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公开(公告)号：CN118338742A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410486355.X
申请日：2024-04-22
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
摘要： 本申请涉及电池技术领域，公开了一种钙钛矿层的制作方法、钙钛矿晶硅叠层电池及其制作方法。本申请提供的钙钛矿层制作方法包括：制备钙钛矿前驱液，所述钙钛矿前驱液包括钙钛矿材料、有机溶剂和添加剂，所述添加剂的凝固点为X；将所述钙钛矿前驱液涂覆于基底的表面并形成钙钛矿湿膜；提供反溶剂并将所述反溶剂涂覆于所述钙钛矿湿膜的表面；进行闪蒸处理，闪蒸温度为Y，Y＜X；进行退火处理。本申请提供的钙钛矿层制作方法、钙钛矿晶硅叠层电池及其制作方法，通过改进钙钛矿层的制作方式，解决了相关技术中钙钛矿层结晶质量差的技术问题。
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公开(公告)号：CN117939978B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410258198.7
申请日：2024-03-07
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
摘要： 本发明提供一种钙钛矿/电子传输层一体化成膜方法及叠层电池，通过将钙钛矿吸收层以及电子传输层同步制备的方式，来解决原子沉积电子传输层过程中水汽对钙钛矿薄膜的侵蚀，并同时利用水汽来帮助钙钛矿结晶过程中的反应物分子的扩散，提高反应的充分性，减少薄膜内部缺陷，通过该方法所制备得到的叠层太阳能电池具有更高的开路电压以及光电转换效率。同时，该方法也简化了晶硅/钙钛矿叠层电池的制造流程步骤，降低了其制造成本。
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公开(公告)号：CN117858527A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410083488.2
申请日：2024-01-19
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
摘要： 本申请提供了一种基于互掺杂连接层的叠层太阳能电池及其制备方法，包括制备底电池：采用原子积沉积法将电子传输材料和空穴传输层材料沉积至底电池的N型非掺杂电子选择层的表面，以制备得到互掺杂连接层；在互掺杂连接层的表面制备钙钛矿顶电池。本申请通过在底电池的N型非掺杂电子选择层和钙钛矿顶电池的空穴传输层之间设置互掺杂连接层，底电池中产生的电子可以和钙钛矿顶电池中产生的空穴在该互掺杂连接层内高效复合。同时，该互掺杂连接层有着比传统隧穿层更高的光透过率，从而减少叠层太阳能电池在吸光方面的损失。该互掺杂连接层也有着较大的横向方阻，能够阻碍电子空穴横向导通的复合，从而有助于提升叠层太阳能电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN113690340B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110835841.4
申请日：2021-07-23
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216 , H10K39/15
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池制作方法，包括如下步骤：S100、对P型硅片的底部表面进行制绒，顶部表面进行制绒或者抛光，形成硅片基底；S200、采用包括但不限于热生长法，原子沉积法或等离子体增强化学气相沉积法在所述硅片基底底部表面制成底部钝化层，并通过包括但不限于激光刻蚀开孔的方法对底部钝化层进行开孔，形成底电极开孔钝化层。还包括方法制作的电池结构。本发明直接采用双面钝化的且可以独立作为太阳能电池使用的电池结构，同时具有有效的重掺杂复合层，以形成整体的电池结构，并依据这种结构提供结构的制作方法，精良高效；本方案形成的电池结构开路电压高、制备成本低廉，光电效率高。
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公开(公告)号：CN117141110B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311401041.7
申请日：2023-10-26
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
摘要： 本发明公开的一种丝网印刷形貌解析调控方法，属于太阳能电池工艺技术领域。本发明实施例通过基于样品电池的形貌测量参数与激光测量参数同时对金属化栅线进行形貌表征，并根据得到的表征参数以及形貌信息进行模型比对，对原样品进行丝网印刷栅线形貌解析，并可以直接体现金属化栅线具体结构，获取栅线形貌信息并进行工艺解析调控，同时调整工艺印刷效果。该方案不限样品电池形状、形态、面积体积大小，在接受相应测量参数及测定参数后即可进行模型比对和形貌解析。在获得高性能太阳电池的生产前提下，优化了批量电池丝网印刷的稳定性，大大降低了成本和能耗。
