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公开(公告)号:CN115490511B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202211126861.5
申请日:2022-09-16
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63 , C03C3/068 , C04B33/32
Abstract: 本发明属于低温共烧材料技术领域,公开了一种近零温度系数的低温共烧材料及其制备方法。包括CSSLT(微波介质陶瓷)和BLSMZ玻璃;CSSLT的化学通式为Ca1‑xSrx[(Sn0.5La0.5)yTi1‑y]O3,其中0<x<0.2,0<y<0.3;所述BLSMZ玻璃的组成为aB2O3‑bLa2O3‑cSiO2‑dMgO‑eZnO,其中a=10~30moL%、b=0~10moL%、c=30~40moL%、d=30~40moL%、e=20~30moL%,且a+b+c+d+e=100moL%。是一种介电常数在70‑90,介电损耗低于1×10‑3(10GHz),成本低,且易于大批量生产,该低温共烧材料可用于制备电容器。
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公开(公告)号:CN115490511A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202211126861.5
申请日:2022-09-16
Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63 , C03C3/068 , C04B33/32
Abstract: 本发明属于低温共烧材料技术领域,公开了一种近零温度系数的低温共烧材料及其制备方法。包括CSSLT(微波介质陶瓷)和BLSMZ玻璃;CSSLT的化学通式为Ca1‑xSrx[(Sn0.5La0.5)yTi1‑y]O3,其中0<x<0.2,0<y<0.3;所述BLSMZ玻璃的组成为aB2O3‑bLa2O3‑cSiO2‑dMgO‑eZnO,其中a=10~30moL%、b=0~10moL%、c=30~40moL%、d=30~40moL%、e=20~30moL%,且a+b+c+d+e=100moL%。是一种介电常数在70‑90,介电损耗低于1×10‑3(10GHz),成本低,且易于大批量生产,该低温共烧材料可用于制备电容器。
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