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公开(公告)号:CN103635785B
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201280018360.3
申请日:2012-02-14
申请人: 勒克思马克斯科技公司
发明人: 杨纳森·丹特勒 , 欧尔理·亚迪德-佩科特
CPC分类号: G01J3/45 , C08L79/08 , G01J3/0259 , G01J3/44 , G01J3/4531 , G02B6/125 , G02B6/13 , G02B6/29344 , G02B6/2935
摘要: 本发明公开一种位在一硅晶绝缘体(SOI)晶圆上,以CMOS技术整合的傅立叶转换红外光(FTIR)光谱仪。本发明完全整合于一精巧、微型、低成本及CMOS制造兼容芯片。本发明可在1.1μm到15μm范围内的各种红外光区运作,或可一次覆盖1.1μm到15μm的全光谱。所述CMOS‑FTIR光谱仪具有高光学分辨率,无可移动部件,无光学镜片,精巧,在恶劣外部环境下不易损坏之特性,以及可用标准CMOS技术制造,使得FTIR光谱仪可大量生产。所述完全整合CMOS‑FTIR光谱仪可用电池运作,所需的功能可用标准CMOS技术集成到单一芯片上。本公开发明的FTIR光谱仪亦可改造成一CMOS‑拉曼光谱仪。
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公开(公告)号:CN103635785A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201280018360.3
申请日:2012-02-14
申请人: 勒克思马克斯科技公司
发明人: 杨纳森·丹特勒 , 欧尔理·亚迪德-佩科特
CPC分类号: G01J3/45 , C08L79/08 , G01J3/0259 , G01J3/44 , G01J3/4531 , G02B6/125 , G02B6/13 , G02B6/29344 , G02B6/2935
摘要: 本发明公开一种位在一硅晶绝缘体(SOI)晶圆上,以CMOS技术整合的傅立叶转换红外光(FTIR)光谱仪。本发明完全整合于一精巧、微型、低成本及CMOS制造兼容芯片。本发明可在1.1μm到15μm范围内的各种红外光区运作,或可一次覆盖1.1μm到15μm的全光谱。所述CMOS-FTIR光谱仪具有高光学分辨率,无可移动部件,无光学镜片,精巧,在恶劣外部环境下不易损坏之特性,以及可用标准CMOS技术制造,使得FTIR光谱仪可大量生产。所述完全整合CMOS-FTIR光谱仪可用电池运作,所需的功能可用标准CMOS技术集成到单一芯片上。本公开发明的FTIR光谱仪亦可改造成一CMOS-拉曼光谱仪。
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