公开(公告)号：CN104576825A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410720879.7

申请日：2014-12-03

申请人： 吴正云 ,  李忠东

发明人： 吴正云 ,  李忠东 ,  吴惠忠

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/09

摘要： 本发明公开了一种抑制SiC紫外光电探测器暗电流方法，根据SiC光电探测器暗电流产生的来源及抑制他们的原理，利用不同生长方法在SiC紫外探测器器件表面制备SiO2和SiN薄膜，分别考虑高低电场条件下各种薄膜对暗电流的抑制能力以及有效减少载流子在器件表面的复合，综合组合多层介质膜结构及生长技术条件，可进一步实现对SiC紫外光电探测器暗电流的抑制，有效提高其探测率。