一种选择性发射极太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN104112794B

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201410360132.5

    申请日:2014-07-28

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本发明提供一种选择性发射极太阳能电池的制造方法,该方法包括损伤层去除,两步扩散,正面电极沟槽蚀刻,正面电极填充的烧结,反蚀形成高掺杂区和低掺杂区,该正面电极包括侧壁电极片、以折线方式延伸的嵌入电极片、主电极条,两步扩散包括恒温初步扩散和降温推进扩散,降温扩散时间为初步扩散时间的1.5‑2倍。该方法制备的选择性发射极太阳能电池能够在整体上提高光吸收效率,光生载流子收集效率,避免表面死层现象,同时调节短路电流和开路电压,提高电池填充率。

    一种三子结化合物光伏电池

    公开(公告)号:CN104201230A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410456657.9

    申请日:2014-09-10

    IPC分类号: H01L31/078 H01L31/0304

    CPC分类号: Y02E10/50 H01L31/0725

    摘要: 本发明涉及一种三子结化合物光伏电池,具体为InAlAsP/InGaAs/Ge三子结化合物光伏电池,具有优化的1.90ev/1.40ev/0.66ev能带结构;本三子结化合物光伏电池具有二阶凸起结构,以及为配置上述光伏电池结构而设计的n++InGaP/p++InGaAsP异质结隧穿二极管和基区厚度关系,本三子结Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏电池具有高光电转换效率和收集效率,特别的对自然光线具有有效的限域作用。

    一种选择性发射极太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN104112794A

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201410360132.5

    申请日:2014-07-28

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521 H01L31/022425

    摘要: 本发明提供一种选择性发射极太阳能电池的制造方法,该方法包括损伤层去除,两步扩散,正面电极沟槽蚀刻,正面电极填充的烧结,反蚀形成高掺杂区和低掺杂区,该正面电极包括侧壁电极片、以折线方式延伸的嵌入电极片、主电极条,两步扩散包括恒温初步扩散和降温推进扩散,降温扩散时间为初步扩散时间的1.5-2倍。该方法制备的选择性发射极太阳能电池能够在整体上提高光吸收效率,光生载流子收集效率,避免表面死层现象,同时调节短路电流和开路电压,提高电池填充率。

    一种选择性发射极太阳能电池

    公开(公告)号:CN104091840A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201410360134.4

    申请日:2014-07-28

    摘要: 一种选择性发射极太阳能电池,太阳能正面具有第一掺杂区域,第二重掺杂区,第二重掺杂区从第一掺杂区域的上表面向上垂直凸起,电极层设置于第二重掺杂区的侧壁上,并且在第二重掺杂区内部设置至少一个与位于第二重掺杂区侧壁的电极层平行的嵌入电极层,至少一个电极条沿与第二重掺杂区相交叉的方向延伸,并且在电极条与第二掺杂区域(3)和电极层相交叉的地方,电极条与第二掺杂区域(3)和电极层接触。本太阳能电池电极结构,能够取得减少正面反射,增强侧面反射,增强光生载流子的收集效率的效果,提高了太阳能电池的性能。

    一种选择性发射极太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN104091858B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201410360118.5

    申请日:2014-07-28

    发明人: 马梅 谢发忠

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0224

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明提供一种选择性发射极太阳能电池的制造方法,该方法包括损伤层去除,两步重扩散,正面电极沟槽蚀刻,正面电极填充的烧结,反蚀形成高掺杂区和低掺杂区,该正面电极包括侧壁电极片、以折线方式延伸的嵌入电极片、主电极条。该方法制备的选择性发射极太阳能电池能够在整体上提高光吸收效率,光生载流子收集效率,避免表面死层现象,同时能够平衡短路电流和开路电压,提高电池填充率。

    一种选择性发射极太阳能电池

    公开(公告)号:CN104091840B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201410360134.4

    申请日:2014-07-28

    发明人: 马梅 谢发忠

    摘要: 一种选择性发射极太阳能电池,太阳能正面具有第一掺杂区域,第二重掺杂区,第二重掺杂区从第一掺杂区域的上表面向上垂直凸起,电极层设置于第二重掺杂区的侧壁上,并且在第二重掺杂区内部设置至少一个与位于第二重掺杂区侧壁的电极层平行的嵌入电极层,至少一个电极条沿与第二重掺杂区相交叉的方向延伸,并且在电极条与第二掺杂区域(3)和电极层相交叉的地方,电极条与第二掺杂区域(3)和电极层接触。本太阳能电池电极结构,能够取得减少正面反射,增强侧面反射,增强光生载流子的收集效率的效果,提高了太阳能电池的性能。

    一种倒置生长InAlAsP/InGaAs/Ge三结光伏电池的制备方法

    公开(公告)号:CN104201249A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410466359.8

    申请日:2014-09-15

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521 H01L31/1844

    摘要: 本发明涉及一种倒置生长InAlAsP/InGaAs/Ge三结光伏电池的制备方法,具体为在所述生长衬底上表面通过光刻工艺定义并刻蚀出连续二阶凹槽结构;依次外延出InAlAsP子电池、InGaAs子电池、Ge子电池;在整个结构表面上利用CVD方法快速沉积Ge键合层,并平坦化;提供另一衬底,并通过键合工艺键合到所诉平坦化Ge键合层上;刻蚀掉生长衬底完成衬底的转移,本方法简单,效率高,通过本方法制备出的InAlAsP/InGaAs/Ge三子结光伏电池具有高光电转换效率和收集效率,特别的对自然光线具有有效的限域作用。

    一种选择性发射极太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN104091858A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201410360118.5

    申请日:2014-07-28

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0224

    CPC分类号: Y02P70/521 H01L31/022425

    摘要: 本发明提供一种选择性发射极太阳能电池的制造方法,该方法包括损伤层去除,两步重扩散,正面电极沟槽蚀刻,正面电极填充的烧结,反蚀形成高掺杂区和低掺杂区,该正面电极包括侧壁电极片、以折线方式延伸的嵌入电极片、主电极条。该方法制备的选择性发射极太阳能电池能够在整体上提高光吸收效率,光生载流子收集效率,避免表面死层现象,同时能够平衡短路电流和开路电压,提高电池填充率。