公开(公告)号：CN107169190B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710326765.8

申请日：2015-01-13

申请人： 成都锐开云科技有限公司

发明人： 杜宇

IPC分类号： G06F30/392

摘要： 本发明涉及一种寄生参数提取方法，所述方法包括以下步骤：基于建立的马尔科夫转移矩阵库读入与每个子区域的电路模型在同一工艺制程下相对应的模型介质区域的马尔科夫转移矩阵M0电路；利用模型介质区域的马尔科夫转移矩阵的微分方程，计算同一工艺制程下任一子区域的电路模型的马尔科夫转移矩阵，其中，M1为任一子区域的电路模型在相应工艺制程下的马尔科夫转移矩阵，M0为与每个子区域在同一工艺制程下相对应的模型介质区域的马尔科夫转移矩阵，x、y为相应工艺制程的寄生参数，Δx、Δy为任一子区域的电路模型在相应工艺制程下的寄生参数变化量；和基于每个子区域的电路模型的马尔科夫转移矩阵计算出导体间的寄生电容。

公开(公告)号：CN105160107B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510564487.0

申请日：2015-09-07

申请人： 成都锐开云科技有限公司

发明人： 杜宇

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明涉及一种用于平板显示器的等电阻布线方法及装置，所述方法至少包括：识别待布线区域的几何参数并基于所述几何参数将待布线区域分割成串列的几何子段并产生初始布线。计算至少一个几何子段和/或每根网线的电阻参数。基于所述电阻参数与预设电阻参数的比较来适应性地调整相应的几何子段和/或网线的几何特征和/或位置。本发明在满足工艺要求的最小线宽和最小间距的前提下，使所布的网线的电阻值尽量小并且近似相等，达到液晶面板上每根网线对应的显示像素的亮度相等，提高平板显示性能，进一步提高了集成性能。

公开(公告)号：CN107180130B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201710327673.1

申请日：2015-01-13

申请人： 成都锐开云科技有限公司

发明人： 杜宇

IPC分类号： G06F30/367

摘要： 本发明涉及一种寄生参数提取方法，其特征在于，所述寄生电阻提取方法包括以下步骤：将指定的电阻模型边界划分为若干边界元；将所述电阻模型中的端口和模型边界元都作为端口，计算电阻模型中的端口和/或模型边界元的边界电导矩阵；转换所述边界电导矩阵为马尔可夫转移矩阵，和利用马尔可夫转移矩阵库提取同一工艺制程下的集成电路设计中的寄生电阻。本发明建立的马尔可夫转移矩阵库的模型为基本的导体或端口，能够覆盖电路中所有可能出现的情况，可以完全控制计算过程中的误差，保证了精度与可靠性，能达到非常高的效率。

公开(公告)号：CN104484541A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201510015221.0

申请日：2015-01-13

申请人： 成都锐开云科技有限公司

发明人： 杜宇

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明涉及一种基于马尔可夫转移矩阵库的寄生电容提取方法，所述方法包括以下步骤：由模型模板和工艺参数文件构造电路模型；由所述电路模型生成马尔可夫转移矩阵；存储同一工艺制程下的各个模型的马尔可夫转移矩阵至马尔可夫转移矩阵库中；和利用马尔可夫转移矩阵库提取该工艺制程下的集成电路设计中的寄生电容。本发明建立的马尔可夫转移矩阵库的模型为基本的导体、介质或二者边界，能够覆盖电路中所有可能出现的情况，可以完全控制计算过程中的误差，保证了精度与可靠性，能达到非常高的效率。

公开(公告)号：CN105512438B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201610031474.1

申请日：2016-01-18

申请人： 成都锐开云科技有限公司

发明人： 杜宇 ,  胡超

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明涉及一种等时延布线方法，至少包括：识别待布线区域的几何参数并基于几何参数将待布线区域分割成串列的几何子段并产生初始布线；计算至少一个几何子段和/或每根网线的电阻与电容参数；基于每根网线的每个几何子段的电阻与电容参数计算网线的时延参数；基于所述时延参数与预设时延参数的比较来适应性地调整相应的几何子段和/或网线的几何特征和/或位置。本发明在满足工艺要求的最小线宽和最小间距的前提下，使所布的网线的时延值尽量小并且近似相等，达到集成电路上每根网线所驱动的器件(逻辑门、储存单元等)的响应同步，提高集成电路性能；或液晶面板上每根网线对应的显示像素的亮度相等，提高平板显示性能，进一步提高了集成性能。

