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公开(公告)号：CN113689992B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111030260.X
申请日：2021-09-03
申请人： 贵溪穿越光电科技有限公司
发明人： 周祥
IPC分类号： H01B13/00
摘要： 本发明属于半导体薄膜技术领域，尤其是一种透明导电薄膜制备方法，针对存在的基底要求高、真空环境才能生产的问题，现提出以下方案，包括以下步骤，S1，薄膜生产中，制备薄膜基底首先经过清洗，清洗经过HCl再超声下清洗8‑10min，再利用NaOH溶液超声清洗8‑10min，最后利用丙酮超声清洗8‑10min，每个试剂清洗间隔均利用去离子水超声清洗8‑10min，最后利用氮气吹干薄膜基底表面。本发明采用喷雾热解法，采用普通的硅硼玻璃为基底，其对真空、气氛等试验条件要求不高，喷涂部分利用雾化器喷雾技术替代传统方法制备出了透过率达90%的ATO薄膜，在大面积生产ATO薄膜时能获得很好的经济效益。
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公开(公告)号：CN112909097B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110219358.3
申请日：2021-02-27
申请人： 贵溪穿越光电科技有限公司
发明人： 蔡杰
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及电子材料制备的技术领域，提供了一种石墨烯/黑磷烯复合薄膜晶体管及制备方法。该复合薄膜晶体管是通过先制备氮掺杂石墨烯及氯化重氮苯改性黑磷烯，然后将二者加入去离子水中形成分散液，再将分散液采用交流电泳法在高掺杂硅基片上的源极和漏极之间的沟道中进行沉积，经自然晾干而制得。本发明制得的石墨烯/黑磷烯复合薄膜晶体管结合了石墨烯载流子迁移率高、黑磷烯开关电流比大的优点，并且稳定性好。
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公开(公告)号：CN112909096B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110219343.7
申请日：2021-02-27
申请人： 贵溪穿越光电科技有限公司
发明人： 蔡杰
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及电子显示材料的技术领域，提供了一种氧化锌/氧化镍透明薄膜晶体管及制备方法。所述透明薄膜晶体管是以高掺杂硅片为底栅极，以二氧化硅为绝缘层，以氧化锌/氧化镍复合薄膜为半导体沟道材料，以Al为源极和漏极。其中，氧化锌/氧化镍复合薄膜是以六水合硝酸锌、六水合硝酸镍、氨基酸、去离子水组成的前驱体溶液经超声喷雾热解而附着于绝缘层上的。其中，氨基酸为L‑组氨酸或L‑半胱氨酸中的一种。本发明制得的薄膜晶体管的载流子迁移率达到38cm2·V‑1·s‑1以上，并且在正栅偏压应力、负栅偏压应力、自加热应力等电应力作用下均具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN112500566B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202011277759.6
申请日：2020-11-16
申请人： 贵溪穿越光电科技有限公司(CN)
发明人： 徐娟
摘要： 本发明提出了一种耐热透明聚酰亚胺薄膜及其制备方法，通过聚酰亚胺的末端氨基和异氰酸丙基三乙氧基硅烷进行键合，既提高了二氧化硅与聚酰亚胺的界面相容性，又改变了聚酰亚胺本身结构，增强了分子间作用力，从而使所得聚酰亚胺膜的透光性、热性能及力学性能得到明显改善。
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公开(公告)号：CN111364147B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010278473.3
申请日：2020-04-10
申请人： 贵溪穿越光电科技有限公司
发明人： 刘敬斌
IPC分类号： D03D15/44 , D04B1/14 , D04B1/16 , D04B21/00 , D02G3/04 , D02G3/36 , D01D5/24 , D01D5/253 , B05D1/00 , B05D5/06 , B05D5/12 , B05D7/24
摘要： 本发明公开了一种内置Micro LED易纺织发光导电纤维材料的应用，包括纤维本体和中心加强芯，纤维本体的外表面螺旋均布有外突出部，相邻外突出部之间形成凹陷卡锁槽，纤维本体的内表面对应凹陷卡锁槽形成有内突出部以及对应外突出部形成有元件容置槽，元件容置槽的槽底面沿其长度方向设有石墨烯导电层，石墨烯导电层上间隔固定有若干个Micro LED元件；中心加强芯插入纤维本体内，中心加强芯沿元件容置槽的长度方向设有由两个反光斜面相交构成的反光突起，反光突起的夹角突伸入元件容置槽；本发明具有体积更小，发光亮度更高的特点，发光纤维之间能够相互套嵌实现定位，无需对发光纤维方向进行控制，增强纺织品的纺织强度，大大提高发光纤维的纺织工艺性。
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公开(公告)号：CN108807679B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810594173.9
申请日：2018-06-11
申请人： 贵溪穿越光电科技有限公司
发明人： 张军
摘要： 本发明涉及一种Si‑PEDOT:PSS有机无机杂化太阳能电池及其制备方法，该方法包括n型单晶硅片的制绒处理；设置金属铜阻挡层并在含氧气氛中进行热处理，使得所述n型单晶硅片中的所述第二区的表面的掺杂浓度低于所述n型单晶硅片内部的掺杂浓度；去除金属铜阻挡层和氧化硅层；第一、第二、第三PEDOT:PSS层的制备；正面栅电极的制备；氟化锂薄层以及背面电极的制备。本发明制备的Si‑PEDOT:PSS有机无机杂化太阳能电池性能优异。
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公开(公告)号：CN113248664B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110684624.X
申请日：2021-06-21
申请人： 贵溪穿越光电科技有限公司
发明人： 胡平
IPC分类号： C08F283/12 , C08F226/00 , C08F212/14 , C09K11/06
摘要： 本发明公开了一种用于OLEDs显示屏中电致发光材料的制备方法，包括将2‑蒽甲醛、邻苯二胺和焦亚硫酸钠加入到容器，加入N,N‑二甲基甲酰胺和去离子水的混合溶剂，在氮气下回流反应，将产物移入蒸馏水中搅拌抽滤，用乙醇溶液重结晶，得产物I；将产物I和三氯化铱加入到容器，加入2‑甲氧基乙醇和去离子水，在氮气下回流反应，冷却、过滤，洗涤，得产物II；将产物II和乙烯基苯甲酸加入到容器，加入碳酸钠和溶剂，搅拌在氮气下回流反应，用饱和氯化钠溶液和乙酸乙酯进行萃取，得产物III；将产物III、多面体低聚硅氧烷和3,6‑二乙烯基咔唑加入到四氢呋喃溶液，滴加溶剂量1％的引发剂偶氮二异丁氰反应，冷却旋蒸，洗涤后再索提，用甲醇析出，真空干燥得到所述材料。
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