-
公开(公告)号：CN115605033A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211292105.X
申请日：2022-10-21
申请人： 杭州众能光电科技有限公司(CN)
摘要： 一种复合半透明顶电极的薄膜光电器件及其制备方法。本发明公开了一种复合半透明顶电极的薄膜光电器件及制备方法。属于新材料太阳能电池领域，稳定性是阻碍薄膜光电器件产业化进程的重要因素，对于主流的电池采用的是金属背电极，存在金属扩散和化学腐蚀的问题，导致薄膜光电器件稳定性下降，采用无机电极的电池由于方阻问题导致效率比较低，所以针对该问题，本发明提供了一种复合半透明顶电极的薄膜光电器件以及制备方法，先制备空穴传输层，接着制备有机无机杂化半导体薄膜，随后沉积一层电子传输层，接着沉积一层界面修饰层，最后原位连续沉积制备的复合半透明顶电极（ITO/ITO‑X/AZO/AZO‑X,X=Cu或Ag）,所述原位制备的复合半透明顶电极，通过原位连续复合溅射的方法制备无机‑金属/无机混合‑无机薄膜的复合半透明顶电极，即解决金属电极导致的稳定性问题，又解决了纯半透明顶电极因导电性较差导致的光电转换效率低下的问题，有利于实现半透明薄膜器件的产业化应用。
-
公开(公告)号：CN115605032A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211292130.8
申请日：2022-10-21
申请人： 杭州众能光电科技有限公司(CN)
摘要： 一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法以及制备方法摘要本发明公开了一种采金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法以及制备方法。属于新材料太阳能电池领域，在现有的反式平板结构的薄膜光电器件中，导电基底与空穴传输层都是简单的物理叠加，导电基底与空穴传输层的接触电阻较大，电荷传输损失比较大，限制电池光电转换效率的提升，针对该问题，本发明提供了一种采金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法，其结构为ITO透明导电层，原位制备ITO‑金属氧化物复合隧穿层，金属氧化物空穴传输层，接着制备有机无机杂化半导体薄膜，随后沉积电子传输层，接着沉积一层界面修饰层，最后沉积一层电极层,所述ITO‑金属氧化物复合隧穿层，使得ITO和金属氧化物层能有着良好的欧姆接触，提高了ITO/金属氧化物界面的电荷传输效率，减低了非辐射复合导致的效率损失，改善了反式薄膜光电器件的光电转换性能，有利于实现薄膜光电器件产业化。
-
公开(公告)号：CN115605035A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211292623.1
申请日：2022-10-21
申请人： 杭州众能光电科技有限公司(CN)
摘要： 本发明公开了一种采用复合金属氧化物传输层的薄膜光电器件以及制备方法。属于新材料太阳能电池领域，在现有的反式平板结构的薄膜光电器件中，金属氧化物传输层与有机无机杂化半导体薄膜的接触比较差，导致电荷传输慢，金属氧化物传输层/钙钛矿界面复合严重，限制了反式钙钛矿太阳电池的效率提升，针对该问题，本发明提供了种基于原位制备的多层结构金属氧化物传输层薄膜的薄膜光电器件以及制备方法，制备多层不同致密度的金属氧化物传输层，接着制备一层有机无机杂化半导体薄膜，随后沉积一层电子传输层，接着沉积一层界面修饰层，最后沉积一层电极层，所述多层不同致密度的金属氧化物传输层，既能起到阻挡电子，又能改善金属氧化物传输层与有机无机杂化半导体薄膜的接触，提高了金属氧化物传输层/钙钛矿界面的电荷传输效率，减低了非辐射复合导致的效率损失，改善了反式薄膜光电器件的光电转换性能，有利于实现薄膜光电器件产业化。
-
-
搜索结果
3 条记录 (耗时 0.028 秒)