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公开(公告)号：CN117279464A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311270645.2
申请日：2023-09-27
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
摘要： 本申请提供了一种梯度共蒸制备钙钛矿吸收层的方法及叠层太阳能电池，该梯度共蒸制备钙钛矿吸收层的方法包括提供绒面基底；在绒面基底上采用蒸发法制备混合薄膜；制备铵盐前驱液；将铵盐前驱液涂覆于混合薄膜的表面以制得钙钛矿吸收层；该叠层太阳能电池包括晶硅底电池和设于晶硅底电池的上方的钙钛矿顶电池。本申请通过梯度调节碘化铅和溴化铯的蒸镀速率，碘化铅的含量由混合薄膜的埋底面至上表面梯度递增，溴化铯的含量由混合薄膜的埋底面至上表面梯度递减，如此可使得碘化铅与铵盐前驱液更完全的发生反应，减少碘化铅在混合薄膜的埋底面的残留，进而形成高质量低缺陷密度的钙钛矿吸收层，提升叠层太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN117012683B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311278420.1
申请日：2023-10-07
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开的一种太阳能电池偏移纠正方法，属于太阳能电池工艺技术领域，通过接收样品电池的测量参数与激光测定参数以及测量参数及激光测定参数中携带的方向校验标识；确定方向校验标识及对应样品电池方向偏移量；当方向偏移量大于设定阈值时，会自动对比保存的预设模板同时回传其相对应偏移修正量，并根据得到的参数偏移纠正信息进行精度检验，对原样品进行偏移纠正。该方案不限样品电池形状、形态、面积体积大小，在接收相应测量参数及测定参数后即可进行精度校验和偏移纠正。在获得高性能太阳电池的生产前提下，优化了批量电池生产的精确性，大大降低了成本和能耗。
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公开(公告)号：CN117119860A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311357337.3
申请日：2023-10-19
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
摘要： 本发明提供的一种三元共蒸制备钙钛矿薄膜的方法，采用三元共蒸的方法将碘化铅、溴化铯以及有机钝化剂制备在绒面基底从而形成保形的混合薄膜，在混合薄膜上旋涂铵盐溶液并退火从而形成钙钛矿吸收层，由于有机钝化剂可以在形成薄膜之前就将薄膜内部中游离的碘化铅进行有效钝化，从而减少薄膜内部缺陷，提高薄膜的质量，通过该方法所得到的叠层太阳能电池具有更高的开路电压、光电转换效率及更低的衰减率。
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公开(公告)号：CN114456642B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210098181.0
申请日：2022-01-26
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿墨水及钙钛矿薄膜的制备方法，其方法包括：取钙钛矿前驱体、配体溶剂以及载体溶剂混合均匀，制得以上所述的钙钛矿墨水；采用喷墨打印工艺在制备环境下将所述钙钛矿墨水打印至基板上，得到钙钛矿湿膜；在基板上方保持气体流速，使钙钛矿湿膜自然成核，形成钙钛矿预结晶干膜；在退火条件下，使得所述的钙钛矿预结晶干膜结晶固化形成钙钛矿薄膜。本发明通过配置钙钛矿墨水，使得钙钛矿薄膜能通过喷墨打印技术快速成型，并实现了对钙钛矿薄膜的精准控制。
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公开(公告)号：CN115425110A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210948687.6
申请日：2022-08-05
申请人： 深圳黑晶光电技术有限公司
发明人： 不公告发明人
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/054
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制作方法及电池，涉及太阳能技术领域，其方法包括：制备硅片基底；在硅片基底的上表面制备第一钝化层；在硅片基底的下表面的制备第二钝化层；在第二钝化层的下表面制备载流子选择性传输层；在所述载流子选择性传输层的下表面制备减反射层；在所述减反射层的下表面制备金属底电极层。本发明所涉及的一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制作方法及电池，其通过减少晶硅底电池中铟材料的投入，从而满足钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的应用需求。
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