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公开(公告)号：CN103337750B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310306130.3
申请日：2013-07-19
申请人： 西安电力电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种高耐压大电流同轴连接器，适用于高电压、大电流条件下同轴单芯屏蔽电缆的对接，主要应用于大功率新型快速电力半导体器件开关特性测试，也可用于快速电力半导体如IGBT、MOS等器件高频高压大电流设备的同轴高压电缆连接。本发明采用线簧插针与配套的连接头内导电轴对接作为大电流对插连接，使中心导电体具有导通大电流能力。采用多层聚四氟乙烯绝缘套管层叠结构设计，使连接器中心导电体组合与连接器外环导电体具有很高的绝缘耐压能力。整体结构紧凑，固定方便，连接便捷，目前本发明可实现通过1500A、宽度为10ms直流单次电流脉冲，具有隔离12kV直流电压的能力。
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公开(公告)号：CN102944706B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210507249.2
申请日：2012-11-29
申请人： 西安电力电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种自适应电力半导体模块可靠性试验测试夹具，两根导杆固定在底板上，梯形丝杠通过丝杠连接套及推力轴承与滑动板连接，滑动板上安装有导套，导杆穿过导套并可上下滑动；底板上固定散热器，散热器上安装加热板，被测模块置于加热板上。本发明可根据不同的模块外形将其压装于加热板上，使试验温度恒定。本发明可根据模块不同的固定类型自适应调整固定孔的位置，通过调整夹具左右滑动条及前后支撑螺杆的位置，相当于调整压装模块支撑螺杆的坐标，使支撑螺杆准确定位于模块固定孔位置。本发明目前已应用于多种电力半导体模块可靠性试验设备中。
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公开(公告)号：CN102520287A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110427380.3
申请日：2011-12-14
申请人： 西安电力电子技术研究所
摘要： 本发明是一种气动式多触点高压大电流切换开关，主要适用于新型电力半导体器件和模块综合参数测试中大电流、高电压及多参数自动切换。采用高压气源作为动力，气缸作为执行机构，以气缸作为基座，通过导杆将两层固定板连接形成框架，以导杆为导向轴，气缸活塞推动两层活动板上下运动。本发明可实现在稳定状态下具有通过5KA单次正弦半波峰值电流和隔离5KV有效值电压的能力。采用气动部件作为执行机构，可对高电压和大电流进行稳态切换，可同时切换多路需要相互高电压隔离工况下的小电流信号，另外可提供本开关工作位置的状态输出信号，并可根据需要采用相同的零部件任意组合扩展成多组常开触点。目前能很好的满足电力半导体综合测试需要。
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公开(公告)号：CN102520287B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110427380.3
申请日：2011-12-14
申请人： 西安电力电子技术研究所
摘要： 本发明是一种气动式多触点高压大电流切换开关，主要适用于新型电力半导体器件和模块综合参数测试中大电流、高电压及多参数自动切换。采用高压气源作为动力，气缸作为执行机构，以气缸作为基座，通过导杆将两层固定板连接形成框架，以导杆为导向轴，气缸活塞推动两层活动板上下运动。本发明可实现在稳定状态下具有通过5kA单次正弦半波峰值电流和隔离5kV有效值电压的能力。采用气动部件作为执行机构，可对高电压和大电流进行稳态切换，可同时切换多路需要相互高电压隔离工况下的小电流信号，另外可提供本开关工作位置的状态输出信号，并可根据需要采用相同的零部件任意组合扩展成多组常开触点。目前能很好的满足电力半导体综合测试需要。
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公开(公告)号：CN102945796A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210506800.1
申请日：2012-11-29
申请人： 西安电力电子技术研究所
IPC分类号： H01L21/223 , C30B31/16
摘要： 本发明涉及一种对半导体芯片实施高质量开管掺杂的弥漫式恒压气体携带杂质源扩散工艺管，包括管身和管口盖，管身包括外套、内衬和舟撑。本发明高温掺杂工艺过程中由舟撑支撑载片舟而无需舟铲存在于恒温区，管口盖保热性提高、管口管尾分别经流量控制计等流量排气使管内温度气压均匀，杂质源从内衬管壁上分布的弥漫孔弥漫而出、无阻挡进入恒温区使所有待掺杂芯片的整个表面同条件地接触到杂质源。使用本发明对大直径半导体芯片进行气体携带液态源掺杂，达到高的均匀性、重复性以保证大直径分立器件的电特性及特殊应用要求，同时显著提高生产成品率。
