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公开(公告)号:CN117362132A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311407720.5
申请日:2020-01-17
申请人: 美盛公司
摘要: 本发明涉及用于改善肥料的物理质量参数的疏水涂层。本发明提供一种包含基肥颗粒与疏水或超疏水涂层的肥料组合物,其减少了肥料结块和粉尘形成。涂层可包括产生微米级表面粗糙度的粗糙化组分和疏水涂层。涂层的组分一起用于物理保护水溶性肥料颗粒免受水分进入和结块,并增加颗粒的耐磨性。
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公开(公告)号:CN117049916A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202311172545.6
申请日:2018-05-23
申请人: 美盛公司
摘要: 本发明涉及氧化速率提高的含有单质硫的溶胀性肥料颗粒。本发明提供了含有单质硫和水凝胶的肥料颗粒,该肥料颗粒在土壤中膨胀或溶胀,从而更容易在整个土壤中分散单质硫表面,这增加了对于氧化可利用的单质硫的表面积,以及最终的植物对硫的吸收。可以将单质硫和水凝胶作为外涂层添加到肥料组合物,或者与基础肥料组合物共造粒。
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公开(公告)号:CN110770196B
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN201880041537.9
申请日:2018-05-23
申请人: 美盛公司
摘要: 含有单质硫和水凝胶的肥料颗粒,该肥料颗粒在土壤中膨胀或溶胀,从而更容易在整个土壤中分散单质硫表面,这增加了对于氧化可利用的单质硫的表面积,以及最终的植物对硫的吸收。可以将单质硫和水凝胶作为外涂层添加到肥料组合物,或者与基础肥料组合物共造粒。
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公开(公告)号:CN109219817B
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN201780028685.2
申请日:2017-05-05
申请人: 应美盛公司
发明人: 詹姆斯·克里斯蒂安·萨尔维亚 , 唐昊岩 , 迈克尔·H·佩罗特 , 布鲁诺·W·加乐普 , 艾蒂安·德福拉斯
摘要: 在用于操作包括多个超声换能器的指纹传感器的方法中,致动指纹传感器的第一超声换能器子集,第一超声换能器子集用于检测对象与指纹传感器之间的交互。在检测到对象与指纹传感器之间的交互之后,致动指纹传感器的第二超声换能器子集,第二超声换能器子集用于确定对象是否是人手指,其中,第二超声换能器子集与第一超声换能器子集相比包括更多的超声换能器。
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公开(公告)号:CN109520489B
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN201811189802.6
申请日:2015-01-21
申请人: 应美盛公司
IPC分类号: G01C19/5712
摘要: 本申请涉及用于减小非线性运动的构型。其中,披露了用于修改弹簧质量构型的多个实施例,这些实施例将不想要的非线性运动对MEMS传感器的影响最小化。这些修改包括以下任何各项中的任一项或任何组合:在该弹簧质量构型的多个旋转结构之间提供一个刚性元件、在这些旋转结构之间调谐一个弹簧系统并且将一个电消除系统联接至这些旋转结构上。在进行这样不想要的线性运动时,将例如不想要的二阶谐振运动最小化。
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公开(公告)号:CN111213028A
公开(公告)日:2020-05-29
申请号:CN201880066758.1
申请日:2018-10-11
申请人: 应美盛公司
发明人: 伊利亚·古林 , 李奥纳多·巴尔达萨诺
摘要: 本发明涉及用于测量半导体装置的诸层之间的未对准的系统及方法。在具体实施例中,一种方法,其包括:施加输入电压至与半导体装置的第一导电层关联的一个或多个第一电极中的每一个;感测一个或多个第二电极与所述半导体装置的第二导电层关联的电气性质,以响应施加所述输入电压至所述一个或多个第一电极的每一个;以及依据所述一个或多个第二电极的所述电气性质来计算所述半导体装置的所述第一导电层与所述半导体装置的所述第二导电层之间朝面内方向的未对准。
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公开(公告)号:CN110770196A
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201880041537.9
申请日:2018-05-23
申请人: 美盛公司
摘要: 含有单质硫和水凝胶的肥料颗粒,该肥料颗粒在土壤中膨胀或溶胀,从而更容易在整个土壤中分散单质硫表面,这增加了对于氧化可利用的单质硫的表面积,以及最终的植物对硫的吸收。可以将单质硫和水凝胶作为外涂层添加到肥料组合物,或者与基础肥料组合物共造粒。
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公开(公告)号:CN109155890A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201780026534.3
申请日:2017-04-27
申请人: 应美盛公司
发明人: 基耶朗·哈尼 , 亚得里安努斯·玛莉亚·拉福德 , 布莱恩·摩斯 , 迪昂·伊弗·德·卢
摘要: 本发明描述了微机电系统(MEMS)传感器和相关的偏置电压技术。示例性MEMS传感器,诸如本文描述的示例性MEMS声学传感器或麦克风,可以采用一个或多个偏置电压发生器和单端或差分放大器布置。所描述的各种实施例可以有效地增加传感器元件可用的偏置电压,而不需要采用高击穿电压半导体工艺。另外,基于许多因素的考虑,描述了在各种操作模式下对一个或多个偏置电压发生器的控制。
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