公开(公告)号：CN113870173A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110724775.3

申请日：2021-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰勋 ,  郑在皓 ,  高汀勋 ,  金宗沅 ,  郑叡真 ,  郑椙旭

IPC: G06T7/00 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06N20/00 ,  H01L21/027

Abstract: 一种用于半导体制造工艺的邻近校正方法，包括：从多个样本区域产生多条原始图像数据，其中样本区域从半导体制造工艺中使用的布局数据中选择；从多条原始图像数据中去除彼此重叠的一些条原始图像数据，导致多条输入图像数据；将多条输入图像数据输入到机器学习模型；从机器学习模型获得包括在多条输入图像数据中的目标图案的临界尺寸的预测值；在半导体制造工艺在其上被执行的半导体衬底上测量对应于目标图案的实际图案的临界尺寸的结果值；以及使用预测值和结果值来执行机器学习模型的学习。