一种键合丝拉丝穿模装置

    公开(公告)号:CN113333489A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110671851.9

    申请日:2021-06-17

    发明人: 周志强 崔成强

    IPC分类号: B21C1/02 B21C1/14 B21C3/06

    摘要: 本发明适用于键合丝技术领域,提供了一种键合丝拉丝穿模装置,包括箱体和模具外壳,还包括:磁致伸缩夹具,设于箱体内,用于对键合丝的线径进行首次调节;第一夹具,设于箱体内,用于对键合丝的线径进行二次调节以及进行穿模;第二夹具,设于箱体内,用于配合第一夹具对键合丝的线径进行二次调节。本发明使得在键合丝拉丝工序穿模过程的繁琐性大大降低,节省了穿模时间,提高了工作效率,生产效率得到提高。

    一种散热型拉丝模具
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110394368B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201910787809.6

    申请日:2019-08-26

    IPC分类号: B21C3/02

    摘要: 本发明公开了一种散热型拉丝模具,涉及键合丝制造技术领域,解决了现有技术中拉丝模具温度过高造成模具损坏从而影响键合丝质量的问题,其技术要点是:包括外层模具和芯层模具,芯层模具固定连接在外层模具的中心,外层模具上设有起到散热作用的散热材料,散热材料镶嵌在外层模具的内部,且散热材料与芯层模具相连;本发明在内芯金刚石外围以及不锈钢外壳中沉积石墨烯,石墨烯的导热性极好,能将拉丝中心区域的热量快速导出,降低中区域温度,防止中心区域温度过高,拉丝油出现碳化现象,保证键合丝的表面质量,相对于现有技术中拉丝模具,本发明散热性能良好,键合丝质量较高。

    一种高纯度微合金铜合金电子材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111057930A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911426380.4

    申请日:2019-12-25

    发明人: 田鹏

    摘要: 一种高纯度微合金铜合金电子材料,涉及铜合金电子材料技术领域,以重量计,包括以下原料:镁3~9份、银1~5份、铜20~30份、金1~5份、氧化钛2~6份、三氧化二铝10~14份、钴2~6份、钼1~3份、铱1~3份、硅2~6份;本发明的有益效果是在原料中加入了硅和钼,从而使电子材料的耐腐蚀效果更好,其次,本发明的电子材料具有良好的结构强度和导电性能,另外,本发明的电子材料具备良好的延展性,值得推广和使用。

    一种键合丝模具清洗装置

    公开(公告)号:CN110238124A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910680010.7

    申请日:2019-07-26

    IPC分类号: B08B3/12 B08B1/00 B21C3/02

    摘要: 本发明公开了一种键合丝模具清洗装置,属于键合丝加工技术领域,解决了现有清洗装置对键合丝导轮中心位置清洗效率低下的问题;其技术特征是:包括清洗缸,所述清洗缸的内部设有用于清洗导轮的清洗组件,所述清洗缸的底部开设有用于换水的换水接口,换水接口内安装有电磁阀;本发明无需拆卸导轮,且厚度较小,直接将装置靠近导轮,保证导轮与滚轮良好接触,转动导轮,通过超声产生的水柱便可深入清洁导轮凹槽内部。

    钝化液、提高金属材料键合性能的方法、键合丝、应用

    公开(公告)号:CN113026009A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110331270.0

    申请日:2021-03-29

    摘要: 本发明实施例涉及半导体封装技术领域,具体公开了一种钝化液、提高金属材料键合性能的方法、键合丝、应用,所述钝化液通过以导电盐、含铬化合物、强碱、含钯化合物等作为原料而制得。而提供的钝化液的制备方法简单,制备的钝化液可用于制备键合性能优异的键合丝,而且可以在提高键合丝抗硫化性能的同时保证良好键合性能,成本低廉,解决了现有银键合丝产品存在无法在提高抗硫化性能的同时保证良好键合性能的问题,在集成电路等电子元器件封装领域具有广阔的应用前景。

    一种键合丝阴极钝化保护处理工艺

    公开(公告)号:CN110219029A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910535474.9

