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公开(公告)号：CN119028977A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410048377.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；源/漏图案，在半导体衬底上沿第一方向间隔开；以及沟道图案，在半导体衬底上，其中，沟道图案中的至少一个沟道图案在源/漏图案中的相邻的源/漏图案之间，其中，沟道图案中的至少一个沟道图案包括多个半导体图案，并且多个半导体图案沿垂直于半导体衬底的上表面的第二方向彼此间隔开，其中，半导体衬底包括{110}晶面，其中，沟道图案中的至少一个沟道图案包括表面图案，其中，表面图案包括第一表面和第二表面，其中，第一表面包括突出边缘，其中，第二表面通过突出边缘分别连接到第一表面，并且其中，突出边缘沿第三方向布置。
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