公开(公告)号：CN111048433A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910974467.9

申请日：2019-10-14

申请人： 安钟八 ,  爱捷株式会社

发明人： 安钟八

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  B24B37/005 ,  B24B49/14 ,  G01J5/00 ,  G01J5/02 ,  G01J5/04

摘要： 本发明的对晶片表面温度进行实时测量并监控的方法，对研磨垫的表面温度进行实时测量并实时监控，因此可以在清洗工艺中借助于化学反应和摩擦能动地应对晶片表面的不规则的温度变化。本发明的晶片表面温度测量传感器也可以在有从清洗液中产生的烟尘的环境下使用，按照红外线摄像机的各个点分别负责温度，从而能够按照区间校正温度。

公开(公告)号：CN111048433B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201910974467.9

申请日：2019-10-14

申请人： 安钟八 ,  爱捷株式会社

发明人： 安钟八

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  B24B37/005 ,  B24B49/14 ,  G01J5/00 ,  G01J5/02 ,  G01J5/03 ,  G01J5/04 ,  G01J5/48

摘要： 本发明的对晶片表面温度进行实时测量并监控的方法，对研磨垫的表面温度进行实时测量并实时监控，因此可以在清洗工艺中借助于化学反应和摩擦能动地应对晶片表面的不规则的温度变化。本发明的晶片表面温度测量传感器也可以在有从清洗液中产生的烟尘的环境下使用，按照红外线摄像机的各个点分别负责温度，从而能够按照区间校正温度。

公开(公告)号：CN111048439B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201910929424.9

申请日：2019-09-27

申请人： 安钟八 ,  爱捷株式会社

发明人： 安钟八

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01J5/02 ,  B24B37/005 ,  B24B49/14

摘要： 本发明涉及一种用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整装置及其方法，其中，装置包括：支架；第一固定部件，其插入至形成于支架的第一结合孔；第二固定部件，其插入至形成于支架的第二结合孔，对温度传感器进行固定；位置调整部件，其设置于第二固定部件下面，对温度传感器进行固定支撑；温度传感器；夹具，用于对温度传感器的感知位置进行调整；控制器，其设置有晶片表面监控系统，晶片表面监控系统将温度传感器拍摄的表面温度分为多个频道并通过显示器显示。本发明的优点在于，在从半导体晶片表面去除金属污染物质和有机污染物质的过程中，实时识别到晶片表面由于化学反应和摩擦达到一定温度以上，从而使得晶片不良率减少，进而提高收率。

公开(公告)号：CN111048439A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910929424.9

申请日：2019-09-27

申请人： 安钟八 ,  爱捷株式会社

发明人： 安钟八

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01J5/02 ,  B24B37/005 ,  B24B49/14

摘要： 本发明涉及一种用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整装置及其方法，其中，装置包括：支架；第一固定部件，其插入至形成于支架的第一结合孔；第二固定部件，其插入至形成于支架的第二结合孔，对温度传感器进行固定；位置调整部件，其设置于第二固定部件下面，对温度传感器进行固定支撑；温度传感器；夹具，用于对温度传感器的感知位置进行调整；控制器，其设置有晶片表面监控系统，晶片表面监控系统将温度传感器拍摄的表面温度分为多个频道并通过显示器显示。本发明的优点在于，在从半导体晶片表面去除金属污染物质和有机污染物质的过程中，实时识别到晶片表面由于化学反应和摩擦达到一定温度以上，从而使得晶片不良率减少，进而提高收率。