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公开(公告)号：CN1725471A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510082046.3
申请日：2005-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C16/0433 , H01L27/11524
Abstract: 提供了一种形成隧穿绝缘层的方法，由所述方法形成的隧穿绝缘层的尺寸小于通过光刻工艺的分辨率得到的尺寸。所述方法包括的步骤有：在衬底上形成第一绝缘层和第二绝缘层；形成可再次流动的材料层图案，并使之再次流动；去除第二绝缘层和第一绝缘层，以暴露所述衬底；以及形成隧穿绝缘层。
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