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公开(公告)号：CN118538707A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311385735.6
申请日：2023-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/60
Abstract: 根据实施例的半导体结构可以包括：互连结构，在基板上；层间介电层，在互连结构上；第一导电焊盘，在层间介电层内并与互连结构电耦接；第二导电焊盘，在层间介电层内并与互连结构电解耦；第一过孔插塞，在层间介电层内；以及接合结构，在层间介电层上并包括第一接合焊盘、多个第二接合焊盘、以及接合介电层，其中，第一接合焊盘电耦接到第一过孔插塞，多个第二接合焊盘中的一些第二接合焊盘在竖直方向上与第一导电焊盘间隔开，并且多个第二接合焊盘中的其他第二接合焊盘在竖直方向上与第二导电焊盘间隔开。
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公开(公告)号：CN118367005A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410069484.9
申请日：2024-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：第一半导体芯片，包括具有像素单元的第一半导体基底、具有第一布线层的第一布线结构和第一接合垫；第二半导体芯片，包括具有第一表面和第二表面的第二半导体基底、在第一表面上的与第一布线结构接触且具有第二布线层的第二布线结构、接合到第一接合垫的第二上接合垫、以及连接到第二布线层且延伸到第二表面的过孔结构；接合层，包括在第二表面上的接合绝缘层和连接到过孔结构的第二下接合垫；以及第三半导体芯片，包括第三半导体基底、与接合绝缘层接触的第三布线结构和接合到第二下接合垫的第三接合垫。
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公开(公告)号：CN117594552A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310974718.X
申请日：2023-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一半导体器件；第二半导体芯片，包括第二半导体器件；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的接合结构，该接合结构包括第一接合焊盘、第一接合绝缘层、与第一接合焊盘接触的第二接合焊盘、以及与第一接合绝缘层接触的第二接合绝缘层。第一接合焊盘可以包括第一焊盘金属层和围绕第一焊盘金属层的第一导电阻挡层，并且第一导电阻挡层可以包括在第一焊盘金属层的上表面的边缘上延伸的水平延伸部。
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公开(公告)号：CN119852245A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410498253.X
申请日：2024-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的顶表面上，并且具有小于第一半导体芯片的宽度；以及模制层，在第一半导体芯片上，并且围绕第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一半导体衬底和在第一半导体衬底的顶表面上的第一电路层。第一半导体衬底包括与第一半导体衬底的顶表面相邻的第一部分和与第一半导体衬底的底表面相邻的第二部分。第一部分和第二部分包括相同的半导体材料。第一部分具有单晶结构。第二部分可以具有多晶结构。
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公开(公告)号：CN119695039A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410532426.5
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体封装可以包括第一介电结构、在该第一介电结构中的第一焊盘、设置在该第一介电结构上的第一半导体芯片、以及电连接到该第一焊盘的凸块。第一半导体芯片包括：第一衬底；第一芯片介电层，与第一介电结构接触；以及第一芯片焊盘，与第一焊盘的顶表面接触。第一焊盘可以设置在凸块与第一半导体芯片的第一芯片焊盘之间。第一焊盘可以包括第一导电层和被第一导电层覆盖的第二导电层。凸块可以被定位为相比于距第二导电层的距离更靠近第一导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115985890A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211245874.4
申请日：2022-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L23/482
Abstract: 一种半导体封装可以包括再分布基板、在再分布基板上的第一半导体芯片以及在再分布基板和第一半导体芯片之间的第二半导体芯片。第二半导体芯片可以在第一方向上具有比第一半导体芯片在第一方向上的宽度小的宽度。第一半导体芯片可以包括在其底表面上的第一对准标记图案。第二半导体芯片可以与第一对准标记图案间隔开。第二半导体芯片可以包括在第一半导体芯片的底表面上的第二互连层、在第二互连层的底表面上并暴露第二互连层的边缘区域的底表面的第二半导体基板、以及在第二互连层的边缘区域上的第二对准标记图案。
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公开(公告)号：CN113937073A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110383497.X
申请日：2021-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/48
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括半导体基板和位于所述半导体基板的顶表面上的再分布图案，所述再分布图案具有暴露所述再分布图案的内侧壁的孔；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片的顶表面上；和凸块结构，所述凸块结构设置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间。所述凸块结构设置在所述孔中，并且与所述再分布图案的所述内侧壁接触。
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公开(公告)号：CN119317119A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410395508.X
申请日：2024-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L25/065 , H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本公开涉及半导体封装件以及制造半导体封装件的方法。示例性半导体封装件包括：第一半导体管芯，所述第一半导体管芯包括第一基板和位于所述第一基板上的第一接合层；第二半导体管芯，所述第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯上，所述第二半导体管芯包括第二基板和位于所述第二基板下方的第二接合层；以及氧化硅层，所述氧化硅层插入在所述第一半导体管芯与所述第二半导体管芯之间，其中，在所述氧化硅层中设置有至少一个孔，并且所述至少一个孔的高度为#imgabs0#至2nm。
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公开(公告)号：CN110828447A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910730049.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/482
Abstract: 本公开提供了半导体封装件及其制造方法。一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，其位于第一半导体芯片上；第一半导体结构和第二半导体结构，其位于第一半导体芯片上并且在第二半导体芯片上彼此间隔开；以及含树脂构件，其插入在第二半导体芯片和第一半导体结构之间，并插入在第二半导体芯片和第二半导体结构之间。半导体封装件可以在晶片级制造。
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公开(公告)号：CN119947124A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411220721.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体芯片，包括：衬底；衬底上的多个上焊盘，该多个上焊盘包括第一组上焊盘和第二组上焊盘；缓冲层，覆盖第一组上焊盘的侧表面；以及绝缘层，在衬底上围绕第二组上焊盘的侧表面和缓冲层的侧表面，其中，缓冲层包括第一材料，该第一材料的第一杨氏模量小于多个上焊盘中的第二材料的第二杨氏模量。
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