-
公开(公告)号：CN114787742A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080085595.9
申请日：2020-08-26
申请人： 艾尔丹通信设备公司
发明人： R·W·D·布斯
IPC分类号： G06F1/02
摘要： 倍频DDS包括数字乘法器、相位累加器、累加器后数字处理部分和数模转换器(DAC)。数字乘法器将值为M的数字调谐字乘以值为B的数字乘数，以产生数字乘积(M x B)，并且n位累加器以频率为fCLK/B的低速参考时钟的速率、以数字乘积(M x B)的步长大小进行累加。累加器后数字处理部分根据由n位累加器产生的n位累加器输出数序列来合成B个数字波形，并将每个数字波形相对于每个相邻数字波形旋转(M/2n)x 2π弧度。DAC以全速(即，以速率fCLK)对B个数字波形的数字样本进行串行化，以产生具有每周期2n/M个样本的全速串行化数字输出，并将所述全速串行化数字输出转换成频率为fOUT＝(M/2n)x fCLK的最终输出模拟波形。
-
公开(公告)号：CN114342254A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080062331.1
申请日：2020-08-11
申请人： 艾尔丹通信设备公司
发明人： W·戈迪基
摘要： 用于极性调制发射器和包络跟踪(ET)发射器的动态电源(DPS)包括直流(DC)‑DC转换器、与DC‑DC转换器串联连接的线性振幅调制器(LAM)以及控制器，该控制器根据输入包络电压Venv的时变变化动态地控制DC‑DC转换器的开关和LAM的参考电压的幅度。DC‑DC转换器包括高功率降压开关级和具有三阶或更高阶低通滤波器(LPF)的输出能量存储网络。三阶或更高阶LPF从由高功率降压开关级产生的开关电压中滤除开关噪声和纹波，并且在本发明的一个实施方式中增加了阻尼网络，该阻尼网络消除LAM的电源输入端处的不期望振铃，从而提高效率和DPS转换精度。
-
公开(公告)号：CN107735944A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680038029.6
申请日：2016-04-20
申请人： 艾尔丹通信设备公司
发明人： Q·迪达克
IPC分类号： H03F3/193 , H03F3/189 , H03F3/217 , H03K17/687
CPC分类号： H03F1/42 , H03F1/0205 , H03F1/0233 , H03F3/193 , H03F3/2173 , H03F2200/351 , H03F2200/36 , H03F2200/451
摘要： 一种高功率高频率射频功率放大器包括输出级和单相驱动器。输出级被设置为D类放大器配置，并且包括：第一耗尽型场效应晶体管(FET)、第二耗尽型FET、以及将输出级的输出联接到第二FET的栅极的自举路径。第一耗尽型FET和第二耗尽型FET在单相驱动器的引导下被切换为异相且在完全导通(ON)与完全截止(OFF)状态之间切换。单相驱动器直接控制第一耗尽型FET的导通/截止状态，并且提供放电路径，通过该放电路径，输出级中的第二耗尽型FET的输入栅极电容器可以放电，以截止第二耗尽型FET。自举路径提供电流路径，通过该电流路径，第二耗尽型FET的输入栅极电容器可以充电，以导通第二耗尽型FET。
-
公开(公告)号：CN107710630A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680035514.8
申请日：2016-04-18
申请人： 艾尔丹通信设备公司
发明人： C·汉德瓦尔
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/0227 , H03F3/245 , H03F3/3001 , H03F2200/102 , H03F2200/108 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/451
摘要： 一种高功率固态RFPA包括：输出级，该输出级具有功率晶体管；和电流增强驱动器，该电流增强驱动器驱动输出级。电流增强驱动器包括电感器，以及被设置为图腾柱式构造的第一晶体管和第二晶体管。在第一晶体管导通且第二晶体管截止时，电感器向输出级供给第一充电电流，以帮助对输出级中的功率晶体管的输入栅源电容器(Cgs)充电。第一晶体管还提供补充第一充电电流的第二充电电流，从而增强栅源电容器Cgs的充电。相反，驱动器的第一晶体管截止且第二晶体管导通时，第二晶体管提供放电路径，栅源电容器Cgs能够通过该放电路径放电。
-
公开(公告)号：CN114424453B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202080058202.5
申请日：2020-08-11
申请人： 艾尔丹通信设备公司
发明人： W·戈迪基
摘要： 本发明涉及极化调制器中的宽带包络控制。宽带包络调制器包括与线性振幅调制器(LAM)串联连接的直流(DC)到DC切换转换器。DC‑DC切换转换器包括：脉冲宽度调制器，其生成具有表示输入包络信号的时变幅度的经调制的脉冲宽度的PWM信号，或者脉冲密度调制器，其生成具有表示输入包络信号的时变幅度的经调制的脉冲密度的PDM信号；场效应晶体管(FET)驱动级，其生成PWM驱动信号或PDM驱动信号；高功率输出切换级，其由PWM驱动信号或PDM驱动信号驱动；以及输出能量存储网络，其包括具有大于二的阶数的低通滤波器(LPF)，该LPF对在高功率输出切换级的输出切换节点处产生的切换电压进行滤波。
