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公开(公告)号：CN115491658B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211169962.0
申请日：2022-09-26
申请人： 江苏筑磊电子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/509 , C23C16/52
摘要： 一种使用等离子中解离的F2进行CVD室清洁的方法，所述方法包括如下步骤：S1、更换F2钢瓶，安装从气瓶到CVD室的F2‑气体混合物的输送管线；S2、在新安装的气体输送系统中缓慢流动F2‑气体混合物，实现持久钝化；S3、将气体柜、气体输送系统和F2钢瓶放置在带有安全排气装置的封闭柜内，并将气体柜与13.56‑MHz PECVD反应器连接起来；S4、使用干泵系统将PECVD室抽空至40mTorr，基座和室壁保持恒温；S5、平行板反应器、喷头和基座之间的距离控制在12.5～19mm，固定射频功率和工作压力；S6、控制气体流速为1250～1650sccm，清洗CVD腔室。
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公开(公告)号：CN117344314A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311310359.4
申请日：2023-10-10
申请人： 江苏筑磊电子科技有限公司
发明人： 赵振合
摘要： 本发明公开了异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯在火灾后金属表面处理的方法。本发明，该方法包括以下步骤：将火灾后的金属表面进行预处理，将涂覆液体均匀地涂覆在金属表面上，形成一层保护膜；涂覆液体的成分包括异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯(AEP)、水或有机溶剂、柠檬酸或其他有机酸、聚乙烯亚胺‑聚丙烯酸共聚物(PEI‑PAA)、纳米颗粒和微生物；将涂覆后的金属表面放置在一定的温度和时间下进行干燥和固化，使保护膜与金属表面牢固地结合；将微波和激光对准金属表面和保护膜，并用水清洗金属表面，本发明采用了一种简单、高效、环保、节能的方法，无需使用复杂的仪器和设备，无需使用有毒有害的化学试剂和溶剂，无需产生大量的废水和废渣，操作方便，成本低廉。
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公开(公告)号：CN115586713A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211239483.1
申请日：2022-10-11
申请人： 江苏筑磊电子科技有限公司
发明人： 赵振合
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 一种不使用气态氦的单组分低温微固态氮粒子喷雾物理光刻胶去除清洁方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、使用拉瓦尔喷嘴，喷嘴入口连接低温气态氮气（GN2）；S2、在拉瓦尔喷嘴的尖端侧安装一个超声波振荡器，增强固相成核和固体颗粒的雾化；S3、过冷液态氮（LN2）经拉瓦尔喷嘴的尖端侧流入，使用超声波进行雾化；S4、设定喷嘴入口气态氮气（GN2）压力为0.4 MPa，控制固态氮（SN2）颗粒流的预冷条件；S5、使用产生的高速超细固态氮（SN2）颗粒清洁晶圆上的光刻胶。该种不使用气态氦的单组分低温微固态氮粒子喷雾物理光刻胶去除清洁方法，使用高速微固体氮喷射，实现无化学物质、无纯水、无灰化的干式热机械物理方式，有效去除和清洁光刻胶，同时去除晶片表面上的主要污染物。
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公开(公告)号：CN115491658A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211169962.0
申请日：2022-09-26
申请人： 江苏筑磊电子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/509 , C23C16/52
摘要： 一种使用等离子中解离的F2进行CVD室清洁以减少半导体行业温室气体排放的方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、更换F2钢瓶，安装从气瓶到CVD室的F2‑气体混合物的输送管线；S2、在新安装的气体输送系统中缓慢流动F2‑气体混合物，实现持久钝化；S3、将气体柜、气体输送系统和F2钢瓶放置在带有安全排气装置的封闭柜内，并将气体柜与13.56‑MHz PECVD反应器连接起来；S4、使用干泵系统将PECVD室抽空至约40 mTorr，基座和室壁保持恒温；S5、平行板反应器、喷头和基座之间的距离控制在12.5～19 mm，固定射频功率和工作压力；S6、控制气体流速为1250～1650 sccm，清洗CVD腔室。该种使用等离子中解离的F2进行CVD室清洁以减少半导体行业温室气体排放的方法，利用一种F2‑气体混合物，在保持与原有CVD设备兼容的同时，能有效去除化学气相沉积(CVD)室内壁和设备其他部分上的沉积层，增加设备的正常运行时间和吞吐量，减少了化学产品的使用量，降低了材料成本，并且减少了温室气体的排放。
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公开(公告)号：CN115491655A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211217819.4
申请日：2022-10-05
申请人： 江苏筑磊电子科技有限公司
发明人： 赵振合
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/511 , C23C16/52
