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公开(公告)号:CN101365830A
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200680031616.9
申请日:2006-06-08
申请人: 俄克拉荷马州大学评议会 , 丹尼尔·E·里萨斯科 , 利安德罗·巴尔赞诺 , L·张
发明人: 丹尼尔·E·里萨斯科 , 利安德罗·巴尔赞诺 , L·张
CPC分类号: D01F9/133 , B01J23/882 , B01J37/0236 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/08 , C23C16/01 , C23C16/0272 , C23C16/26 , D01F9/127 , D01F9/1278 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
摘要: 一种在平面基底如硅片上直接生长碳纳米管、特别是单壁碳纳米管、然后将纳米管转移到聚合物薄膜的表面上或者从平面基底上分离收获碳纳米管的方法。
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公开(公告)号:CN101365830B
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN200680031616.9
申请日:2006-06-08
申请人: 俄克拉荷马州大学评议会 , 丹尼尔·E·里萨斯科 , 利安德罗·巴尔赞诺 , L·张
发明人: 丹尼尔·E·里萨斯科 , 利安德罗·巴尔赞诺 , L·张
CPC分类号: D01F9/133 , B01J23/882 , B01J37/0236 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/08 , C23C16/01 , C23C16/0272 , C23C16/26 , D01F9/127 , D01F9/1278 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
摘要: 一种在平面基底如硅片上直接生长碳纳米管、特别是单壁碳纳米管、然后将纳米管转移到聚合物薄膜的表面上或者从平面基底上分离收获碳纳米管的方法。
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