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公开(公告)号：CN115490511A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211126861.5
申请日：2022-09-16
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63 , C03C3/068 , C04B33/32
Abstract: 本发明属于低温共烧材料技术领域，公开了一种近零温度系数的低温共烧材料及其制备方法。包括CSSLT(微波介质陶瓷)和BLSMZ玻璃；CSSLT的化学通式为Ca1‑xSrx[(Sn0.5La0.5)yTi1‑y]O3，其中0＜x＜0.2，0＜y＜0.3；所述BLSMZ玻璃的组成为aB2O3‑bLa2O3‑cSiO2‑dMgO‑eZnO，其中a＝10～30moL％、b＝0～10moL％、c＝30～40moL％、d＝30～40moL％、e＝20～30moL％，且a+b+c+d+e＝100moL％。是一种介电常数在70‑90，介电损耗低于1×10‑3(10GHz)，成本低，且易于大批量生产，该低温共烧材料可用于制备电容器。
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公开(公告)号：CN115478313A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211136216.1
申请日：2022-09-19
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
Abstract: 本发明属于电镀技术领域，公开了一种电镀装置。包括电镀槽；电镀槽内部的两面上分别设置若干个阳极板；电镀槽顶部上方设置U型阳极杆；若干个阳极板通过若干个导电定位销与阳极杆连接；阳极杆通过阳极线与整流器的阳极连接；电镀槽两面顶部分别安设支架；两个支架上设有摇摆轴，摇摆轴的一端的末端通过连杆、轴承B、减速器与伺服电机连接；摇摆轴下方设置吊杆，吊杆通过两端的挂钩与镀兜连接；镀兜内设有若干个介质导电球，整流器的阴极通过阴极导线与阴极导电球连接，阴极导线底部设置阴极导电球，阴极导电球埋入若干个介质导电球中设置。该电镀装置降低生产成本、可批量生产，实用性好。
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公开(公告)号：CN111958482A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010974977.9
申请日：2020-09-16
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
Abstract: 一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺，属于单层陶瓷电容器制造领域。技术方案：采用一次性树脂游轮工装对产品进行预处理，使基片从0受力到全面受力均匀逐步进行，将烧结后基片表面的杂质、凹坑、凸起去除，使产品平整厚度一致；正面减薄：采用减薄机与专用吸真空工装匹配对基片正面进行减薄；正面研磨：通过专用吸真空工装匹配，采用单面研磨机对基片正面进行研磨；正面抛光：通过专用吸真空工装匹配，采用单面抛光机对基片正面进行抛光；同理进行反面减薄、研磨、抛光。有益效果：本发明解决了现有工艺的极限厚度、精度、碎片率、外观不良等问题，完全可以满足100um厚度电容器所需基片要求，实现了超薄单层陶瓷电容器的制造。
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公开(公告)号：CN112309720B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011325285.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种多层片式瓷介电容器，涉及电容器技术领域，本发明实施例提供的多层片式瓷介电容器，通过合理布置第一至第五内电极，并且使得第一电容部件、第二电容部件、第三电容部件以及第四电容部件的串联形成电容，且电容量相同，根据电容器分压原理，当串联的每个小电容器承受的电压为U0，则整个电容器能够承受的电压为4U0。因此本发明提供的多层片式瓷介电容器串联结构电容器能够承受更高的直流和射频电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115032217A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210429610.8
申请日：2022-04-22
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
IPC: G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 一种MLCC印刷电极烧结后电极面积的测量方法，包括如下步骤：S1、在不破坏电极层的前提下，把产品多余的陶瓷部分研磨去除，电源的负极接触产品的电极层，电源的正极接触溶液；S2、剥离后使用纯水洗干净；S3、干燥后用SEM电镜扫描成图像；S4、用PS软件进行二值化处理测量或者其他软件计算剥离电极层的占空比。所述步骤S1中，所述电源使用直流电源，所述电源的负极接触产品的双电极，所述电源的正极接触溶液，所述电源使用小功率电压进行剥离，剥离时长视产品尺寸而定。本发明可以直接进行有限电极面积的测量，并不是通过估算的方法，避免估算的影响导致产品导入及调整时产生偏差，造成巨大损失。
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公开(公告)号：CN115490511B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211126861.5
申请日：2022-09-16
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63 , C03C3/068 , C04B33/32
Abstract: 本发明属于低温共烧材料技术领域，公开了一种近零温度系数的低温共烧材料及其制备方法。包括CSSLT(微波介质陶瓷)和BLSMZ玻璃；CSSLT的化学通式为Ca1‑xSrx[(Sn0.5La0.5)yTi1‑y]O3，其中0＜x＜0.2，0＜y＜0.3；所述BLSMZ玻璃的组成为aB2O3‑bLa2O3‑cSiO2‑dMgO‑eZnO，其中a＝10～30moL％、b＝0～10moL％、c＝30～40moL％、d＝30～40moL％、e＝20～30moL％，且a+b+c+d+e＝100moL％。是一种介电常数在70‑90，介电损耗低于1×10‑3(10GHz)，成本低，且易于大批量生产，该低温共烧材料可用于制备电容器。
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公开(公告)号：CN114823133A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210446437.2
申请日：2022-04-26
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
Abstract: 一种应用于片式印刷的防错方法：包括如下步骤：S1、印刷电极片；S2、冲孔、裁剪；分别在第一扉页和第二扉页上冲孔形成4个圆形冲孔区域，第一扉页上的2个圆形冲孔区域保持不变，第二扉页上的1个圆形冲孔区域进行移动至切割线处，使切割线将上述的1个圆形冲孔区域中的一个圆形冲孔区域分离形成2个半圆冲孔区域，删除第一张电极片和最后一张电极片；S3、将裁切后的电极片收集到收纳盒，检查电极片是否颠倒；S4、叠层工序给叠膜机上料的时候检查电极片是否颠倒；S5、通过手动或者自动叠膜机完成叠膜工序形成最终合格产品。本发明不用每片翻检，直接整摞就能看出其中是否有放反的电极片，且容易找出是哪一片放反。
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公开(公告)号：CN112309720A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011325285.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种多层片式瓷介电容器，涉及电容器技术领域，本发明实施例提供的多层片式瓷介电容器，通过合理布置第一至第五内电极，并且使得第一电容部件、第二电容部件、第三电容部件以及第四电容部件的串联形成电容，且电容量相同，根据电容器分压原理，当串联的每个小电容器承受的电压为U0，则整个电容器能够承受的电压为4U0。因此本发明提供的多层片式瓷介电容器串联结构电容器能够承受更高的直流和射频电压。
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公开(公告)号：CN112259377A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010975030.X
申请日：2020-09-16
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
Abstract: 一种解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺，属于单层陶瓷电容器制造领域。方案如下：采用磁控溅射加工工艺，在瓷片表面形成一组导电且具有结合力的多层金属层；在产品表面均匀涂一层胶层做保护；使用掩膜板进行图形曝光，使切割道区域受光，发生化学反应；受光位置在显影液里发生化学反应，使其脱落，形成图形；在没有受光位置的基片表面进行电镀金，使其厚度达到2.5um以上；去掉切割道表层的保护胶；用刀片进行切割加工，整个切割道是在刀片路径内。有益效果：本发明通过更改工艺路线，增加光刻工艺，产生的毛刺极小，完全可以被接受，不影响产品性能，满足行业里对毛刺得控制标准，不影响产品电性能，极大地提升了SG产品的合格率。
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