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公开(公告)号：CN117636954A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310844698.4
申请日：2023-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/417 , G11C11/419
Abstract: 提供了一种包括参考电压发生器的SRAM及其读取方法，所述静态随机存取存储器，包括：存储单元，其存储数据；参考电压发生器，其生成参考电压；预充电电路，其通过位线与所述存储单元连接、通过参考位线与所述参考电压发生器连接，并且对所述位线和所述参考位线进行预充电；以及读出放大器，其与所述位线和所述参考位线连接，将所述位线的电压与所述参考位线的电压进行比较以生成比较结果，并且基于所述比较结果来确定存储在所述存储单元中的所述数据的值。所述参考电压发生器包括第一类型晶体管。
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