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    图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法
    2.
    发明授权
    图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN118393811B

    公开(公告)日：2024-09-03

    申请号：CN202410818328.8

    申请日：2024-06-24

    申请人： 珠海基石科技有限公司

    发明人： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F1/76 ,  G03F1/56 ,  H01L21/027

    摘要： 本申请实施例提供一种图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法，该图案化组合物包括金属有机化合物、多极性基团化合物和溶剂，所述金属有机化合物包括有机金属氧团簇和/或有机锡簇；所述有机金属氧团簇包括金属氧团簇骨架、配位连接于所述金属氧团簇骨架上的具有辐射敏感性的第一有机配体；所述有机锡簇包括由烷基锡化合物和/或环烷基锡化合物构成的锡团簇骨架以及配位连接于所述锡团簇骨架上的第二有机配体。该图案化组合物具有良好的存储稳定性，显影条件符合图案化过程要求，能够形成具有较高分辨率和较低边沿粗糙度的图案。

    树脂组合物及其制备方法、膜材、半导体封装结构及其制备方法、半导体器件和电子设备
    3.
    发明授权
    树脂组合物及其制备方法、膜材、半导体封装结构及其制备方法、半导体器件和电子设备 有权

    公开(公告)号：CN118271797B

    公开(公告)日：2024-08-27

    申请号：CN202410666535.6

    申请日：2024-05-28

    申请人： 珠海基石科技有限公司

    发明人： 请求不公布姓名

    IPC分类号： C08L63/02 ,  C08K5/3447 ,  C08J5/18 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

    摘要： 本申请提供了树脂组合物及其制备方法、膜材、半导体封装结构及其制备方法、半导体器件和电子设备。该树脂组合物包括树脂、酸酐以及金属化合物；所述金属化合物包括金属原子以及与所述金属原子配位的有机配体；所述金属原子选自锌原子和钴原子中的一种或两种；所述有机配体包括苯并咪唑，或者包括苯并咪唑和2‑甲基咪唑；其中，所述金属原子与所述有机配体中的氮原子配位连接。上述树脂组合物可在预热工艺下维持较长的低粘度时长，且其应用到半导体封装领域中时，不仅其固化物可满足机械性能需求，还可有效降低半导体封装结构发生翘曲的风险，从而利于制造高可靠性的半导体器件，尤其利于制造大尺寸的高可靠性的半导体器件。

    树脂组合物及其制备方法、膜材、半导体封装结构及其制备方法、半导体器件和电子设备
    5.
    发明公开
    树脂组合物及其制备方法、膜材、半导体封装结构及其制备方法、半导体器件和电子设备 有权

    公开(公告)号：CN118271797A

    公开(公告)日：2024-07-02

    申请号：CN202410666535.6

    申请日：2024-05-28

    申请人： 珠海基石科技有限公司

    发明人： 请求不公布姓名

    IPC分类号： C08L63/02 ,  C08K5/3447 ,  C08J5/18 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

    摘要： 本申请提供了树脂组合物及其制备方法、膜材、半导体封装结构及其制备方法、半导体器件和电子设备。该树脂组合物包括树脂、酸酐以及金属化合物；所述金属化合物包括金属原子以及与所述金属原子配位的有机配体；所述金属原子选自锌原子和钴原子中的一种或两种；所述有机配体包括苯并咪唑，或者包括苯并咪唑和2‑甲基咪唑；其中，所述金属原子与所述有机配体中的氮原子配位连接。上述树脂组合物可在预热工艺下维持较长的低粘度时长，且其应用到半导体封装领域中时，不仅其固化物可满足机械性能需求，还可有效降低半导体封装结构发生翘曲的风险，从而利于制造高可靠性的半导体器件，尤其利于制造大尺寸的高可靠性的半导体器件。

    有机锡簇结构及其制备方法、图案化组合物、图案化方法、图案化薄膜、图案化基底和电子元器件
    7.
    发明授权
    有机锡簇结构及其制备方法、图案化组合物、图案化方法、图案化薄膜、图案化基底和电子元器件 有权

    公开(公告)号：CN118239975B

    公开(公告)日：2024-07-30

    申请号：CN202410649350.4

    申请日：2024-05-24

    申请人： 珠海基石科技有限公司

    发明人： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

    IPC分类号： C07F7/22 ,  G03F7/00 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  G03F7/004

    摘要： 本申请提供一种有机锡簇结构及其制备方法、图案化组合物、图案化方法、图案化薄膜、图案化基底和电子元器件，所述有机锡簇结构包括由烷基锡化合物和/或环烷基锡化合物构成的锡团簇骨架、和配位连接于所述锡团簇骨架上的有机配体，所述有机配体包括取代或非取代或主链上含有杂原子的烷氧基、取代或非取代或主链上含有杂原子的烷硫基、取代或非取代或主链上含有杂原子的烷胺基、取代或非取代的芳氧基、取代或非取代的芳硫基、取代或非取代的芳胺基、取代或非取代的杂环基中的一种或多种。该有机锡簇结构具有良好的溶解性，采用该有机锡簇结构制备的组合物能够实现较好的溶液稳定性，并能在紫外光、软X射线或电子束辐照下，实现较好的曝光效果。

    胶材及其制备方法和应用
    8.
    发明公开
    胶材及其制备方法和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN118389081A

    公开(公告)日：2024-07-26

    申请号：CN202410289348.0

    申请日：2024-03-13

    申请人： 珠海基石科技有限公司

    发明人： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

    IPC分类号： C09J7/30 ,  C09J7/38 ,  C09J175/08 ,  C09J175/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

    摘要： 本申请实施例提供一种胶材，用于芯片切割或芯片粘接，胶材包括基膜，设置在所述基膜一侧的压敏胶层，以及设置在所述压敏胶层远离所述基膜一侧的芯片粘接胶膜；其中，所述压敏胶层包括聚氨酯胶黏剂或聚脲胶黏剂，其中，所述压敏胶层为聚氨酯类胶黏剂和/或聚脲类胶黏剂，所述压敏胶层与所述芯片粘接胶膜粘接，所述压敏胶层包括相对所述芯片粘接胶膜突出的延伸部，所述延伸部用于在芯片切割或芯片粘接时与切割件粘接。该胶材的压敏胶层采用低粘的聚氨酯胶黏剂或聚脲胶黏剂，该类胶黏剂能够实现与芯片粘接胶膜的顺利剥离，且柔韧性好，交联性佳，可较好地避免对芯片粘接胶膜的污染。本申请实施例还提供了该胶材的制备方法和应用。

    图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制造方法
    10.
    发明公开
    图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制造方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118707807A

    公开(公告)日：2024-09-27

    申请号：CN202411200625.2

    申请日：2024-08-29

    申请人： 珠海基石科技有限公司

    发明人： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

    IPC分类号： G03F7/004 ,  H01L21/027 ,  G03F1/76

    摘要： 本申请实施例提供一种图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制造方法。该图案化组合物包括基础树脂、光致产酸剂和有机溶剂，所述基础树脂包括酸不稳定重复单元、衍生自特定结构第一单体的第一重复单元和衍生自特定结构第二单体的第二重复单元，且基础树脂中第一重复单元、第二重复单元的摩尔占比分别为20%‑33%、20%‑30%。借助第一重复单元提供的良好亲水性和第二单元重复单元提供的耐刻蚀性，可以使采用该图案化组合物可以制得耐刻蚀性好、图案缺陷率极低的图案化薄膜，以用于半导体器件的制造。