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公开(公告)号：CN101472844A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023279.3
申请日：2007-06-26
Applicant: 三井金属鉱业株式会社
IPC: C01G33/00
CPC classification number: C01G33/00 , C01P2002/72 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/40 , H01G9/052 , H01G9/0525
Abstract: 本发明的目的是提供可制得小型且具备大静电容量的电容器的一氧化铌。本发明的一氧化铌是由粒子构成的多孔质结构的一氧化铌，其特征在于，X射线衍射的衍射峰中，相当于(111)面的峰或相当于(200)面的峰的半宽度为0.21°～1.0°。该一氧化铌的比表面积及空隙率大，特别适用于电容器的用途。
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