公开(公告)号：CN120072010A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411043331.3

申请日：2024-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴廷浩 ,  慎钒揆 ,  金命奎

IPC: G11C29/42 ,  G06F3/06

Abstract: 提供了一种存储器器件、一种存储器控制器以及包括存储器器件和存储器控制器的存储装置，该存储器器件包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列其包括存储第一数据的第一存储器区域；页缓冲器，该页缓冲器包括被配置为存储从存储器单元阵列转储的数据的第一锁存器；以及控制逻辑电路，该控制逻辑电路被配置为从外部装置接收奇偶校验调节信息并控制存储器单元阵列的操作。第一数据包括第一用户数据和第一奇偶校验数据，该第一奇偶校验数据包括基于第一用户数据生成的奇偶校验位，并且控制逻辑电路将大小基于奇偶校验调节信息被调节的第一奇偶校验数据转储到第一锁存器。

公开(公告)号：CN120020697A

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202411602011.7

申请日：2024-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴真用 ,  朴廷浩 ,  金仁寿 ,  昔浚荣 ,  郑宰溶

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了一种存储设备和该存储设备的操作方法。所述存储设备包括非易失性存储器，所述非易失性存储器包括虚拟块，所述虚拟块包括存储逻辑页面编号(LPN)和物理页面编号(PPN)的对(LPN‑PPN对)的L2P对区域和存储寻址到所述PPN的数据的数据区域；易失性存储器，所述易失性存储器包括存储与所述LPN相对应的虚拟块编号(VBN)的L2V表、存储所述LPN‑PPN对的L2P高速缓存和存储虚拟块的L2P对区域中存储的LPN的一部分的LPN范围映射；以及控制器，其被配置为控制非易失性存储器和易失性存储器。

公开(公告)号：CN118445222A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410100949.2

申请日：2024-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴廷浩 ,  金仁寿 ,  慎钒揆 ,  郑宰溶

IPC: G06F12/0873

Abstract: 提供存储器装置、存储器系统和存储器系统的操作方法。在一些实施例中，用于与主机通信的存储器系统包括存储第一映射信息的非易失性存储器装置、存储第二映射信息的易失性存储器装置、以及存储器控制器。第一映射信息指示逻辑地址与第一物理地址的一部分之间的关系。第一物理地址指示存储用户数据的位置。第二映射信息指示逻辑地址与第二物理地址之间的第二关系，第二物理地址与第一物理地址的剩余部分对应。存储器控制器被配置为获得已经从主机接收的目标逻辑地址，并且基于第二映射信息确定映射到目标逻辑地址的目标第二物理地址。非易失性存储器装置被配置为通过使用第一映射信息来获得目标第一物理地址。

公开(公告)号：CN118538744A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410113525.X

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴廷浩

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及一种图像传感器及其制造方法，并且该图像传感器可以包括：衬底，其包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，第一表面和第二表面之间具有厚度；多个单位像素，其包括位于衬底内的光电转换层；像素隔离图案，其在多个单位像素之间在衬底内从衬底的第二表面延伸到衬底的第一表面；和表面绝缘膜，其具有平坦的上表面和下表面，并且设置在衬底的多个单位像素和像素隔离图案上，其中，像素隔离图案包括：包括第一材料的第一像素隔离填充膜、第一空隙、包括第二材料的第二像素隔离填充膜和第二空隙，所述第二像素隔离填充膜从第二表面向第一表面延伸，第二空隙位于第二像素隔离填充膜和第一表面之间，并且第一材料与第二材料彼此不同。