适用于高温潮湿环境的石墨烯基三维多孔电磁屏蔽材料

    公开(公告)号:CN106397825A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201610836492.7

    申请日:2016-09-21

    摘要: 本发明涉及石墨烯基三维多孔电磁屏蔽材料,将碱液处理后的密胺海绵清洗至中性,干燥后的密胺海绵浸入稀释后的石墨烯基导电浆料吸附并挤压,复浸挤压后干燥固化,得到的具有疏水性三维多孔电磁屏蔽材料。石墨烯基导电浆料所采用的石墨烯原料为采用高温微机械剥离技术从天然石墨矿中剥离制得的导电石墨烯或石墨微片,在极性有机试剂中分散良好,石墨烯厚度为1-9nm,粒径为3-12um,电导率在1×105 Sm-1以上。所得三维屏蔽材料在10kHz-40GHz频率范围内,其电磁屏蔽效能为35-75dB。再对电磁屏蔽材料进行疏水改性,使屏蔽材料相对水的接触角最高可达164°,使适用于高温、多雨、潮湿的工作环境。

    适用于高温潮湿环境的石墨烯基三维多孔电磁屏蔽材料

    公开(公告)号:CN106397825B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201610836492.7

    申请日:2016-09-21

    摘要: 本发明涉及石墨烯基三维多孔电磁屏蔽材料,将碱液处理后的密胺海绵清洗至中性,干燥后的密胺海绵浸入稀释后的石墨烯基导电浆料吸附并挤压,复浸挤压后干燥固化,得到的具有疏水性三维多孔电磁屏蔽材料。石墨烯基导电浆料所采用的石墨烯原料为采用高温微机械剥离技术从天然石墨矿中剥离制得的导电石墨烯或石墨微片,在极性有机试剂中分散良好,石墨烯厚度为1‑9 nm,粒径为3‑12um,电导率在1×105 S m‑1以上。所得三维屏蔽材料在10 kHz‑40 GHz频率范围内,其电磁屏蔽效能为35‑75dB。再对电磁屏蔽材料进行疏水改性,使屏蔽材料相对水的接触角最高可达164°,使适用于高温、多雨、潮湿的工作环境。

    一种室温高频太赫兹波探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111121957B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN201911255986.6

    申请日:2019-12-10

    IPC分类号: G01J1/42 G01J1/02

    摘要: 本发明涉及一种室温高频太赫兹波探测器及其制备方法,属于太赫兹波探测研究技术领域。包括高载流子迁移二维材料、场效应晶体管和太赫兹天线,场效应晶体管具有源电极、栅电极和漏电极,源电极、栅电极和漏电极集成于带有介质层的衬底上,太赫兹天线与场效应晶体管的三个电极相连;高载流子迁移二维材料上下表面分别包覆二维层状介电材料,与漏电极连接的和与源电极连接的太赫兹天线端与高载流子迁移二维材料欧姆接触,与栅电极连接的太赫兹天线端通过二维层状介电材料与高载流子迁移率二维材料为肖特基接触。本申请有效耦合高频太赫兹波,避免高载流子迁移率二维材料制备时引起的载流子迁移率降低的问题,实现对高频太赫兹波有效探测。

    一种室温高频太赫兹波探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111121957A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911255986.6

    申请日:2019-12-10

    IPC分类号: G01J1/42 G01J1/02

    摘要: 本发明涉及一种室温高频太赫兹波探测器及其制备方法,属于太赫兹波探测研究技术领域。包括高载流子迁移二维材料、场效应晶体管和太赫兹天线,场效应晶体管具有源电极、栅电极和漏电极,源电极、栅电极和漏电极集成于带有介质层的衬底上,太赫兹天线与场效应晶体管的三个电极相连;高载流子迁移二维材料上下表面分别包覆二维层状介电材料,与漏电极连接的和与源电极连接的太赫兹天线端与高载流子迁移二维材料欧姆接触,与栅电极连接的太赫兹天线端通过二维层状介电材料与高载流子迁移率二维材料为肖特基接触。本申请有效耦合高频太赫兹波,避免高载流子迁移率二维材料制备时引起的载流子迁移率降低的问题,实现对高频太赫兹波有效探测。

    一种双面金属波导太赫兹量子级联激光器芯片及提高其解理合格率的方法

    公开(公告)号:CN110048291A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910338182.6

    申请日:2019-04-25

    IPC分类号: H01S1/02 H01S5/22

    摘要: 本发明涉及一种双面金属波导太赫兹量子级联激光器芯片及提高其解理合格率的方法,属于半导体光电子器件技术领域。包括半导体衬底和激光器脊条,所述激光器脊条设于半导体衬底上方,所述激光器脊条包括上表面金属层、有源脊形结构和下表面金属层,所述上表面金属层设于有源脊形结构的上表面,所述下表面金属层设于有源脊形结构的下表面,所述半导体衬底上设有衬底金属层,所述下表面金属层与衬底金属层热压键合成一个整体,半导体衬底对激光器脊条起支撑和导电作用,所述激光器脊条的侧壁涂覆光刻胶,所述光刻胶延伸至上表面金属层和下表面金属层。本申请增强激光器脊条和衬底键合强度,提高激光器端面的解理合格率。

    一种实现太赫兹透射和反射成像的一体化装置

    公开(公告)号:CN211318165U

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN201922329197.4

    申请日:2019-12-23

    IPC分类号: G01N21/01 G01N21/59 G01N21/55

    摘要: 本实用新型涉及一种实现太赫兹透射和反射成像的一体化装置。包括太赫兹辐射源、太赫兹探测器和椭球复制面反射镜单元;椭球复制面反射镜单元包括三个椭球复制面反射镜且分布于样品外侧,第一椭球复制面反射镜用于接收辐射源发出的辐射并汇聚于样品上,会聚的辐射经样品透射于第二椭球复制面反射镜或反射于第三椭球复制面反射镜,第二椭球复制面反射镜或第三椭球复制面反射镜用于接收经样品透射/反射的太赫兹辐射并将其反射汇聚于太赫兹探测器上;太赫兹探测器与计算机信号连接。本申请简化了太赫兹透射和反射成像光路系统,降低了成像系统的复杂度和因光路复杂造成的成像误差,实现了太赫兹透射成像和反射成像系统的集成和一体化设计。