公开(公告)号：CN109155890B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201780026534.3

申请日：2017-04-27

申请人： 应美盛公司

发明人： 基耶朗·哈尼 ,  亚得里安努斯·玛莉亚·拉福德 ,  布莱恩·摩斯 ,  迪昂·伊弗·德·卢

IPC分类号： H04R19/00 ,  B81B7/00 ,  H04R19/04 ,  H04R3/04

摘要： 本发明描述了微机电系统(MEMS)传感器和相关的偏置电压技术。示例性MEMS传感器，诸如本文描述的示例性MEMS声学传感器或麦克风，可以采用一个或多个偏置电压发生器和单端或差分放大器布置。所描述的各种实施例可以有效地增加传感器元件可用的偏置电压，而不需要采用高击穿电压半导体工艺。另外，基于许多因素的考虑，描述了在各种操作模式下对一个或多个偏置电压发生器的控制。

公开(公告)号：CN109155890A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780026534.3

申请日：2017-04-27

申请人： 应美盛公司

发明人： 基耶朗·哈尼 ,  亚得里安努斯·玛莉亚·拉福德 ,  布莱恩·摩斯 ,  迪昂·伊弗·德·卢

IPC分类号： H04R19/00 ,  B81B7/00 ,  H04R19/04 ,  H04R3/04

摘要： 本发明描述了微机电系统(MEMS)传感器和相关的偏置电压技术。示例性MEMS传感器，诸如本文描述的示例性MEMS声学传感器或麦克风，可以采用一个或多个偏置电压发生器和单端或差分放大器布置。所描述的各种实施例可以有效地增加传感器元件可用的偏置电压，而不需要采用高击穿电压半导体工艺。另外，基于许多因素的考虑，描述了在各种操作模式下对一个或多个偏置电压发生器的控制。