    申请日:2019-06-20

    摘要: 本发明涉及键合丝生产技术领域,具体公开了一种键合丝阴极钝化保护处理工艺,所述键合丝阴极钝化保护处理工艺包括以下步骤:对键合丝原料芯进行原丝拉制、对拉制后的键合丝原丝进行退火、对退火后的键合丝原丝使用三价铬阴极钝化溶液钝化、对使用三价铬阴极钝化溶液钝化后的键合丝原丝在清洗箱内使用去离子水进行清洗、对清洗后的键合丝原丝在干燥箱内进行烘干以及对烘干后的键合丝原丝通过收线轮进行复绕与包装;所述的键合丝阴极钝化保护处理工艺能够提供平整的钝化层,在外加电流控制下,通过电化学的转变促使形成一层稳定且光滑的纳米级固相膜覆盖于金属基体表面。

    一种键合丝拉丝穿模装置

    公开(公告)号:CN113333489B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202110671851.9

    申请日:2021-06-17

    发明人: 周志强 崔成强

    IPC分类号: B21C1/02 B21C1/14 B21C3/06

    摘要: 本发明适用于键合丝技术领域,提供了一种键合丝拉丝穿模装置,包括箱体和模具外壳,还包括:磁致伸缩夹具,设于箱体内,用于对键合丝的线径进行首次调节;第一夹具,设于箱体内,用于对键合丝的线径进行二次调节以及进行穿模;第二夹具,设于箱体内,用于配合第一夹具对键合丝的线径进行二次调节。本发明使得在键合丝拉丝工序穿模过程的繁琐性大大降低,节省了穿模时间,提高了工作效率,生产效率得到提高。

    一种键合焊点的保护方法

    公开(公告)号:CN110349872A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910667117.8

    申请日:2019-07-23

    IPC分类号: H01L21/60

    摘要: 本发明涉及引线键合技术领域,具体公开了一种键合焊点的保护方法,包括以下步骤:在键合过程中,独立设置喷嘴,所述喷嘴与瓷嘴同时进行运动控制,所述喷嘴设置一个,喷嘴的排列形状为单一圆形;烧球后瓷嘴键合第一焊点,当焊接完一列后,瓷嘴升起,喷嘴向每列焊点整体喷射保护流体,所述喷嘴开始工作时间滞后于瓷嘴键合时间;瓷嘴键合第二焊点,当焊接完一列后,瓷嘴升起,喷嘴向每列焊点喷射保护流体,在机台本身温度下进行固化,对焊点进行保护。本发明利用喷嘴和瓷嘴之间的时间差,在瓷嘴完成第一焊点和第二焊点的键合打线后,喷嘴开始向第一焊点和第二焊点喷射保护流体,以达到对第一焊点和第二焊点的有效保护。

    一种芯片焊线后模块表面一体式保护方法

    公开(公告)号:CN110299293A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910673963.0

    申请日:2019-07-25

    IPC分类号: H01L21/60 H01L21/56

    摘要: 本发明公开了一种芯片焊线后模块表面一体式保护方法,涉及集成电路焊接技术领域,解决了书现有技术中键合丝焊接后表面保护层失效的问题,其技术要点是:包括以下步骤:S1、将芯片框架安装在焊机上,安装好键合丝;S2、在焊机上安装喷嘴,喷嘴连通存储有保护性材料的喷射装置,然后启动焊机;S3、通过喷嘴将保护性材料喷到芯片的表面;S4、待芯片表面的保护性材料冷却后,拆下芯片框架,完成焊接保护;本发明通过对焊接后的芯片喷涂保护性材料,用于保护键合丝焊接点,使得焊接点不会暴露下空气中,相对于传统的芯片焊接工艺,本发明可以提高集成电路表面互连线路的防腐蚀能力,延长器件使用寿命。

    一种键合丝打线后焊点的保护方法

    公开(公告)号:CN110164785A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910496262.4

    申请日:2019-06-10

    IPC分类号: H01L21/60

    摘要: 本发明涉及半导体芯片封装技术领域,具体是一种键合丝打线后焊点的保护方法,包括以下步骤:步骤一:在焊线瓷嘴周围设置喷嘴,所述喷嘴与瓷嘴同时进行运动控制或独立设置运动机构进行控制;步骤二:烧球之后键合第一焊点,待瓷嘴升起,喷嘴开始向第一焊点喷射含有保护材料的流体,所述喷嘴开始工作时间滞后于瓷嘴键合时间;步骤三:瓷嘴键合第二焊点,待瓷嘴升起,喷嘴开始朝第二焊点喷射含有保护材料的流体,完成保护。该键合丝打线后焊点的保护方法通过形成一层保护层均匀包裹在第一焊点和第二焊点的表面,隔绝焊点与外部氛围,腐蚀性气体或液体无法与焊点接触进行腐蚀,以达到对第一焊点和第二焊点的有效保护。