一种太阳电池及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118448481A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410907733.7

    申请日:2024-07-08

    发明人: 陈鹏 李晓强

    摘要: 本发明公开了一种太阳电池,涉及太阳电池领域,所述太阳电池包括多条副栅线,多条所述副栅线间隔设置,至少一条所述副栅线包括多条连接导线和多个导电节点,多个所述导电节点沿所述副栅线长度方向间隔设置,任意两个相邻的导电节点之间连接所述连接导线,所述导电节点的宽度大于所述连接导线的宽度,所述导电节点的长度小于所述连接导线的长度。本发明还公开了一种太阳电池的制备方法。

    掺镓直拉单晶硅的生长方法、掺镓单晶硅及应用

    公开(公告)号:CN112831828B

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110017582.4

    申请日:2021-01-07

    发明人: 陈鹏 李晓强

    摘要: 本发明公开了掺镓直拉单晶硅的生长方法、掺镓单晶硅及应用,涉及单晶硅技术领域。该生长方法通过将多晶硅原料和镓掺杂剂加热至硅熔体后,利用切氏直拉单晶法生长硅晶体,在硅晶体的生长阶段通入气态的磷掺杂剂或砷掺杂剂作为施主掺杂剂。发明人创造性地引入气态的施主掺杂剂,能够将凝固比显著增加,在相同质量的硅熔体中可以生长出更大质量的硅晶体,从而较明显地提就高了晶体的生产效率。由上述方法制备得到的掺镓单晶硅电阻率分布更窄,制备成本低,可以在太阳电池中得到应用。

    用于形成太阳电池背结构的化学助剂、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113502163A

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN202111058843.3

    申请日:2021-09-10

    发明人: 陈鹏 李晓强

    摘要: 本发明公开了用于形成太阳电池背结构的化学助剂、其制备方法及应用,涉及太阳能电池制造技术领域。化学助剂的原料包括第一组分0.5‑10份、第二组分0.5‑10份和第三组分0.01‑1份;第一组分为水溶性多糖类胶体;第二组分为强极性的水溶性高分子聚合物;第三组分为醇醚类表面活性剂。通过改进碱性腐蚀所采用的化学助剂,利用第一组分、第二组分和第三组分的配合,使腐蚀之后的硅片背结构呈现出介于金字塔状绒面和平整表面的一种新型背表面结构,以兼顾光吸收、隧穿氧化层钝化以及金属化等性能对表面结构的特殊要求。

    一种单晶硅的生长方法及单晶硅

    公开(公告)号:CN112680787A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202110287392.4

    申请日:2021-03-17

    发明人: 陈鹏 李晓强

    IPC分类号: C30B15/04 C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种单晶硅的生长方法及单晶硅,涉及单晶硅技术领域。单晶硅的生长方法,包括:将设定量的多晶硅原料和掺杂剂置于生长容器中采用提拉法进行晶体生长,并在收尾阶段末期继续生长一个待测晶体,通过测试待测晶体的电阻率计算在生长容器的余料中掺杂剂的浓度,进而根据余料中掺杂剂的浓度计算掺杂剂的补充量,以将掺杂剂的浓度补充至设定值进行下一晶体的生长。能够更精确地测试余料中掺杂剂的浓度,达到精确控制下一晶体生长前生长容器中掺杂剂的浓度,使晶体的电阻率能够更精确地进行控制,一定程度上防止晶体电阻率偏离目标值,提升产品合格率。

    一种太阳电池性能提升工艺生产线

    公开(公告)号:CN111584681A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010391289.X

    申请日:2020-05-11

    发明人: 陈鹏 李晓强 张品

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本发明涉及一种太阳电池性能提升工艺生产线,包括:承载盒,用于叠放太阳电池,构成太阳电池堆叠;传动机构,用于传动承载盒,以输送太阳电池堆叠;工栈群,包括沿太阳电池堆叠的输送方向依次设置的N个工艺栈和M个冷却栈,N为大于1的整数,M为正整数;工艺栈设有温度控制装置和电极组件,温度控制装置用于对太阳电池堆叠提供热场,电极组件用于对太阳电池堆叠施加直流偏压;冷却栈设有冷却装置,用于对太阳电池堆叠冷却降温。本发明的工艺栈集成温度控制装置,实现太阳电池堆叠的温度保持在±10℃以内、甚至±5℃以内,保证太阳电池的工艺一致性,从而有利于电学性能一致性;且易于与太阳电池生产线前后工段连接匹配,实现流水线生产。

    一种对硅片进行吸杂的方法及硅片

    公开(公告)号:CN118712059A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202411178863.8

    申请日:2024-08-27

    IPC分类号: H01L21/322

    摘要: 本发明公开了一种对硅片进行吸杂的方法及硅片,涉及硅片制造领域,所述方法包括:对初始硅片的表面进行腐蚀处理,得到具有表面微结构的第一硅片;所述第一硅片的比表面积为10m2/g~500m2/g;在所述第一硅片的表面覆盖磷源,所述磷源为含磷化合物;将表面覆盖磷源的所述第一硅片加热到设定温度并保持设定时间,以使得所述磷源与所述第一硅片反应,并在所述第一硅片的表面形成磷吸杂层;清除加热处理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸杂层,得到吸杂硅片。本发明具有降低硅片的金属杂质含量的优点。

    一种高纯石英砂及其制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118702115A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410967941.6

    申请日:2024-07-18

    发明人: 陈鹏 李晓强

    IPC分类号: C01B33/193 C01B33/12

    摘要: 本发明公开了一种高纯石英砂及其制备方法,涉及高纯石英砂制备领域,所述制备方法包括:将超纯酸加入精制硅酸盐水溶液中,调节所述精制硅酸盐水溶液的pH值至0~3,并进行剪切分散,得到硅酸颗粒直径为10nm~50nm的第一硅酸溶胶;其中,所述精制硅酸盐水溶液的浓度为0.1mol/L~1mol/L;所述超纯酸的金属杂质总含量小于1ug/g;在所述第一硅酸溶胶中加入碱性溶液,将所述硅酸溶胶的pH值调节至4~7,并进行剪切分散,得到硅酸颗粒直径为100nm~300nm的第二硅酸溶胶;过滤出所述第二硅酸溶胶中的直径为100nm~300nm的硅酸颗粒,得到硅酸沉淀;对所述硅酸沉淀进行脱水、粉碎、煅烧、以及破碎处理,得到高纯石英砂。本发明具有原料成本低、产物金属杂质含量低的优点。

    一种降低接触电阻的方法及组件

    公开(公告)号:CN115602721B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202211568343.9

    申请日:2022-12-08

    发明人: 李晓强 陈鹏

    摘要: 本发明公开了一种降低接触电阻的方法及组件,用于降低半导体器件的金属‑半导体界面的接触电阻,所述半导体器件还包括至少一组电极,所述电极分别连接于所述半导体器件的金属端和半导体端,所述方法包括:获取所述半导体器件的工艺参数,其中,所述工艺参数包括材料参数和结构参数;根据所述工艺参数获取电流脉冲控制参数,所述电流脉冲控制参数包括目标电流脉冲的脉冲电流强度、脉冲宽度和脉冲数量;控制脉冲电源按照所述电流脉冲控制参数向所述电极施加所述目标电流脉冲,使电流脉冲穿越所述金属‑半导体界面,实现界面微区瞬态达到目标温度。本发明通过简单工艺处理的方式,能够有效降低金属‑半导体界面的接触电阻。