
申请日：2022-12-14
申请人： 北京忆芯科技有限公司
发明人： 张恩东
IPC分类号： G05B19/042
摘要： 本申请实施例提供了一种设备控制方法和设备，涉及电子信息技术领域。本申请实施例所提供的设备包括使能电路，使能电路输出的使能信号用于开启或者关闭设备的指定功能。所提供的设备控制方法包括：控制使能电路工作时输出的使能信号状态，来操作设备的指定功能至少一次开启或者关闭。该设备控制方法通过多次改变设备内的使能电路工作时输出的使能信号的状态，来多次开启或关闭该使能信号对应的指定功能，提高了设备的利用率和价值。
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公开(公告)号：CN117829089A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211179750.0
申请日：2022-09-27
申请人： 北京忆芯科技有限公司
发明人： 陈绕所
IPC分类号： G06F30/398 , G06F113/18
摘要： 本申请提供一种倒装芯片键合点检查方法及电子设备，包括：获取倒装芯片的设计版图GDS文件，所述GDS文件中包含键合点信息和互联孔信息；提取所述GDS文件中键合点信息和互联孔信息；根据预设的工艺设计规则对所提取的键合点以及互联孔的关系进行检查，若存在键合点与互联孔的关系不符合所述工艺设计规则，则对不符合所述工艺设计规则的键合点和互联孔进行标记，以使得基于所述标记对不符合所述工艺设计规则的键合点和互联孔进行调整。通过以上方法，可以进行快速检查和调整，保障倒装芯片快速完成流片。
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公开(公告)号：CN117707432A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311808621.8
申请日：2023-12-26
申请人： 北京忆芯科技有限公司
发明人： 卓训涛
摘要： 本申请涉及实现NVMe协议的功耗状态的方法及存储设备。存储设备包括控制部件、NVM芯片、存储器以及功耗管理单元，该方法包括：响应于收到主机发送的满足NVMe协议的管理命令或者自主发起进入指定功耗等级，管理命令指示NVMe协议所定义的功耗等级，指定功耗等级为NVMe协议所定义的功耗等级；根据管理命令或者指定功耗等级，对功耗管理单元、NVM芯片、存储器以及控制部件实施正常供电、时钟门控或者断电中的一种或多种操作，以使存储设备进入管理命令指示的功耗等级。
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公开(公告)号：CN117555598A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311576115.0
申请日：2016-09-28
申请人： 北京忆芯科技有限公司
发明人： 王祎磊
IPC分类号： G06F9/30
摘要： 本发明公开了一种调度方法与装置。所公开的调度方法包括：根据要指示操作资源以及寄存器所属优先级从寄存器组中选择具有第一值的第一寄存器；其中第一寄存器对应第一待处理事件；调度同第一寄存器对应的第一线程对第一待处理事件进行处理；响应于第一待处理事件处理完成，将寄存器组中对应于第一待处理事件的寄存器修改为第二值，以指示第一待处理事件处理完成；其中，寄存器组包括多个寄存器，每个具有第一值的寄存器对应一个待处理事件，寄存器组中的寄存器组织为行与列，相同列用于指示操作相同资源的线程，相同行的寄存器属于相同的优先级组。
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公开(公告)号：CN117251107A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310774507.1
申请日：2023-06-27
申请人： 北京忆芯科技有限公司
发明人： 贾舒
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请提供一种降低页条带写操作性能波动的方法，该方法包括：响应于要向第一页条带的每个第一物理页写入指定数据，生成成对的P1操作和R操作，P1操作指示将存储器中的指定数据搬移到NVM芯片，R操作指示对存储器中的指定数据执行XOR计算，并在第一页条带对应的第一XOR缓存中保留计算结果；第一页条带包括第二物理页与多个第一物理页；响应于要向第一页条带的第二物理页写入数据，生成P2操作，P2操作指示将第一XOR缓存中的校验数据写入第一页条带的第二物理页。本申请可基于三个相互独立的操作将存储器中的指定数据和对应的校验数据写入NVM芯片，且可及时释放XOR缓存，实现减少对XOR缓存的占用，提高利用效率。
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公开(公告)号：CN117251103A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202211733483.7
申请日：2022-12-30
申请人： 北京忆芯科技有限公司
IPC分类号： G06F3/06 , G06F11/14 , G06F1/3287
摘要： 本申请提供低延迟进入深度低功耗状态的存储设备及其方法。所提供的方法包括：在存储设备准备进入存储设备的第二功耗状态之前，将控制部件的第一固件备份到NVM芯片，将引导加载程序备份到第二存储器；以及响应于存储设备准备进入存储设备的第二功耗状态，与主机协商使物理链路进入第二功耗状态，其中，在物理链路的第二功耗状态下，第一供电端口下电，第二供电端口上电；获取存储设备从第二功耗状态进入第一功耗状态所需的唤醒数据，将唤醒数据存储到第二存储器中，所述唤醒数据包括所述控制部件的现场数据。
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