公开(公告)号：CN109755178A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811182469.6

申请日：2018-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东佑 ,  柳志昊 ,  姜栋薰 ,  金善培 ,  朴文汉

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/266

Abstract: 提供了制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路器件，扩散缓冲层和含碳层在形成于衬底中的多个鳍型有源区上顺序地形成。含碳掩模图案通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻含碳层而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口，同时扩散缓冲层阻止氧扩散到鳍型有源区中。杂质离子使用含碳掩模图案作为离子注入掩模经由开口和扩散缓冲层注入到一些鳍型有源区中，所述一些鳍型有源区从所述多个鳍型有源区之中选择。

公开(公告)号：CN114792699A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210079601.0

申请日：2022-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张钟光 ,  姜栋薰 ,  金振泳 ,  吴光永 ,  李泰宪

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括具有第一表面和第二表面的衬底。分离结构穿透衬底。光电转换器件区域在衬底中彼此间隔开。滤色器设置在衬底的第二表面上。微透镜设置在滤色器上。分离结构包括下分离图案和上分离图案、彼此平行延伸的第一线部分以及与第一线部分垂直交叉的第二线部分。下分离图案的上表面或上分离图案的下表面具有波浪形状或锯齿形状。在其中第一线部分和第二线部分交叉的交叉区域中，下分离图案和上分离图案中的一个的垂直长度是另一个的垂直长度的约2至10倍。

公开(公告)号：CN109390218A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810768330.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜栋薰 ,  姜东佑 ,  朴文汉 ,  柳志昊 ,  张钟光

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括：在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。

公开(公告)号：CN109755178B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201811182469.6

申请日：2018-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东佑 ,  柳志昊 ,  姜栋薰 ,  金善培 ,  朴文汉

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/266

Abstract: 提供了制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路器件，扩散缓冲层和含碳层在形成于衬底中的多个鳍型有源区上顺序地形成。含碳掩模图案通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻含碳层而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口，同时扩散缓冲层阻止氧扩散到鳍型有源区中。杂质离子使用含碳掩模图案作为离子注入掩模经由开口和扩散缓冲层注入到一些鳍型有源区中，所述一些鳍型有源区从所述多个鳍型有源区之中选择。

公开(公告)号：CN109390218B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201810768330.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜栋薰 ,  姜东佑 ,  朴文汉 ,  柳志昊 ,  张钟光

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括：在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。

公开(公告)号：CN114464636A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111303999.3

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜栋薰 ,  吴光永 ,  张锺光 ,  金振泳 ,  李泰宪

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，具有彼此背对的第一侧和第二侧；多个光电区域，在半导体基底的第一区域中沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在半导体基底中；以及第一分隔结构，在半导体基底的第一区域中设置在所述多个光电区域之间。第一分隔结构包括下分隔结构和设置在下分隔结构上方的上分隔结构，第一分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在第一方向上延伸的线性部分，其中，在第一分隔结构的线性部分的在第一方向上的剖面结构中，下分隔结构的上表面和上分隔结构的下表面中的至少一个具有波状形状。