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公开(公告)号：CN120048293A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410219988.4
申请日：2024-02-28
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 青木健一郎
IPC: G11B5/48
Abstract: 根据一个实施方式，一般提供能够抑制记录介质与头之间的间隙的变动、实现可靠性的提高的盘装置。根据一个实施方式，盘装置具备：盘状的记录介质；磁头，具有写头、读头、以及调整与记录介质之间的间隙的加热器；悬架组件，支承磁头；微致动器，包括设置于所述悬架组件的压电元件；以及控制器，所述控制器根据压电元件驱动时的着陆输出与压电元件非驱动时的着陆输出之差来设定所述压电元件的驱动电压。
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公开(公告)号：CN119997575A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202410725356.5
申请日：2024-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H10D62/10 , H10D62/85 , H10D62/854 , H10D30/47
Abstract: 本发明提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括层叠体。所述层叠体包括：含硅基体、含AlN的第1氮化物区域和含Alz2Ga1‑z2N(0≤z2
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公开(公告)号：CN114388050B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202110813102.5
申请日：2021-07-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 渡边彻
IPC: G11C29/56
Abstract: 实施方式提供能够准确地检测磁盘上的缺陷的磁盘装置的磁盘检查方法以及磁盘装置。实施方式的磁盘装置具有前置放大器，该前置放大器具有第1处理部和第2处理部，该第1处理部具有以预定频率对间隙传感器的输出进行滤波的第1滤波器，该第2处理部具有以比第1滤波器的频率高的频率对间隙传感器的输出进行滤波的第2滤波器。该磁盘装置在基于间隙传感器的输出，使用第1处理部和第2处理部来检查磁盘的记录面的缺陷的情况下，对根据排除了成为检查对象的磁道之后的多个磁道的第1处理部的输出定义的阈值与成为检查对象的磁道的所述第1处理部的输出进行比较，当成为检查对象的磁道的第1处理部的输出超过阈值时，检测出在磁盘的该磁道存在缺陷。
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公开(公告)号：CN119923715A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202480003864.0
申请日：2024-02-07
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 铃木拓马
IPC: H01L21/66
Abstract: 实施方式提供一种能够提高效率的检查处理装置及半导体装置的制造方法。根据实施方式，检查处理装置包括存储部及处理部。存储部能够存储包含与对象装置相关的第一、第二特征量分布区域的特征量分布。处理部能够基于存储于存储部的第一、第二特征量分布区域来实施与对象装置相关的当前的第一检查。特征量分布涉及与对象装置相关的过去的第一检查的第一过去检查结果和第二过去检查结果。第二过去检查结果通过在过去的第一检查之后进行的过去的第一处理之后的第二检查来获取。与第一特征量分布区域对应的第二过去检查结果的第一不合格率比与第二特征量分布区域对应的第二过去检查结果的第二不合格率高。
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公开(公告)号：CN119817189A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202480003819.5
申请日：2024-02-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 清水康弘
Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极，在第一方向上与第一电极对置；半导体部，设置在第一电极与第二电极之间；金属硅化物层，设置在第二电极与半导体部之间；以及金属层。设置在该金属硅化物层与第二电极之间，金属硅化物层具有向半导体部侧凹陷的凹部。该金属层与凹部的底面及侧面相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119817036A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202480003817.6
申请日：2024-02-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H03K17/082 , H03K17/08
Abstract: 根据一个实施方式，提供具有比较电路和信号生成电路的检测电路。比较电路具有第一输入节点、第二输入节点和输出节点。第一输入节点与功率器件的一端连接。第二输入节点与阈值电压连接。信号生成电路具有第一输入节点和输出节点。第一输入节点与比较电路的输出节点连接。输出节点与功率器件的保护电路的控制节点连接。
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公开(公告)号：CN119817035A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202480003763.3
申请日：2024-02-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H03K17/082 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及温度补偿电路、半导体集成电路、半导体装置以及温度补偿方法。根据一个实施方式提供具有校正电路和电压供给电路的温度补偿电路。校正电路具有第1输入节点、第2输入节点和输出节点。第1输入节点与功率器件附近的温度传感器连接。第2输入节点与功率器件的控制端子连接。电压供给电路具有输入节点和输出节点。输入节点与校正电路的输出节点连接。输出节点与比较电路的第2输入节点连接。比较电路具有第1输入节点和第2输入节点。第1输入节点与功率器件的一端连接。
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公开(公告)号：CN119790497A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202480003804.9
申请日：2024-02-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：绝缘基板，具有电路图案；半导体芯片，固定在绝缘基板上，与电路图案电连接；以及电源端子，包含与电路图案同种的金属，与电路图案电连接，电源端子具有：平板状的接合部，与电路图案接合；贯通部，在接合部的厚度方向上贯通接合部；以及延伸部，从接合部的一端部弯曲而向上方延伸，构成为能够将电路图案与外部设备连接，接合部与电路图案通过包含与电源端子及电路图案同种的金属的粒子的接合材料而接合。
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公开(公告)号：CN119789446A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411164821.9
申请日：2024-08-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 概括地说，本发明的实施方式涉及半导体装置及制造方法。根据实施方式的半导体装置包括单元区和与单元区相邻的终端区。在半导体部的第一主面上设置第一绝缘膜。在单元区中设置有设置在该半导体部中的第一导电型的第一半导体区域、栅极电极、以及覆盖栅极电极的栅极绝缘膜。从单元区到终端区，设置在第一半导体区域和第一主面之间的第二导电型的第二半导体区域与栅极绝缘膜的底面的至少一部分接触。在第二半导体区域和第一绝缘膜之间设置第一部件。
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公开(公告)号：CN115775567B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202210112022.1
申请日：2022-01-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高可靠性的磁盘装置以及与谐波干扰对应的高次谐波的补偿方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；致动器，其进行旋转驱动，进行所述盘上所搭载的所述头的移动控制；以及控制器，其推定与具有谐波的干扰对应的在所述头的定位控制中产生的位置误差信号的基频，决定所述基频，基于所述基频决定延迟采样数，对作为与所述延迟采样数相应的所述基频的高次谐波的倍频进行抑制。
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