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公开(公告)号：CN117334672A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310359231.0
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体器件可以包括：第一衬底，包括器件区和边缘区；第一绝缘结构，在第一衬底上；第一金属焊盘和第一虚设焊盘，在第一绝缘结构的最上端处；第二绝缘结构，在第一绝缘结构上；第二金属焊盘和第二虚设焊盘，在第二绝缘结构的最下端处；第一互连结构，在第一绝缘结构中，电连接到第一金属焊盘，并且与第一虚设焊盘电隔离；以及第二互连结构，在第二绝缘结构中，电连接到第二金属焊盘，并且与第二虚设焊盘电隔离。第一金属焊盘中的一些可以在器件区上与第二金属焊盘中的相应第二金属焊盘接触，并且第一虚设焊盘中的一些可以在边缘区上与第二虚设焊盘中的相应第二虚设焊盘接触。
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