公开(公告)号：CN104276601B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201410131298.X

申请日：2014-04-02

申请人： 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

发明人： 崔千基 ,  牟然坤 ,  金显栽 ,  林炫秀 ,  金是鐏 ,  郑泰秀 ,  林裕承

IPC分类号： C01G30/00 ,  C01G19/00 ,  C03C17/23

摘要： 根据本公开的一方面，提供了用于形成锡氧化物半导体的组合物，其包含锡前体化合物、锑前体化合物以及溶剂。还提供了形成锡氧化物半导体薄膜的方法。所述方法包括制备包括溶解在溶剂中的锡前体化合物和锑前体化合物的组合物；将所述组合物涂覆在衬底上；以及在涂覆所述组合物的衬底上进行热处理。

公开(公告)号：CN104276601A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410131298.X

申请日：2014-04-02

申请人： 三星显示有限公司 ,  延世大学校产学协力团

发明人： 崔千基 ,  牟然坤 ,  金显栽 ,  林炫秀 ,  金是鐏 ,  郑泰秀 ,  林裕承

IPC分类号： C01G30/00 ,  C01G19/00 ,  C03C17/23

CPC分类号： H01L21/02565 ,  H01L21/02628

摘要： 根据本公开的一方面，提供了用于形成锡氧化物半导体的组合物，其包含锡前体化合物、锑前体化合物以及溶剂。还提供了形成锡氧化物半导体薄膜的方法。所述方法包括制备包括溶解在溶剂中的锡前体化合物和锑前体化合物的组合物；将所述组合物涂覆在衬底上；以及在涂覆所述组合物的衬底上进行热处理。