摘要： 一种半导体技术中用于低温清洁和沉积的微波等离子辅助方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、将2.45 GHz微波等离子体源连接在铝反应器的顶部；S2、使用p型(100)Si晶片，15 nm热氧化物通过光刻生长和图案化后，放置于衬底上；S3、固定衬底与等离子源之间的距离，基板温度设定为450℃，功率为1.5 kW，使用H2与NF3在高氢稀释度下进行蚀刻；S4、蚀刻后，减少衬底与等离子源之间的距离，温度保持450℃，使用SiH4和H2进行沉积。该种半导体技术中用于低温清洁和沉积的微波等离子辅助方法，利用高氢稀释度、低工作压力和高微波功率，实现在一个腔室中，并在低温下，且无需任何额外的湿法清洁步骤，可原位选择性去除薄氧化硅、清洁硅表面和沉积高质量硅膜，从而提高工艺便捷性、效率，满足更小的尺寸结构的需求。
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公开(公告)号：CN115430665A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211263625.8
申请日：2022-10-16
申请人： 江苏筑磊电子科技有限公司
发明人： 赵振合
摘要： 一种从半导体中去除纳米级颗粒的基质激光清洗方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、在真空室中，将需要清理的硅片垂直安装在架子上，并冷却架子；S2、在架子达到所需的温度后，二氧化碳的气流垂直吹于硅片表面，冷凝形成固体薄膜；S3、使用Nd:YAG激光器作为清洁激光器；S4、使用反射仪控制薄膜的厚度，启动激光器开始清洁，完成后升高架子温度，并硅片表面进行吹扫；S5、将架子用液氮冷却，重复步骤S2和步骤S4中的操作，其中固体薄膜由厚变薄，每次减少150nm，至薄膜厚度降为50nm，即可完成清洁。该种从半导体中去除纳米级颗粒的基质激光清洗方法，利用二氧化碳作为基质，在激光的作用下对硅片上不同尺寸的颗粒进行有效的清洗，没有使用液体的同时，可避免对基片造成损伤。
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公开(公告)号：CN115110093A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110291992.8
申请日：2021-03-18
申请人： 江苏筑磊电子科技有限公司
发明人： 赵振合
摘要： 本发明公开了乙二胺四乙酸四钠在火灾后金属表面处理的方法，该处理方法具体步骤如下：步骤一、制备清洗剂，所述清洗剂的组份包括：乙二胺四乙酸四钠5～13份、十二烷基磺酸钠盐1.5～2.5份、碳酸钠2～5份、盐酸1～2份、甘油0.5～1.5份、聚乙二醇0.5～1.5份、表面活性剂1～3份、水40～50份；步骤二、进行浸泡处理；步骤三、高压冲洗，采用高压水枪进行冲洗；步骤四、干燥处理，利用擦布对冲洗之后的金属表面进行擦拭，去除表面的水渍，然后对金属表面进行干燥处理。本发明的处理方法操作简单，所提供的清洗剂易于制备，且对环境污染小，对火灾后的金属表面有较强的去污能力，具有较强的经济效益，易于推广。
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公开(公告)号：CN115110089A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110291967.X
申请日：2021-03-18
申请人： 江苏筑磊电子科技有限公司
发明人： 赵振合
IPC分类号： C23G1/24
摘要： 本发明公开了异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯在火灾后金属表面处理的方法，该方法的具体步骤如下：步骤一、制备清洗剂，所述清洗剂的组份包括：去离子水50～60份、葡萄糖20～30份、异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯20～40份、异构十三醇聚氧乙烯醚10～20份、有机磷酸盐10～15份、聚丙烯酸钠5～12份、乙二胺四乙酸钠5～10份、柠檬酸钠2～5份、三乙醇胺1～5份、表面活性剂1～5份；步骤二、金属表面初步处理；步骤三、清洗剂处理；步骤四、干燥处理。本发明操作简单，可以提高清洗效果、降低成本，清洗剂安全稳定，且对环境污染小，对火灾后的金属表面有较强的去污能力，且没有腐蚀性，另外，清洗剂的制备方法简单，可控性好，原料易得，具有较强的经济效益。
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公开(公告)号：CN115110087A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110292021.5
申请日：2021-03-18
申请人： 江苏筑磊电子科技有限公司
发明人： 赵振合
摘要： 本发明公开了氢氧化钾在火灾后金属表面处理的方法，该处理方法具体步骤如下：步骤一、混合处理清洁剂制备，所述混合处理清洁剂的组份包括：C13～14烷基3醚硫酸5～17份；氢氧化钾8～21份；焦磷酸钾4～20份；氯化钠5～17份；氯化钾5～10份；洗衣液4～8份；防锈剂0.3～1份；水40～60份；步骤二、浸泡处理；步骤三、浸泡后处理；步骤四、金属表面清理。本发明的制备方法操作简单，清洁剂配置较为方便，同时通过超声波配合高压水枪对金属表面的清洗使的清洗较为干净，且对冲洗后的金属进行擦拭晾干，且能够根据实际需要进行烘干处理，使用的效果较好。
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公开(公告)号：CN112547662A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011327164.7
申请日：2020-11-24
申请人： 江苏筑磊电子科技有限公司
发明人： 赵振合
摘要： 异丙醇在火灾后电器表面处理的方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、将纯异丙醇与纯净水置入调试模块进行混合反应，得到70%异丙醇；S2、调试模块内部置入呋喃酮，进行二次搅拌反应，得到混合物；S3、启动雾化喷雾模块，置入混合物，并启动加热模块，形成内部雾化；S4、隔离罩安装至电表外侧,连接雾化喷雾模块，对电器表面喷洒混合物，并且对表面覆盖活性炭；S5、启动抽真空模块，吸取工作模块内的气体，形成真空环境，使异丙醇快速挥发；S6、取出活性炭，置入密封带保存，喷洒少许纯净水，擦拭电表表面，完成清洁。该异丙醇在火灾后电器表面处理的方法，利用70%异丙醇的高清洁效果与呋喃酮的除味效果组合使用，提高对火灾后电机表面的污垢处理。
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