一种提高Mo-Co-S超级电容器容量的方法

    公开(公告)号:CN113380551B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202110542589.8

    申请日:2021-05-18

    申请人: 三峡大学

    摘要: 本发明公开了一种提高Mo‑Co‑S超级电容器容量的方法。采用CVD法对低晶态Mo‑Co‑S进行P掺杂处理,得到Mo‑Co‑S/P;对Mo‑Co‑S/P进行过电压恒流充电处理,此时样品表面由完整的沟壑形貌分裂成具有许多明显间隙的块状结构,并且这种块状物质上产成了大量堆积的直径约为50~100nm的纳米球状颗粒和厚度约为100nm的纳米片,为电化学反应提供了更多的活性位点。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价,10 mA/cm2电流密度下,Mo‑Co‑S容量仅为0.72 F/cm2,P掺杂处理后提升为4.16 F/cm2,过电压恒流充电处理后最大容量可达9.64 F/cm2,是未经充电处理的Mo‑Co‑S/P电极容量的2.3倍,是Mo‑Co‑S电极的13.4倍;同时,直接对未P掺杂的Mo‑Co‑S进行相同条件的过电压恒流充电处理,其容量仅为1.43 F/cm2。

    一种提高Mo-Co-S超级电容器容量的方法

    公开(公告)号:CN113380551A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202110542589.8

    申请日:2021-05-18

    申请人: 三峡大学

    摘要: 本发明公开了一种提高Mo‑Co‑S超级电容器容量的方法。采用CVD法对低晶态Mo‑Co‑S进行P掺杂处理,得到Mo‑Co‑S/P;对Mo‑Co‑S/P进行过电压恒流充电处理,此时样品表面由完整的沟壑形貌分裂成具有许多明显间隙的块状结构,并且这种块状物质上产成了大量堆积的直径约为50~100nm的纳米球状颗粒和厚度约为100nm的纳米片,为电化学反应提供了更多的活性位点。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价,10 mA/cm2电流密度下,Mo‑Co‑S容量仅为0.72 F/cm2,P掺杂处理后提升为4.16 F/cm2,过电压恒流充电处理后最大容量可达9.64 F/cm2,是未经充电处理的Mo‑Co‑S/P电极容量的2.3倍,是Mo‑Co‑S电极的13.4倍;同时,直接对未P掺杂的Mo‑Co‑S进行相同条件的过电压恒流充电处理,其容量仅为1.43 F/cm2。

    硫化钼和磷掺杂协同活化碳酸羟基钴电极的方法

    公开(公告)号:CN115863067A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202310045893.0

    申请日:2023-01-30

    申请人: 三峡大学

    IPC分类号: H01G11/86 H01G11/30 H01G11/24

    摘要: 本发明公开了硫化钼和磷掺杂协同活化碳酸羟基钴电极的方法。首先在泡沫镍基底上制备碳酸羟基钴前驱体;然后采用水热法在CCHH表面负载硫化钼,得到CCHH/Mo‑S;接着对CCHH/Mo‑S进行磷化处理,得到CCHH/Mo‑S/P;最后采用计时电位法对CCHH/Mo‑S/P进行活化处理,得到最终产物CCHH/Mo‑S/P/A。CCHH/Mo‑S/P/A在40 mA/cm2的大电流下,反复充放电10000次后,容量保持率仍然高达85%及以上,说明硫化钼和磷掺杂共同辅助的活化策略不仅显著提升了CCHH的容量,而且得到的样品具有优异的循环稳定性。