半导体器件
    1.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN116978900A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202310417343.7

    申请日:2023-04-18

    摘要: 一种半导体器件包括:基板,包括键区域;虚设有源图案,提供在键区域上;虚设沟道图案,提供在虚设有源图案上,虚设沟道图案包括彼此间隔开的第一多个半导体图案;外延图案,连接到虚设沟道图案;以及第一子键图案,提供在虚设沟道图案上。第一子键图案围绕第一多个半导体图案中的每个的顶表面、底表面和侧表面。

    包括玻璃壳体的电子设备

    公开(公告)号:CN108236184A

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201711417652.5

    申请日:2017-12-25

    IPC分类号: A45C11/00 H04M1/18

    摘要: 一种电子设备可以包括:壳体,其包括两个相对的敞开端部和包括透光材料的至少一部分;支架,其设置在壳体内并具有与壳体对应的形状;柔性显示设备,其设置在壳体和支架之间,并且配置为通过壳体的透光部分向外部显示信息;以及多个盖,其封闭壳体的敞开端部并且支撑支架的两个相对端部,其中支架可以包括用于安装电子部件的内部空间,并且支架在至少一个方向上可调节长度。壳体可以由玻璃管形成。因此,壳体可以通过加工玻璃管而形成为期望的形状。可伸展支架结构可以在壳体内部实施并且与壳体紧密接触。

    极紫外(EUV)光掩模
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117192886A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202310678851.0

    申请日:2023-06-08

    摘要: 本发明提供一种极紫外(EUV)光掩模,其可以包括掩模结构,该掩模结构包括主区域、围绕主区域的划线道区域、在划线道区域外侧且彼此分开并且各自具有相同的第一宽度的缓冲区域、以及在缓冲区域外侧的黑色边界区域。缓冲区域可以包括第一缓冲区域、第二缓冲区域和第三缓冲区域。黑色边界区域可以包括第一拐角区域、第二拐角区域和第三拐角区域。第一拐角区域可以接触第一缓冲区域和第二缓冲区域。第二拐角区域可以接触第一缓冲区域、第三缓冲区域和划线道区域的一边。第三拐角区域可以接触第二缓冲区域和第三缓冲区域。

    包括玻璃壳体的电子设备

    公开(公告)号:CN108236184B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201711417652.5

    申请日:2017-12-25

    IPC分类号: A45C11/00 H04M1/18

    摘要: 一种电子设备可以包括:壳体,其包括两个相对的敞开端部和包括透光材料的至少一部分;支架,其设置在壳体内并具有与壳体对应的形状;柔性显示设备,其设置在壳体和支架之间,并且配置为通过壳体的透光部分向外部显示信息;以及多个盖,其封闭壳体的敞开端部并且支撑支架的两个相对端部,其中支架可以包括用于安装电子部件的内部空间,并且支架在至少一个方向上可调节长度。壳体可以由玻璃管形成。因此,壳体可以通过加工玻璃管而形成为期望的形状。可伸展支架结构可以在壳体内部实施并且与壳体紧密接触。

    半导体器件
    6.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN116613144A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310105816.X

    申请日:2023-02-13

    IPC分类号: H01L23/544 G03F7/20

    摘要: 一种半导体器件包括:基板,包括套刻标记区域;以及在套刻标记区域上的多个标记图案。所述多个标记图案包括第一标记图案、第二标记图案、第三标记图案、第四标记图案、第五标记图案、第六标记图案和第七标记图案。第二标记图案至第七标记图案被排列为在顺时针方向上围绕第一标记图案并具有形成六边形形状的中心点。