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公开(公告)号：CN119833213A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411997635.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于超导体的稀释制冷机的同轴线缆、稀释制冷机和超导量子计算设备。稀释制冷机至少包括第一温度层、第二温度层、第三温度层和第四温度层，同轴线缆包括导体层、绝缘层和第一屏蔽层，第一屏蔽层以第一厚度设置在绝缘层上；同轴线缆包括：第一同轴线缆段，设置在第一温度层中；第二同轴线缆段，设置在第二温度层中；第三同轴线缆段，设置在第三温度层中；第四同轴线缆段，设置在第四温度层中；其中，第一同轴线缆段、第二同轴线缆段、第三同轴线缆段和第四同轴线缆段的第一屏蔽层的第一厚度、材质为根据预设组合方式所确定的。
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公开(公告)号：CN115235620B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210862132.X
申请日：2022-07-20
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种包括干涉单元的单光子探测装置，所述干涉单元包括：信号分配模块，配置成将输入信号分为第一信号和第二信号；第一信号通路，与所述信号分配模块耦接，配置成接收所述第一信号并传输；第二信号通路，与所述信号分配模块耦接，配置成接收所述第二信号，过滤出预设频率分量的信号并传输；相位偏移模块，设置于所述第一信号通路或所述第二信号通路，配置成使传输信号的相位偏移180°；耦合模块，与所述第一信号通路和所述第二信号通路耦接，配置成接收所述第一信号通路和所述第二信号通路的输出信号，耦合后输出。本发明所提供的单光子探测装置，消除了大量门控干扰信号，对单光子探测装置的探测效率、后脉冲效应、时间分辨率均有明显的优化效果。
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公开(公告)号：CN119476516A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411513313.7
申请日：2024-10-28
Applicant: 清华大学 , 北京量子信息科学研究院
IPC: G06N10/60
Abstract: 本发明提供一种三取一形式SAT问题的量子求解方法、装置、电子设备及存储介质，涉及量子计算机技术领域。所述方法包括：将三取一形式SAT问题的解空间更新为目标解空间，得到目标2‑SAT问题，所述目标解空间对应放宽问题的解空间，所述放宽问题包括放宽约束条件的子句；获取所述目标2‑SAT问题对应的目标哈密顿量；根据所述目标哈密顿量，确定所述三取一形式SAT问题的解。所述方法通过有效地减少搜索空间的维度，降低SAT问题复杂度，从而加速收敛至基态，提升了三取一形式SAT问题的求解成功率。
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公开(公告)号：CN119110675B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411572057.9
申请日：2024-11-06
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本申请公开一种基于自对准加工工艺的超导机械振子量子器件及其制备方法，包括：在硅基衬底的第一表面制备底部电极与底部引线光刻胶结构，刻蚀具上述结构的第一表面，使其具有凹槽；在具有凹槽的第一表面生长第一超导金属薄膜，剥离凹槽区以外的第一超导金属薄膜，得底部电极与底部引线；在形成底部电极与底部引线的第一表面制备牺牲层光刻胶结构，再刻蚀使底部电极与硅基衬底的第一表面齐平；继续生长牺牲介质，剥离牺牲层光刻胶结构以外的牺牲介质，得牺牲层；刻蚀牺牲层，使其与第一表面齐平；在具有牺牲层的第一表面生长第二超导金属薄膜；在第二超导金属薄膜表面制备顶部电极、引线与顶部释放孔；通过顶部释放孔去除牺牲层，得悬空机械振子。
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公开(公告)号：CN115374946B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210905718.X
申请日：2022-07-29
Applicant: 北京量子信息科学研究院 , 清华大学
IPC: G06N10/20
Abstract: 本发明提供了一种量子相位估计的方法，包括：根据待求解问题生成第一量子逻辑门序列并确定初始量子态；将所述第一量子逻辑门序列中加入随机的量子门，生成第二量子逻辑门序列；在所述初始量子态上作用所述第二量子逻辑门序列，并对最终量子态进行测量；对测量结果进行离散傅里叶变换，得到相位估计值。本发明所提供的量子相位估计的方法及量子相位估计系统，通过二次编译，将量子比特之间的相干噪声、退相干噪声转换为随机泡利噪声，由于随机泡利噪声的统计特性，使得使用该量子相位估计的方法或量子相位估计系统进行量子相位估计的噪声降低，提高了量子相位估计的准确率，从而实现了一种普遍的抗噪量子相位估计的可行性方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119093898B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411572006.6
