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公开(公告)号：CN113903765A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110556950.2
申请日：2021-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：第一导电线；布置在第一导电线上的第二导电线；在第一导电线和第二导电线之间的交叉处的第一单元结构，每个第一单元结构包括开关图案和可变电阻图案；第一掩埋结构，填充第一导电线之间的第一沟槽；以及第二掩埋结构，填充第一单元结构之间的第二沟槽。每个第一掩埋结构包括覆盖对应的第一沟槽的侧壁的第一衬垫图案、设置在第一衬垫图案上以及在所述对应的第一沟槽中的第一填充图案、以及密封所述对应的第一沟槽的第一覆盖图案。第二掩埋结构在所述多个第二沟槽中延伸，并与第一掩埋结构的第一覆盖图案连接。
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