公开(公告)号：CN100354998C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN01817809.X

申请日：2001-08-14

申请人： H·C·旋塔克股份有限公司

发明人： C·施尼特 ,  K·雷彻特

IPC分类号： H01G9/042

CPC分类号： H01G9/0032 ,  H01G9/042 ,  Y10T29/417

摘要： 本发明涉及一种包含铌基电阻层的阳极，该电阻层包含铌金属芯、铌低氧化物导电层和五氧化铌组成的介电电阻层。

公开(公告)号：CN1471716A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN01817809.X

申请日：2001-08-14

申请人： H·C·旋塔克股份有限公司

发明人： C·施尼特 ,  K·雷彻特

IPC分类号： H01G9/042

CPC分类号： H01G9/0032 ,  H01G9/042 ,  Y10T29/417

摘要： 本发明涉及一种包含铌基电阻层的阳极，该电阻层包含铌金属芯、铌低氧化物导电层和五氧化铌组成的介电电阻层。