-
公开(公告)号：CN114342254B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080062331.1
申请日：2020-08-11
申请人： 艾尔丹通信设备公司
发明人： W·戈迪基
摘要： 用于极性调制发射器和包络跟踪(ET)发射器的动态电源(DPS)包括直流(DC)‑DC转换器、与DC‑DC转换器串联连接的线性振幅调制器(LAM)以及控制器，该控制器根据输入包络电压Venv的时变变化动态地控制DC‑DC转换器的开关和LAM的参考电压的幅度。DC‑DC转换器包括高功率降压开关级和具有三阶或更高阶低通滤波器(LPF)的输出能量存储网络。三阶或更高阶LPF从由高功率降压开关级产生的开关电压中滤除开关噪声和纹波，并且在本发明的一个实施方式中增加了阻尼网络，该阻尼网络消除LAM的电源输入端处的不期望振铃，从而提高效率和DPS转换精度。
-
公开(公告)号：CN114467261B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202080056952.9
申请日：2020-06-25
申请人： 艾尔丹通信设备公司
发明人： Q·迪达克
摘要： 宽带极化调制发射机包括功率放大器(PA)、PA驱动器、动态电源(DPS)、PA驱动器VH控制器和相位调制器。相位调制器通过输入相位调制信号PM(t)调制射频(RF)载波，以产生经相位调制的RF载波。同时，DPS为PA产生跟随输入振幅调制信号AM(t)的DPS电压。使用经相位调制的RF载波，PA驱动器生成用于驱动PA的PA驱动信号VDRV。PA驱动信号VDRV具有高驱动电平VH和低驱动电平VL。PA驱动器VH控制器被配置为对高驱动电平VH的幅度进行控制，使得在大多数时间该幅度保持足够高以迫使PA在压缩模式(C模式)下工作，但在DPS电压中发生低幅度事件的时间期间，降低高驱动电平VH，以迫使PA在乘积模式(P模式)下工作。
-
公开(公告)号：CN114467261A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080056952.9
申请日：2020-06-25
申请人： 艾尔丹通信设备公司
发明人： Q·迪达克
摘要： 宽带极化调制发射机包括功率放大器(PA)、PA驱动器、动态电源(DPS)、PA驱动器VH控制器和相位调制器。相位调制器通过输入相位调制信号PM(t)调制射频(RF)载波，以产生经相位调制的RF载波。同时，DPS为PA产生跟随输入振幅调制信号AM(t)的DPS电压。使用经相位调制的RF载波，PA驱动器生成用于驱动PA的PA驱动信号VDRV。PA驱动信号VDRV具有高驱动电平VH和低驱动电平VL。PA驱动器VH控制器被配置为对高驱动电平VH的幅度进行控制，使得在大多数时间该幅度保持足够高以迫使PA在压缩模式(C模式)下工作，但在DPS电压中发生低幅度事件的时间期间，降低高驱动电平VH，以迫使PA在乘积模式(P模式)下工作。
-
公开(公告)号：CN107710630B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201680035514.8
申请日：2016-04-18
申请人： 艾尔丹通信设备公司
发明人： C·汉德瓦尔
摘要： 一种高功率固态RFPA包括：输出级，该输出级具有功率晶体管；和电流增强驱动器，该电流增强驱动器驱动输出级。电流增强驱动器包括电感器，以及被设置为图腾柱式构造的第一晶体管和第二晶体管。在第一晶体管导通且第二晶体管截止时，电感器向输出级供给第一充电电流，以帮助对输出级中的功率晶体管的输入栅源电容器(Cgs)充电。第一晶体管还提供补充第一充电电流的第二充电电流，从而增强栅源电容器Cgs的充电。相反，驱动器的第一晶体管截止且第二晶体管导通时，第二晶体管提供放电路径，栅源电容器Cgs能够通过该放电路径放电。
-
公开(公告)号：CN107735944B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201680038029.6
申请日：2016-04-20
申请人： 艾尔丹通信设备公司
发明人： Q·迪达克
IPC分类号： H03F3/193 , H03F3/189 , H03F3/217 , H03K17/687
摘要： 一种高功率高频率射频功率放大器包括输出级和单相驱动器。输出级被设置为D类放大器配置，并且包括：第一耗尽型场效应晶体管(FET)、第二耗尽型FET、以及将输出级的输出联接到第二FET的栅极的自举路径。第一耗尽型FET和第二耗尽型FET在单相驱动器的引导下被切换为异相且在完全导通(ON)与完全截止(OFF)状态之间切换。单相驱动器直接控制第一耗尽型FET的导通/截止状态，并且提供放电路径，通过该放电路径，输出级中的第二耗尽型FET的输入栅极电容器可以放电，以截止第二耗尽型FET。自举路径提供电流路径，通过该电流路径，第二耗尽型FET的输入栅极电容器可以充电，以导通第二耗尽型FET。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.066 秒)