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公开(公告)号：CN102944706A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210507249.2
申请日：2012-11-29
申请人： 西安电力电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种自适应电力半导体模块可靠性试验测试夹具，两根导杆固定在底板上，梯形丝杠通过丝杠连接套及推力轴承与滑动板连接，滑动板上安装有导套，导杆穿过导套并可上下滑动；底板上固定散热器，散热器上安装加热板，被测模块置于加热板上。本发明可根据不同的模块外形将其压装于加热板上，使试验温度恒定。本发明可根据模块不同的固定类型自适应调整固定孔的位置，通过调整夹具左右滑动条及前后支撑螺杆的位置，相当于调整压装模块支撑螺杆的坐标，使支撑螺杆准确定位于模块固定孔位置。本发明目前已应用于多种电力半导体模块可靠性试验设备中。
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公开(公告)号：CN102945796B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210506800.1
申请日：2012-11-29
申请人： 西安电力电子技术研究所
IPC分类号： H01L21/223 , C30B31/16
摘要： 本发明涉及一种对半导体芯片实施高质量开管掺杂的弥漫式恒压气体携带杂质源扩散工艺管，包括管身和管口盖，管身包括外套、内衬和舟撑。本发明高温掺杂工艺过程中由舟撑支撑载片舟而无需舟铲存在于恒温区，管口盖保热性提高、管口管尾分别经流量控制计等流量排气使管内温度气压均匀，杂质源从内衬管壁上分布的弥漫孔弥漫而出、无阻挡进入恒温区使所有待掺杂芯片的整个表面同条件地接触到杂质源。使用本发明对大直径半导体芯片进行气体携带液态源掺杂，达到高的均匀性、重复性以保证大直径分立器件的电特性及特殊应用要求，同时显著提高生产成品率。
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公开(公告)号：CN103337750A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310306130.3
申请日：2013-07-19
申请人： 西安电力电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种高耐压大电流同轴连接器，适用于高电压、大电流条件下同轴单芯屏蔽电缆的对接，主要应用于大功率新型快速电力半导体器件开关特性测试，也可用于快速电力半导体如IGBT、MOS等器件高频高压大电流设备的同轴高压电缆连接。本发明采用线簧插针与配套的连接头内导电轴对接作为大电流对插连接，使中心导电体具有导通大电流能力。采用多层聚四氟乙烯绝缘套管层叠结构设计，使连接器中心导电体组合与连接器外环导电体具有很高的绝缘耐压能力。整体结构紧凑，固定方便，连接便捷，目前本发明可实现通过1500A、宽度为10ms直流单次电流脉冲，具有隔离12kV直流电压的能力。
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公开(公告)号：CN101931003A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910219199.6
申请日：2009-11-27
申请人： 西安电力电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种正反向对称P型径向变掺杂、类台面负角造型结终端晶闸管，较高浓度P型掺杂层在低浓度P-型掺杂层上形成的高低结为非平行平面结，其结面产生弯曲变化避免较高浓度P型杂质进入结终端区，正、反向结终端区边缘为类台面负角造型。正反向对称的P型径向变掺杂具有双面减薄P-区的作用；正反向对称的类台面负角造型，具有减薄长基区、减小自身占用面积、增大阴极面积并使正反向耐压对称的作用。本发明同时具有正反向阻断电压对称，长、短基区无附加厚度，阴极面积最大的特点。用相同电阻率及直径的原始硅材料，本发明制造的晶闸管阻断电压最高、转折电压与芯片厚度之比最高、阴极面积最大。
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公开(公告)号：CN201655807U
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200920245474.7
申请日：2009-11-27
申请人： 西安电力电子技术研究所
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L21/332
摘要： 本实用新型涉及一种双向阻断晶闸管正反向对称P型径向变掺杂结构，较高浓度P型掺杂层在低浓度P-型掺杂层上形成的高低结为非平行平面结，其结面产生弯曲变化避免较高浓度P型杂质进入双负角造型结终端区，本实用新型具有双面减薄P-区的作用，使特高压双向阻断硅晶闸管同时具有正反向阻断电压对称，长、短基区及阳极面P-区无附加厚度，电压片厚比最高的特点。适用于制造电压片厚比最高的双向阻断晶闸管。
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