公开(公告)号：CN100334690C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03806441.3

申请日：2003-03-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 宫川诚史 ,  片冈真 ,  中岛纯 ,  才本芳久 ,  早川慎一 ,  藤井靖久

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/31935

Abstract: 本发明的半导体晶片表面保护用粘结膜在基层材料膜的单侧表面上形成粘结剂层，该粘结剂层含有：：100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Ta)在一50～5℃的聚合物(A)；10～100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Tb)大于5℃，小于等于50℃的聚合物(B)；和相对于100重量份的上述(A)及(B)的合计量的0.1～10重量份的在1个分子中具有2个或2个以上的交联反应性官能团的交联剂(C)，所述粘结剂层的厚度是5～50μm，该半导体晶片表面保护用粘结膜具有优良的粘合性、防止破损性和非污染件。

公开(公告)号：CN1643657A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806441.3

申请日：2003-03-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 宫川诚史 ,  片冈真 ,  中岛纯 ,  才本芳久 ,  早川慎一 ,  藤井靖久

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/31935

Abstract: 本发明的半导体晶片表面保护用粘结膜在基体材料膜的单侧表面上形成粘结剂层，该粘结剂层含有：100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Ta)在－50～5℃的聚合物(A)；10～100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Tb)大于5℃，小于等于50℃的聚合物(B)；和相对于100重量份的上述(A)及(B)的合计量的0.1～10重量份的在1个分子中具有2个或2个以上的交联反应性官能团的交联剂(C)，所述粘结剂层的厚度是5～50μm，该半导体晶片表面保护用粘结膜具有优良的粘合性、防止破损性和非污染性。