申请日：2024-11-06
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本申请提供一种基于密度声子晶体的机械振子量子器件及其制备方法，涉及量子器件制备技术领域。一种基于密度声子晶体的机械振子量子器件，包括：衬底硅片；应力薄膜层，沉积于衬底硅片的一侧，其下表面与衬底硅片接触，应力薄膜层包括悬空窗口，悬空窗口对应的衬底硅片的部分被刻蚀去除；声子晶体层，设置于应力薄膜层的上表面，与悬空窗口相对，声子晶体层包括多个互不相连的纳米柱体，且声子晶体层正中心处未设置纳米柱体；金属层，设置于声子晶体层正中心处；下基板硅片；下基板电路，沉积于下基板硅片的上表面；连接模块，沉积于下基板硅片的上表面的边缘，且连接模块与下基板电路不相连，衬底硅片倒装后通过连接模块与下基板硅片连接。
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公开(公告)号：CN119294547A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411388473.3
申请日：2024-09-30
Applicant: 北京量子信息科学研究院 , 清华大学
IPC: G06N10/40 , G06V10/764
Abstract: 本申请提出一种超导量子芯片中量子比特间串扰的消除方法和装置、电子设备以及非瞬时性计算机可读存储介质，消除方法包括响应于超导量子芯片中量子比特间串扰的消除指令，确定与超量量子芯片对应的拓扑结构；将所述拓扑结构映射为无向图；对所述无向图中的顶点进行分类，以使得所述无向图中任意一条边两端对应的量子比特属于不同分类；将所述无向图按照顶点的分类分解为多个子图，直至得到的子图只包括一种分类；在连接不同子图的边对应的量子比特上施加控制脉冲，消除量子比特间的串扰。根据本申请的实施例，消除了量子比特间的相互作用导致的串扰。
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公开(公告)号：CN119291989A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411236655.9
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于刻蚀矩形阵列点矩阵的掩膜板，并利用利用其制备阵列点矩阵图形的方法。本发明首次提出了一种干法刻蚀矩形阵列点矩阵阵列点图形化的掩膜板及方法；规避了光刻胶或极性溶剂等使用，提升了MEMS工艺包容性，使更多性能优越的新型薄膜可以应用在微电子器件中；利用本发明版图刻蚀法制作的阵列图形，可以兼容在任何MEMS制造工厂中，基板与掩膜的对位标可兼容在第一层电路布线工艺中，节约制造成本。
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公开(公告)号：CN119263196A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411236650.6
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京量子信息科学研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法，包括以下步骤：a、硅基板预处理；b、在步骤a预处理后的硅基板上涂覆光刻胶，软烘、静置后，曝光、显影、定影，后烘，在硅基板上形成所需图案；c、对步骤b的硅基板进行刻蚀、清洗，得掩膜板。同时提供利用该掩膜板制备钙钛矿阵列图形的方法。本发明采取干法刻蚀制备钙钛矿陈列图形，利用反应离子束工艺刻蚀钙钛矿，工艺简单，反应离子束刻蚀设备构造简单，设备廉价，兼容于所有MEMS规模制造工厂，很大程度上降低了制造成本，为钙钛矿阵列图形化方案提出了新的工艺策略，降低侧腐，提升图形化精准度，适用于微米级图形刻蚀。
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公开(公告)号：CN114166366B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202111394821.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 北京量子信息科学研究院
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明涉及一种激光测温方法及激光测温系统。该激光测温方法包括步骤：根据不同温度下待测样品的自发辐射的光谱积分强度通过最小方差的方式进行荧光温度依赖关系拟合得到最佳拟合值A、B；获取待测样品在被激光照射后产生的当前温度下的自发辐射的光谱积分强度I1；根据光谱积分强度I1，通过计算公式#imgabs0#确定峰强度的比值R，其中I2为待测样品在70K时的光谱仪实测积分强度；当待测样品的目标温度为180K以下时，通过计算公式#imgabs1#确定当前温度值T。该激光测温方法，使得待测样品的温度测量更加精确，即使在低温环境也能够根据待测物体产生的自发辐射分析出待测样品的温度，并且更加适用于空间小尺寸的温度测量。
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