高压电阻性输出级电路
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110771041B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN201880034191.X

    申请日:2018-03-30

    摘要: 一些实施例包括高压高频开关电路。该高压高频开关电路可包括:高压开关电源,用于产生电压大于1kV且频率大于10kHz的脉冲;以及输出。该开关电路还可包括电阻性输出级,所述电阻性输出级与所述输出并联电耦接并且位于在所述输出级和所述高压开关电源之间,所述电阻输出级包括至少一个用于将与所述输出耦接的负载放电的电阻器。在一些实施例中,电阻输出级可以被配置为在每个脉冲周期期间放电超过约1千瓦的平均功率。在一些实施例中,输出可以产生高压脉冲,该高压脉冲具有大于1kV的电压、大于10kHz的频率以及小于约400ns的脉冲下降时间。

    离子电流下降补偿
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115769337A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202180047728.8

    申请日:2021-07-09

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 在一些实施例中,公开了高电压电源,所述高电压电源提供了在两个随后脉冲之间不具有任何电压下降的多个高压脉冲。在一些实施例中,公开了高电压电源,所述高电压电源提供了具有多个高电压脉冲的电压随时间变化的波形,所述多个高电压脉冲具有大于1kV的电压以及具有脉冲之间实质上扁平的部分。在一些实施例中,公开了包括缓冲电路的高电压电源,所述缓冲电路具有大约7.5mΩ–1.25Ω电阻值的缓冲电阻;和具有大约2μF–35μF电容值的缓冲电容。

    用于等离子体系统的纳秒脉冲发生器RF隔离

    公开(公告)号:CN114930488A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202080089882.7

    申请日:2020-12-23

    摘要: 本发明的实施例包括一种等离子体系统。所述等离子体系统包括:等离子体腔室;RF驱动器,其配置为用RF频率将突发驱动到所述等离子体腔室中;纳秒脉冲发生器,其配置为用脉冲重复频率将脉冲驱动到所述等离子体腔室中,所述脉冲重复频率小于所述RF频率;高通滤波器,其部署在所述RF驱动器与所述等离子体腔室之间;和低通滤波器,其部署在所述纳秒脉冲发生器与所述等离子体腔室之间。

    离子电流下降补偿
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116636144A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202180067796.0

    申请日:2021-10-04

    IPC分类号: H03K3/64

    摘要: 公开了脉冲发生器。脉冲发生器包括直流电源;多个开关,变压器;和脉冲输出。脉冲发生器可以与等离子体室耦合。脉冲输出输出高压脉冲,该高压脉冲具有大于1kV的峰间电压和连续高压双极性脉冲之间的电压部分,该电压部分具有负斜率,该负斜率大大抵消了等离子室内晶圆上由于离子电流而降低的电压。晶圆处得到的电压在连续脉冲之间可能基本平坦。