公开(公告)号：CN107180130A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710327673.1

申请日：2015-01-13

申请人： 成都锐开云科技有限公司

发明人： 杜宇

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明涉及一种寄生参数提取方法，其特征在于，所述寄生电阻提取方法包括以下步骤：将指定的电阻模型边界划分为若干边界元；将所述电阻模型中的端口和模型边界元都作为端口，计算电阻模型中的端口和/或模型边界元的边界电导矩阵；转换所述边界电导矩阵为马尔可夫转移矩阵，和利用马尔可夫转移矩阵库提取同一工艺制程下的集成电路设计中的寄生电阻。本发明建立的马尔可夫转移矩阵库的模型为基本的导体或端口，能够覆盖电路中所有可能出现的情况，可以完全控制计算过程中的误差，保证了精度与可靠性，能达到非常高的效率。

公开(公告)号：CN105512438A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610031474.1

申请日：2016-01-18

申请人： 成都锐开云科技有限公司

发明人： 杜宇 ,  胡超

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5072

摘要： 本发明涉及一种等时延布线方法，至少包括：识别待布线区域的几何参数并基于几何参数将待布线区域分割成串列的几何子段并产生初始布线；计算至少一个几何子段和/或每根网线的电阻与电容参数；基于每根网线的每个几何子段的电阻与电容参数计算网线的时延参数；基于所述时延参数与预设时延参数的比较来适应性地调整相应的几何子段和/或网线的几何特征和/或位置。本发明在满足工艺要求的最小线宽和最小间距的前提下，使所布的网线的时延值尽量小并且近似相等，达到集成电路上每根网线所驱动的器件(逻辑门、储存单元等)的响应同步，提高集成电路性能；或液晶面板上每根网线对应的显示像素的亮度相等，提高平板显示性能，进一步提高了集成性能。

公开(公告)号：CN104484541B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201510015221.0

申请日：2015-01-13

申请人： 成都锐开云科技有限公司

发明人： 杜宇

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明涉及一种基于马尔可夫转移矩阵库的寄生电容提取方法，所述方法包括以下步骤：由模型模板和工艺参数文件构造电路模型；由所述电路模型生成马尔可夫转移矩阵；存储同一工艺制程下的各个模型的马尔可夫转移矩阵至马尔可夫转移矩阵库中；和利用马尔可夫转移矩阵库提取该工艺制程下的集成电路设计中的寄生电容。本发明建立的马尔可夫转移矩阵库的模型为基本的导体、介质或二者边界，能够覆盖电路中所有可能出现的情况，可以完全控制计算过程中的误差，保证了精度与可靠性，能达到非常高的效率。

公开(公告)号：CN105574289A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610030445.3

申请日：2016-01-18

申请人： 成都锐开云科技有限公司

发明人： 杜宇 ,  胡超

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5072

摘要： 本发明涉及一种等电容布线方法，其特征在于，所述方法至少包括：识别待布线区域的几何参数并基于所述几何参数分割待布线区域为具有唯一编号的串列的几何子段；按等宽的方式产生初始布线，检测并二次切割不符合标准条件的所述几何子段；基于计算的至少一个几何子段和/或每根网线的电容差值与预设电容值的比较结果来适应性地调整相应的几何子段和/或网线的几何特征和/或位置。本发明在满足工艺要求的最小线宽和最小间距的前提下，使所布的网线的电容值尽量小并且近似相等，达到液晶面板上每根网线对应的显示像素的亮度相等，提高平板显示性能，进一步提高了集成性能。

公开(公告)号：CN105160107A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510564487.0

申请日：2015-09-07

申请人： 成都锐开云科技有限公司

发明人： 杜宇

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明涉及一种尤其用于平板显示器的等电阻布线方法及装置，所述方法至少包括：识别待布线区域的几何参数并基于所述几何参数将待布线区域分割成串列的几何子段并产生初始布线。计算至少一个几何子段和/或每根网线的电阻参数。基于所述电阻参数与预设电阻参数的比较来适应性地调整相应的几何子段和/或网线的几何特征和/或位置。本发明在满足工艺要求的最小线宽和最小间距的前提下，使所布的网线的电阻值尽量小并且近似相等，达到液晶面板上每根网线对应的显示像素的亮度相等，提高平板显示性能，进一步提高了集成性能。