公开(公告)号：CN113196461B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN201980082744.3

申请日：2019-12-19

申请人： 索泰克公司

发明人： K·扬·皮尔 ,  克里斯泰勒·维蒂佐

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322

摘要： 本发明涉及一种用于射频应用的绝缘体上半导体衬底(1)，其包括：‑硅载体衬底(2)，‑布置在所述载体衬底上的电绝缘层(3)，‑布置在所述电绝缘层上的单晶层(4)，所述衬底(1)的主要特征在于，其还包括布置在所述载体衬底(2)和所述电绝缘层(3)之间的碳化硅SiC层(5)，该层的厚度为1nm至5nm，所述碳化硅SiC层的在所述电绝缘层(3)一侧的表面(6)是粗糙的。

公开(公告)号：CN118830056A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380024850.2

申请日：2023-02-15

申请人： 硅电子股份公司

发明人： B·墨菲 ,  S·B·塔帕

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/265

摘要： 一种制造用于在其上构建III‑V族器件的衬底晶圆的方法，该方法包括提供硅单晶晶圆；在硅单晶晶圆的顶部表面下方形成吸除区域；形成表示衬底晶圆的顶部部分的富氮钝化层。

公开(公告)号：CN118715607A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022281.8

申请日：2023-01-12

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 库阿西·塞巴斯蒂安·库阿西 ,  锡南·格克泰佩利

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L27/12

摘要： 提出了在硅衬底中同时生成掩埋氧化物(BOX)层和富陷阱层的方法。根据一个方面，将氧注入硅衬底中例如以根据在BOX层的目标深度处具有峰的浓度轮廓形成氧浓度区域。根据另一方面，浓度轮廓包括比后缘轮廓短的前缘轮廓。根据另一方面，退火衬底以形成BOX层和紧接在BOX层之下的受损层，该受损层具有富陷阱层的功能。

公开(公告)号：CN118398486A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410329723.X

申请日：2024-03-22

申请人： 北京伽略电子股份有限公司

发明人： 毛洪卫 ,  赵显西 ,  勇智强

IPC分类号： H01L21/322

摘要： 本发明提出了一种高可靠低冗余修调电路、芯片及修调方法，本发明通过移位寄存器、译码器和只读存储器Mask ROM即能够实现对整个芯片上的修调参数进行调整，所以本发明能够有效减小芯片面积，并提高产品良率，降低产品成本。

公开(公告)号：CN118369758A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202380015503.3

申请日：2023-07-06

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 洼内源宜 ,  下沢慎 ,  吉村尚

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

摘要： 提供一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板的上方形成具有接触孔的层间绝缘膜的步骤；在所述半导体基板的上表面以及所述层间绝缘膜的侧壁形成包含预先确定的第一金属的初始金属膜的步骤；在所述半导体基板的上表面形成包含所述第一金属的第一合金层的步骤；在所述层间绝缘膜的侧壁形成包含所述第一金属的第一阻挡金属部的步骤；对所述初始金属膜和所述第一阻挡金属部中的至少一者进行蚀刻的步骤；在所述第一合金层的上表面形成氧化物层的步骤；对所述氧化物层进行蚀刻的步骤；在所述第一合金层的上方形成导电性的第二阻挡金属部的步骤；以及在所述第二阻挡金属部的上方形成插塞层的步骤。

公开(公告)号：CN112055887B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201980028305.4

申请日：2019-11-14

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 阿形泰典 ,  田村隆博 ,  安喰彻

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种具备半导体基板的半导体装置，半导体基板具有含有氢的含氢区域，含氢区域在至少一部分区域含有氦，含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，在各氢浓度谷部中，氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上。在至少一个氢浓度谷部中，氢化学浓度可以是氦化学浓度以上。

公开(公告)号：CN113517191B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202110382386.7

申请日：2021-04-09

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 鸟越和尚 ,  小野敏昭 ,  川口隼矢

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/06 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

摘要： 本发明涉及硅晶片及其制造方法。具有氧沉淀层的硅晶片和制造硅晶片的方法，其中晶片呈现的稳健性的特征在于具有在0.74至1.02之间的由第一处理产生的氧沉淀的第一平均密度与由第二处理产生的第二平均密度之比，其中第一处理包括在大约1150℃下加热晶片或晶片的一部分达大约2分钟且之后在大约950至1000℃之间加热晶片或晶片的一部分达大约16小时，并且第二处理包括在大约780℃下加热晶片或晶片的一部分达大约3小时且之后在大约950至1000℃之间加热晶片或晶片的一部分达大约16小时。晶片呈现迄今无法达到的均匀性，其中从晶片的BMD层中的任意一立方厘米确定的氧沉淀密度与从晶片的BMD层中的任意另一立方厘米确定的另一氧沉淀密度之比在0.77至1.30的范围中。

公开(公告)号：CN111508819B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202010073976.7

申请日：2014-09-02

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 古贺祥泰

IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/18 ,  H01L21/223 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

摘要： 本发明目的在于提供一种具有吸杂能力的硅晶片，并且提供使用该硅晶片制作外延晶片或键合晶片时不发生电阻波动的硅晶片的制造方法。本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，从硅晶片的正面以1.0×1013~3.0×1016atoms/cm2的剂量注入氢离子，形成上述氢离子固溶而成的吸杂层。

公开(公告)号：CN117497539A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202210877123.8

申请日：2022-07-25

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 林崇荣 ,  刘家慎 ,  温文华

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/32 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762

摘要： 一种半导体器件，包括绝缘基层、半导体层、绝缘层、隔离沟渠及吸除部位。半导体层及绝缘层依序设置于绝缘基层之上，且隔离沟渠设置于半导体层中且贯穿绝缘层。隔离沟渠由上至下包括第一截面、第二截面及第三截面，第一截面高于绝缘层的底面，第二截面及第三截面低于绝缘层的底面。吸除部位设置于半导体层中且接触隔离沟渠，吸除部位的顶点低于第二截面。

公开(公告)号：CN117374113A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311351913.3

申请日：2017-06-23

申请人： 沃孚半导体公司

发明人： 萨普撒里希·斯里拉姆 ,  亚历山大·苏沃罗夫 ,  克里斯特·哈林

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335

摘要： 本申请涉及在碳化硅基底中具有深植入P型层的氮化镓高电子迁移率晶体管。本公开涉及高电子迁移率晶体管，其包括SiC基底层、设置在SiC基底层上的GaN缓冲层，以及具有与在其上提供GaN缓冲层的SiC基底层的表面平行的长度的p型材料层。在下列中的一个中提供p型材料层：SiC基底层和布置在SiC基底层上的第一层。还公开了制造高电子迁移率晶体管的方法。